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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | SFAF2001G C0G | - | ![]() | 4837 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF2001 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 975 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 170pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR205 A0G | - | ![]() | 6914 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | SR205 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 2 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR105 A0G | 0,5000 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR105 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
SS210L RVG | 0,4100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS210 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
Rs1jlhrvg | - | ![]() | 5836 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1j | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
Tapis hs1dl | - | ![]() | 9564 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1D | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM180N03CS RLG | 0,4314 | ![]() | 1516 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TSM180 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 9A (TC) | 4,5 V, 10V | 18MOHM @ 8A, 10V | 2V à 250µA | 14 NC @ 4,5 V | ± 20V | 345 PF @ 25 V | - | 2,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
Bzd27c39p m2g | - | ![]() | 4502 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M82Z B0G | - | ![]() | 5200 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m82 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 500 na @ 62.2 V | 82 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338-40 A1G | - | ![]() | 7817 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC338 | 625 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 000 | 25 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3J R6G | - | ![]() | 5439 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-RS3JR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
RSFJL R3G | 0.4400 | ![]() | 342 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rsfjl | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 500 mA | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1T3G A1G | - | ![]() | 9957 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | 1T3G | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1045CT | 0,5559 | ![]() | 1505 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS1045 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS1045CTTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 10A | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m13z | 0,1565 | ![]() | 2155 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m13 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 500 | 500 na @ 9,9 V | 13 V | 5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Srf1060 | 0,9300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Srf1060 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c12phmhg | - | ![]() | 5473 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9,1 V | 12.05 V | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF2003PTH | - | ![]() | 4857 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | SF2003 | Standard | À 247ad (to-3p) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sf2003pth | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 20A (DC) | 1.1 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NC390CI C0G | 6.8200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390mohm @ 3,8A, 10V | 5V @ 1MA | 21.3 NC @ 10 V | ± 20V | 832 PF @ 25 V | - | 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
RSFDL RTG | - | ![]() | 1753 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rsfdl | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSA874CW RPG | 0.2072 | ![]() | 9133 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | TSA874 | 1 W | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | 500 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 10mA, 50mA | 150 @ 10mA, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c30p rqg | - | ![]() | 7941 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c220phrhg | - | ![]() | 1718 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 160 V | 220,5 V | 900 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC3506W | 3.7238 | ![]() | 3462 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC35 | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC3506 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBPC3506W | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA @ 600 V | 35 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
Rsfmlhm2g | - | ![]() | 8073 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rsfml | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG06AHA0G | - | ![]() | 8844 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | UG06 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV à 600 mA | 15 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 600mA | 9pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF1004GH | 0,5732 | ![]() | 5328 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SF1004 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SF1004GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 10A | 975 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1smb5936 | 0.1453 | ![]() | 1541 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1smb5936 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 µA @ 22,8 V | 30 V | 26 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2A04G B0G | - | ![]() | 9169 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2A04 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRA820 C0G | - | ![]() | 7744 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | SRA820 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - |
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