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Produits semi-conduurs discrètes (15635)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
TSS4B04G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B04G C2G -
RFQ
 ECAD 5157 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-4B TSS4B04 Standard Ts4b télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 20 1,3 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 4 A Monophasé 400 V
SFAF507GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF507GHC0G -
RFQ
 ECAD 3818 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif Par le trou À 220-2 EXCHET SFAF507 Standard ITO-220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 500 V 1,7 V @ 8 A 35 ns 10 µA à 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4v, 1mhz
MURF1620CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Murf1620cthc0g -
RFQ
 ECAD 3470 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Murf1620 Standard ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 16A 975 MV @ 8 A 25 ns 500 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURF1640CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Murf1640CTHC0G -
RFQ
 ECAD 6341 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Murf1640 Standard ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 400 V 16A 1,3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF1003GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1003GHC0G -
RFQ
 ECAD 9747 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-3 SF1003 Standard À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 150 V 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4v, 1mhz
SF2004PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF2004PTH 1.4150
RFQ
 ECAD 8303 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif Par le trou À 247-3 SF2004 Standard À 247ad (to-3p) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 1.1 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 175pf @ 4v, 1mhz
SFA807G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA807G C0G -
RFQ
 ECAD 1772 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif Par le trou À 220-2 SFA807 Standard À 220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 500 V 1,7 V @ 8 A 35 ns 10 µA à 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 8a 60pf @ 4V, 1MHz
SFAF2001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2001G C0G -
RFQ
 ECAD 4837 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif Par le trou À 220-2 EXCHET SFAF2001 Standard ITO-220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 975 MV @ 20 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 170pf @ 4v, 1mhz
DBL205GH Taiwan Semiconductor Corporation Dbl20gh 0,2874
RFQ
 ECAD 3176 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl205 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,15 V @ 2 A 2 µA @ 600 V 2 A Monophasé 600 V
DBL207GH Taiwan Semiconductor Corporation Dbl207 0,2874
RFQ
 ECAD 8013 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl207 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,15 V @ 2 A 2 µA à 1000 V 2 A Monophasé 1 kv
DBLS101G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G C1G -
RFQ
 ECAD 8226 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls101 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 2 µA @ 50 V 1 a Monophasé 50 V
DBLS102G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS102G C1G -
RFQ
 ECAD 5804 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls102 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 2 µA @ 100 V 1 a Monophasé 100 V
DBLS104G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS104G C1G -
RFQ
 ECAD 7612 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls104 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 2 µA @ 400 V 1 a Monophasé 400 V
DBLS106G C1G Taiwan Semiconductor Corporation Dbls106g c1g -
RFQ
 ECAD 9954 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls106 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 2 µA @ 800 V 1 a Monophasé 800 V
DBLS106GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation Dbls106ghc1g -
RFQ
 ECAD 7362 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls106 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 2 µA @ 800 V 1 a Monophasé 800 V
DBLS107GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation Dbls107ghc1g -
RFQ
 ECAD 3233 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls107 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 2 µA à 1000 V 1 a Monophasé 1 kv
DBLS151G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151G C1G -
RFQ
 ECAD 6632 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls151 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA @ 50 V 1,5 A Monophasé 50 V
DBLS152G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS152G C1G -
RFQ
 ECAD 2547 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls152 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA @ 100 V 1,5 A Monophasé 100 V
DBLS155G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS155G C1G -
RFQ
 ECAD 4793 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls155 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA @ 600 V 1,5 A Monophasé 600 V
DBLS159G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS159G C1G -
RFQ
 ECAD 2936 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins DBLS159 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,25 V @ 1,5 A 2 µA @ 1400 V 1,5 A Monophasé 1,4 kV
DBLS201G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G C1G -
RFQ
 ECAD 4917 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls201 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,15 V @ 2 A 2 µA @ 50 V 2 A Monophasé 50 V
DBLS203G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS203G C1G -
RFQ
 ECAD 1604 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls203 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,15 V @ 2 A 2 µA @ 200 V 2 A Monophasé 200 V
DBLS205G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS205G C1G -
RFQ
 ECAD 9616 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Dbls205 Standard Dbls télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,15 V @ 2 A 2 µA @ 600 V 2 A Monophasé 600 V
GBL005 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL005 D2G -
RFQ
 ECAD 7572 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl Gbl005 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 5 V 4 A Monophasé 50 V
GBL06HD2G Taiwan Semiconductor Corporation Gbl06hd2g -
RFQ
 ECAD 7456 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl Gbl06 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 4 A Monophasé 600 V
GBL08HD2G Taiwan Semiconductor Corporation Gbl08hd2g -
RFQ
 ECAD 5113 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl Gbl08 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V 4 A Monophasé 800 V
GBL202HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL202HD2G -
RFQ
 ECAD 2965 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl Gbl202 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1 V @ 2 A 5 µA @ 100 V 2 A Monophasé 100 V
GBLA005 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBLA005 D2G -
RFQ
 ECAD 3232 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl Gbla005 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 4 A Monophasé 50 V
GBLA005HD2G Taiwan Semiconductor Corporation Gbla005hd2g -
RFQ
 ECAD 6808 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl Gbla005 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 4 A Monophasé 50 V
GBLA04 Taiwan Semiconductor Corporation Gbla04 -
RFQ
 ECAD 7650 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl Gbla04 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 4 A Monophasé 400 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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