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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | TS10K80 | 1.4500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, gbl | TS10K80 | Standard | Ts4k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 800 V | 10 a | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||
Ts10kl80 | 0,5997 | ![]() | 5073 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbjl | Ts10kl80 | Standard | Kbjl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | 10 a | Monophasé | 800 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | TS25P05G | 2.6300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | TS25P05 | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 600 V | 25 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | TS6K60 | 1.2600 | ![]() | 998 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, gbl | TS6K60 | Standard | Ts4k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 6 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ts6k80 | 1.2500 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, gbl | Ts6k80 | Standard | Ts4k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | 6 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||
SS110L | 0,5200 | ![]() | 35 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS110 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 800 mV @ 1 a | 50 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
TSM1N45CT B0G | - | ![]() | 5598 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 450 V | 500mA (TC) | 10V | 4,25 ohm @ 250mA, 10V | 4,25 V @ 250µA | 6,5 NC @ 10 V | ± 30V | 235 PF @ 25 V | - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | TSM2N100CP ROG | - | ![]() | 1954 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM2N100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 1000 V | 1.85A (TC) | 10V | 8,5 ohm @ 900mA, 10V | 5,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 77W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | AZ23C33 RFG | 0,0786 | ![]() | 8125 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 25 V | 33 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | RFG AZ23C5V1 | 0,0786 | ![]() | 6168 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 800 mV | 5.1 V | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | RFG AZ23C6V2 | 0,0786 | ![]() | 1543 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16 RFG | - | ![]() | 1592 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Standard | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 75 V | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150m | 2pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | Bav20ws rrg | 0,0470 | ![]() | 8534 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BAV20 | Standard | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 200 V | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200m | 5pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
SS36L RFG | - | ![]() | 1752 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Ss36 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | ES3B R7G | - | ![]() | 1507 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | ES3B | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | Es3dhr7g | - | ![]() | 1632 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | ES3D | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | Mur310shr7g | - | ![]() | 2344 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Mur310 | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 875 MV @ 3 A | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MUR315S R7G | - | ![]() | 7008 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Mur315 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 875 MV @ 3 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Mur315shr7g | - | ![]() | 4737 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Mur315 | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 875 MV @ 3 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Mur340shr7g | - | ![]() | 1818 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Mur340 | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,25 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Mur440shr7g | - | ![]() | 7197 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Mur440 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,25 V @ 4 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Rs3bhr7g | - | ![]() | 8364 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Rs3b | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | RS3GHR7G | - | ![]() | 4872 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Rs3g | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | S10MR7G | - | ![]() | 8316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S10m | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 10 A | 1 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | S12gchr7g | - | ![]() | 4039 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S12g | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 12 A | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 78pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | S2KHR5G | - | ![]() | 3796 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | S2K | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | Sbs26hreg | - | ![]() | 9529 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Sbs26 | Standard | Abs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 700 mV @ 2 A | 50 µA @ 60 V | 2 A | Monophasé | 60 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | Sk110bhr5g | - | ![]() | 1963 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | SK110 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 1 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
Bzd27c47phrvg | 0 2933 | ![]() | 1365 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||
Bzd27c51phrug | - | ![]() | 9920 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohms |
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