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Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Drain de Courant (ID) - Max
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 MW S-mini télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 8.2pf @ 10v 50 V 1,2 ma @ 10 V 400 mV @ 100 na 6.5 Ma
TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH, L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 3418 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TPW4R50 MOSFET (Oxyde Métallique) Avance de 8 dose télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 100 V 92A (TC) 10V 4,5 mohm @ 46a, 10v 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 50 V - 800MW (TA), 142W (TC)
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA (STA4, Q, M) 1.2500
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK6A45 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 450 V 5.5A (TA) 10V 1,35 ohm @ 2,8A, 10V 4.4 V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - -
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA (STA4, Q, M) 1 4000
RFQ
 ECAD 5114 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK7A45 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 450 V 6.5A (TA) 10V 1,2 ohm @ 3,3a, 10v 4.4 V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 35W (TC)
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A55D (STA4, Q, M) 1,6000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK7A55 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 550 V 7a (ta) 10V 1,25 ohm @ 3,5a, 10v 4.4 V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 35W (TC)
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L (T6L1, nq -
RFQ
 ECAD 4801 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiv Ruban Adhésif (tr) Obsolète 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TK80S04 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak + - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 40 V 80A (TA) 6v, 10v 3,1MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 10 V - 100W (TC)
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H (TE85L, FM -
RFQ
 ECAD 7556 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6008 MOSFET (Oxyde Métallique) VS-6 (2.9x2.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 5.9A (TA) 4,5 V, 10V 60mohm @ 3a, 10v 2,3 V à 100 µA 4.8 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 10 V - 700MW (TA)
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H, LQ (CM -
RFQ
 ECAD 2139 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvii-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TPC8062 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 18A (TA) 4,5 V, 10V 5,8MOHM @ 9A, 10V 2,3 V @ 300µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 10 V - 1W (ta)
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H (TE12L, QM -
RFQ
 ECAD 6243 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosv-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TPC8A05 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP (5.5x6.0) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 10A (TA) 4,5 V, 10V 13.3MOHM @ 5A, 10V 2.3V @ 1mA 15 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 10 V Diode Schottky (Corps) 1W (ta)
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9568 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif - Par le trou À 220-3 EXCHET TK16A45 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 450 V 16A 270MOHM @ 8A, 10V - - -
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H (TE12LQM) -
RFQ
 ECAD 5858 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TPC8031 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP (5.5x6.0) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 11a (ta) 13.3MOHM @ 5.5A, 10V 2,5 V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 pf @ 10 V - -
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60U (Q, M) -
RFQ
 ECAD 5107 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosii En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK20A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 20A (TA) 10V 190MOHM @ 10A, 10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ± 30V 1470 pf @ 10 V - 45W (TC)
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU, LF 0 4600
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6J507 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 10A (TA) 4V, 10V 20 mohm @ 4a, 10v 2,2 V @ 250µA 20,4 NC @ 4,5 V + 20V, -25V 1150 pf @ 15 V - 1.25W (TA)
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W, S1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TK8Q65 MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 650 V 7.8a (TA) 10V 670mohm @ 3,9a, 10v 3,5 V @ 300µA 16 NC @ 10 V ± 30V 570 pf @ 300 V - 80W (TC)
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU, RF (D -
RFQ
 ECAD 1977 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N48 MOSFET (Oxyde Métallique) 300mw US6 télécharger 1 (illimité) Ssm6n48furf (d EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 100mA (TA) 3,2 ohm @ 10mA, 4V 1,5 V à 100 µA - 15.1pf @ 3v Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 2,5 V
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610 (TE16L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 7676 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 2SJ610 MOSFET (Oxyde Métallique) PW-Mold télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 250 V 2a (ta) 10V 2 55 ohm @ 1A, 10V 3,5 V @ 1MA 24 NC @ 10 V ± 20V 381 PF @ 10 V - 20W (TA)
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91 (TE85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2201 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C Support de surface Sod-123f Cry91 700 MW S-Flat (1.6x3.5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0050 3 000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 5,5 V 9.1 V 30 ohms
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y, RQ 1.7400
RFQ
 ECAD 1946 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosv Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Tk290p60 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 11.5A (TC) 10V 290MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ± 30V 730 pf @ 300 V - 100W (TC)
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV, L3F 0,2300
RFQ
 ECAD 239 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-723 SSM3K35 MOSFET (Oxyde Métallique) Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 Canal n 20 V 250mA (TA) 1,2 V, 4,5 V 1,1 ohm @ 150mA, 4,5 V 1V @ 100µA 0,34 NC à 4,5 V ± 10V 36 pf @ 10 V - 500mw (TA)
TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL, RQ 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TK4R4P06 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 58A (TC) 4,5 V, 10V 4.4MOHM @ 29A, 10V 2,5 V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ± 20V 3280 pf @ 30 V - 87W (TC)
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30, L3F 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 2-md, pas d'Avance CBS05F30 Schottky CST2B - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 10 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 50 µA @ 30 V 125 ° C (max) 500mA 118pf @ 0v, 1MHz
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2511 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOD-128 CMG03 Standard M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) CMG03 (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3 000 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 600 V 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 2A -
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L, Q, M) 0,5300
RFQ
 ECAD 4497 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS09 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 70pf @ 10v, 1MHz
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 (TE12L, Q, M) 0,5400
RFQ
 ECAD 4384 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOD-128 CMZ16 2 W M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0050 3 000 1,2 V @ 200 mA 10 µA @ 11 V 16 V 30 ohms
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 7342 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f CRZ39 700 MW S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0050 3 000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 31,2 V 39 V 35 ohms
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 4033 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f CRZ47 700 MW S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0050 3 000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 37,6 V 47 V 65 ohms
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I30A (TE85L, QM -
RFQ
 ECAD 5115 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-76, SOD-323 CUS10I30 Schottky US-Flat (1.25x2.5) télécharger Rohs conforme CUS10I (TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 390 mV @ 700 mA 60 µA @ 30 V 150 ° C (max) 1A 50pf @ 10v, 1MHz
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316, H3F 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-76, SOD-323 BAS316 Standard USC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 1,25 V @ 150 Ma 3 ns 200 na @ 80 V 150 ° C (max) 250mA 0,35pf @ 0v, 1mhz
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC, L3F -
RFQ
 ECAD 4466 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 0201 (0603 MÉTrique) DSF01S30 Schottky SC2 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) DSF01S30SCL3F EAR99 8541.10.0070 10 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 30 V 500 mV à 100 mA 50 µA @ 30 V 125 ° C (max) 100 mA 9.3pf @ 0v, 1mhz
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F, S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif Par le trou À 220-2 EXCHET TRS12A65 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220f-2l - EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,6 V @ 12 A 0 ns 60 µA à 650 V 175 ° C (max) 12A 44pf @ 650V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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