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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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1pgsma4748hr3g | 0,4300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1pgsma4748 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16,7 V | 22 V | 23 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | M3Z36VC | 0,0297 | ![]() | 1693 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | M3Z36 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-M3Z36VCTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4764A R1G | - | ![]() | 1315 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4764 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5236B A0G | - | ![]() | 5499 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5236 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6 V | 7,5 V | 6 ohms | ||||||||||||||||||||||
TSM026NA03CR RLG | - | ![]() | 1041 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM026 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 168a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,6 mohm @ 24a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2540 pf @ 15 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||
Bzd27c47phrhg | - | ![]() | 2855 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B13 RXG | - | ![]() | 4077 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 10 V | 13 V | 26 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | SFA1003GHC0G | - | ![]() | 8659 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | SFA1003 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 975 MV @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 70pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmc5363hr7g | - | ![]() | 9772 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 W | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 na @ 22,8 V | 30 V | 8 ohms | |||||||||||||||||||||||
RS1KL RVG | 0 4500 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1k | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
Bzd27c56pwh | 0,1191 | ![]() | 7975 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 43 V | 56 V | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1035 C0G | - | ![]() | 7269 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | MBR1035 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 700 mV @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||
S1dfshmwg | 0 4600 | ![]() | 210 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | S1D | Standard | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 1 A | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF1060 C0G | - | ![]() | 7175 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sraf1060 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 10 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MUR190 B0G | - | ![]() | 1088 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | MUR190 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 900 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 900 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
TSM018NA03CR RLG | 1.4100 | ![]() | 69 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM018 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 185a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,8MOHM @ 29A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3479 PF @ 15 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | SR1202 R0G | - | ![]() | 7292 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-201D, axial | SR1202 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 MV @ 12 A | 500 µA @ 20 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | SFAF804G | - | ![]() | 7519 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF804 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 90pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | Srs2050hmng | - | ![]() | 6502 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SRS2050 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 20A | 700 mV @ 10 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79c10 | 0,0287 | ![]() | 9765 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx79c10tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 20 000 | 1,5 V @ 100 mA | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||
HS1ML MTG | - | ![]() | 5813 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1M | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
Ss36lwh | 0,5300 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | Ss36 | Schottky | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 3 a | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||
BZD17C120P M2G | - | ![]() | 7720 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 V | 120 V | 300 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10200CT | 0,5302 | ![]() | 9686 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR1020 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 10A | 980 MV @ 10 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | Mur420s m6 | - | ![]() | 6803 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-MUR420SM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 875 MV @ 4 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SR1203 B0G | - | ![]() | 6444 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SR1203 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 MV @ 12 A | 500 µA @ 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||||||
BYG20G | 0,0999 | ![]() | 3814 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Byg20 | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,4 V @ 1,5 A | 75 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4003G R0G | - | ![]() | 5419 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4003 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | SR002 A0G | - | ![]() | 7630 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR002 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 MV à 500 mA | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 110pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR30150PT | 1.8014 | ![]() | 9167 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | MBR30150 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 30A | 1.02 V @ 30 A | 500 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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