RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Produits semi-conduurs discrètes (1081)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
HGTG201N100E2	-	RFQ	6534	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini			1
Hgtd10n50f1	1.6700	RFQ	2	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		Standard		75 W	I-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1			-																				-	500 V	12 A		2,5 V @ 10V, 5A	-	13.4 NC	-
Ruru8080	4.6200	RFQ	274	Harris Corporation	-	En gros	Actif		Soutenir de châssis	À 218-1			Avalanche		À 218	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														800 V		1,9 V @ 80 A	200 ns	500 µA à 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	80A	-
HGT1S7N60B3	0,9800	RFQ	400	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		Standard		60 W	I2pak (à 262)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1			480v, 7a, 50 ohms, 15v																				-	600 V	14 A	56 A	2.1V @ 15V, 7A	160 µJ (ON), 120µJ (OFF)	30 NC	26NS / 130NS
IRFU222	0,4000	RFQ	900	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		200 V	3.8A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2,4a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	330 pf @ 25 V	-	50W (TC)
IRFR421	0,4100	RFQ	1	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		450 V	2.5a (TC)	10V	3OHM @ 1.3A, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	50W (TC)
RURP1580	-	RFQ	7399	Harris Corporation	-	En gros	Actif		Par le trou	À 220-2			Avalanche		À 220AC	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	231	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														800 V		1,8 V @ 15 A	125 ns	100 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
Irfp352	1.8200	RFQ	436	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		400 V	14A (TC)	10V	400MOHM @ 8,9A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	180W (TC)
BFT19A	-	RFQ	7831	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				1 W	To-205ad	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1																								300 V	1 a						100 µA (ICBO)	Pnp	2,5 V @ 3MA, 30mA	25 @ 5mA, 10V	-
IRF821	-	RFQ	9372	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	390		Canal n		450 V	2.5a (TC)	10V	3OHM @ 1.4A, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	50W (TC)
A114C	0,1600	RFQ	11	Harris Corporation	-	En gros	Obsolète		Par le trou							télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														300 V		1,3 V @ 1 A	150 µs	2 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	10pf @ 4v, 1mhz
Rurh3015cc	3.3200	RFQ	350	Harris Corporation	-	En gros	Actif		Par le trou	To-218-3 Tab isolé, à 218AC			Avalanche		À 218 isolé	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	150 V	30A	1 V @ 30 A	50 ns	500 µA à 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Hgtp6n40e1d	0,6600	RFQ	1	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Standard		75 W	À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1			-																				-	400 V	7.5 A	7.5 A	2,5 V @ 10V, 3A	-	6.9 NC	-
2N6773	0,3700	RFQ	860	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				40 W	À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0075	860																								650 V	1 a						100 µA	NPN	1V @ 200mA, 1A	20 @ 300mA, 3V	50 MHz
Rhrp8120cc	0,9400	RFQ	6877	Harris Corporation	-	En gros	Actif		Par le trou	À 220-3			Avalanche		À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	57	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	1200 V	8a	3,2 V @ 8 A	65 ns	100 µA à 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
HUF75332S3S	0,4100	RFQ	2	Harris Corporation	Ultrafet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		55 V	52A (TC)	10V	19MOHM @ 52A, 10V	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IGTM10N40A	1.6100	RFQ	200	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-204aa		Standard			To-3	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	200			-																				-	400 V	10 a		-	-		-
IRF9510	0,6000	RFQ	2	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal p		100 V	4A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2,4a, 10v	4V @ 250µA	8,7 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	43W (TC)
Rurg8080	3.1000	RFQ	703	Harris Corporation	-	En gros	Actif		Par le trou	À 247-2			Avalanche		À 247-2	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														800 V		1,9 V @ 80 A	200 ns	500 µA à 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	80A	-
IRF721R	-	RFQ	8131	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	300		Canal n		350 V	3.3A (TA)	10V	1,8 ohm @ 1,8a, 10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	50W (TC)
IRF810	0 4600	RFQ	93	Harris Corporation	*	En gros	Actif				IRF81		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1												-
RFP23N06LE	0,4100	RFQ	1	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1
RFP2P08	0,2500	RFQ	3	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal p		80 V	2A (TC)	10V	3,5 ohm @ 1a, 10v	4V @ 1MA		± 20V	150 pf @ 25 V	-	25W (TC)
IRF626	0,5300	RFQ	997	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		275 V	3.8A (TC)	10V	1,1 ohm @ 1,4a, 10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 20V	340 pf @ 25 V	-	40W (TC)
Hgtg7n60a4d	1.7700	RFQ	269	Harris Corporation	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		125 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	450			390v, 7a, 25 ohms, 15v															34 ns					-	600 V	34 A	56 A	2,7 V @ 15V, 7A	55 µJ (ON), 60µJ (OFF)	37 NC	11ns / 100ns
HGTH12N40E1D	-	RFQ	5438	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-218-3 Tab isolé, à 218AC		Standard		75 W	À 218 isolé	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	109			-															100 ns					-	400 V	12 A	17.5 A	3,2 V @ 20V, 17,5A	-	19 NC	-
RURD1550	2.3600	RFQ	8946	Harris Corporation	-	En gros	Actif		Par le trou	To-218-3 Tab isolé, à 218AC			Avalanche		À 218 isolé	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.10.0080	27	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	500 V	15A	1,5 V @ 15 A	60 ns	10 µA à 500 V	-55 ° C ~ 175 ° C
HRF3205	1.4600	RFQ	6230	Harris Corporation	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-	Rohs non conforme			EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		55 V	100A (TC)	10V	8MOHM @ 59A, 10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	4000 pf @ 25 V	-	175W (TC)
A15dx24	0,1800	RFQ	3717	Harris Corporation	*	En gros	Actif									-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0080	1 300
IRFD320	1.9400	RFQ	812	Harris Corporation	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)			MOSFET (Oxyde Métallique)		4 HVMDIP	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	1		Canal n		400 V	490mA (TA)		1,8 ohm @ 210mA, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	410 PF @ 25 V	-	1W (ta)