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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Mtzj33sd r0g | 0,0305 | ![]() | 6316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj33 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 25 V | 32.3 V | 65 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M200ZHB0G | - | ![]() | 1889 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m200 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 500 na @ 152 V | 200 V | 900 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3KB R5G | 0 7600 | ![]() | 270 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | HS3K | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
US1G | 0,0853 | ![]() | 2670 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | US1G | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3G M6 | - | ![]() | 8381 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-es3gm6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS1005G | 0,6044 | ![]() | 8074 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SFS1005 | Standard | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SFS1005GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 300 V | 10A | 1,3 V @ 5 A | 35 ns | 1 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sraf8150hc0g | - | ![]() | 5030 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SRAF8150 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA à 150 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPMR10G S1G | 0,6845 | ![]() | 6371 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | TPMR10 | Standard | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,2 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 140pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS25P02G D2G | - | ![]() | 8513 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | TS25P02 | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA à 100 V | 25 A | Monophasé | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1690 C0G | - | ![]() | 9429 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | MBR1690 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 MV @ 16 A | 300 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx584b5v1 rkg | - | ![]() | 7043 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
SK22AHR3G | - | ![]() | 3185 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | SK22 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 500 mV @ 2 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF2L4GH | 0.1044 | ![]() | 7733 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | SF2L4 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 40pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c36phrfg | - | ![]() | 7706 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906 | 0,0288 | ![]() | 3818 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MMBT3906TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9 000 | 40 V | 200 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF34G B0G | - | ![]() | 5390 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SF34 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER606G | 0,5136 | ![]() | 7905 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | R-6, axial | HER606 | Standard | R-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 65pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c33phrhg | - | ![]() | 4096 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 24 V | 33 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B27 L0G | 0,0357 | ![]() | 2738 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 20 V | 27 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mbr4090pthc0g | - | ![]() | 3325 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | MBR4090 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 90 V | 40a | 500 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
Rs1blhmqg | - | ![]() | 1599 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1b | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4N80CI C0G | - | ![]() | 3169 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSM4N80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 800 V | 4A (TC) | 10V | 3OHM @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 955 PF @ 25 V | - | 38,7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
Bzt52b24-g rhg | 0,0461 | ![]() | 5036 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C12P RQG | - | ![]() | 7481 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9,1 V | 12 V | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK39AH | 0.1746 | ![]() | 5144 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SK39AHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4003GHR1G | - | ![]() | 9730 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4003 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
YBS2207G | 0,9400 | ![]() | 842 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 mm, plombes plombes | Ybs2207 | Standard | YBS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | 970 MV @ 2,2 A | 5 µA à 1000 V | 2.2 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||
SK26AHR3G | - | ![]() | 5432 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | SK26 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 2 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK55C R7 | - | ![]() | 5576 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sk55cr7tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 750 mV @ 5 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM3N80CZ C0G | - | ![]() | 7386 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TSM3N80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 800 V | 3A (TC) | 10V | 4,2 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 696 PF @ 25 V | - | 94W (TC) |
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