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Produits semi-conduurs discrètes (15635)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM900N06CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH 0,6584
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 ECAD 6981 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou To-251-3 Stub Leads, ipak TSM900 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (i-pak sl) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM900N06CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 60 V 11a (TC) 4,5 V, 10V 90MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 25W (TC)
S2MFSH Taiwan Semiconductor Corporation S2mfsh 0,0683
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 ECAD 4007 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 Standard SOD-128 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-S2MFSHTR EAR99 8541.10.0080 28 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1.1 V @ 2 A 1 µA à 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12pf @ 4v, 1mhz
BZT52C10S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10 0,0357
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 ECAD 2514 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BZT52C10STR EAR99 8541.10.0050 10 000 1 V @ 10 mA 180 na @ 7 V 10 V 20 ohms
TSM80N1R2CP Taiwan Semiconductor Corporation Tsm80n1r2cp 2.6213
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 ECAD 5239 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM80N1R2CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 800 V 5.5A (TC) 10V 1,2 ohm @ 2 75a, 10v 4V @ 250µA 19,4 NC @ 10 V ± 30V 685 PF @ 100 V - 110W (TC)
BZD17C18P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P 0,2625
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 ECAD 6571 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 6 41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SOD-123 BZD17 800 MW Sous-sma télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BZD17C18PTR EAR99 8541.10.0050 10 000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 13 V 18 V 15 ohms
ES1GALH Taiwan Semiconductor Corporation Es1galh 0,1131
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 ECAD 7224 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface DO-221AC, SMA PLATS À PLAT Standard Sma hachce télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-es1galhtr EAR99 8541.10.0080 14 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,3 V @ 1 A 35 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4v, 1mhz
ABS20MH Taiwan Semiconductor Corporation ABS20MH 0.2013
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 ECAD 6096 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins ABS20 Standard Abs télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-ABS20MHTR EAR99 8541.10.0080 5 000 1.02 V @ 1 A 5 µA à 1000 V 2 A Monophasé 1 kv
BZD27C82PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c82ph 0 2933
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 ECAD 5947 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 6,1% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SOD-123 BZD27 1 W Sous-sma télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-bzd27c82phtr EAR99 8541.10.0050 10 000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 62 V 82 V 200 ohms
HER604GH Taiwan Semiconductor Corporation HER604GH 0,5466
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 ECAD 9050 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif À Travers Le Trou R-6, axial Standard R-6 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-HER604HTR EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 300 V 1 V @ 6 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 80pf @ 4v, 1mhz
TSM60NB150CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB150CF 5.7259
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 ECAD 5940 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB150CF EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 24a (TC) 10V 150 MOHM @ 4.3A, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1765 PF @ 100 V - 62,5W (TC)
M3Z30VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z30VC 0,0294
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 ECAD 2398 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-90, SOD-323F M3Z30 200 MW SOD-323F télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-M3Z30VCTR EAR99 8541.10.0050 6 000 100 na @ 22 V 30 V 80 ohms
TSM1NB60CP Taiwan Semiconductor Corporation Tsm1nb60cp 0,7717
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 ECAD 1758 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM1NB60CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 600 V 1A (TC) 10V 10OHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 250µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 39W (TC)
BZS55C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C2V7 0,0340
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 ECAD 4812 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 1206 (3216 MÉTrique) BZS55 500 MW 1206 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-bzs55c2v7tr EAR99 8541.10.0050 10 000 1,5 V @ 10 mA 10 µA @ 1 V 2,7 V 85 ohms
SRS20100H Taiwan Semiconductor Corporation SRS20100H 0 7761
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 ECAD 1925 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SRS20100 Schottky À-263ab (d2pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-SRS20100HTR EAR99 8541.10.0080 1 600 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 100 V 20A 920 MV @ 10 A 100 µA à 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
TPUH6JH Taiwan Semiconductor Corporation Tpuh6jh 0,3192
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 ECAD 5325 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 277, 3-Powerdfn TPUH6 Standard À 277a (SMPC) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-tpuh6jhtr EAR99 8541.10.0080 6 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 3 V @ 6 A 25 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 50pf @ 4v, 1MHz
KTC3198-GR Taiwan Semiconductor Corporation Ktc3198-gr 0,0583
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 ECAD 2961 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) KTC3198 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-ktc3198-grtb EAR99 8541.21.0095 4 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80 MHz
S15DLW Taiwan Semiconductor Corporation S15dlw 0,0597
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 ECAD 9269 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-123W Standard SOD-123W télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-s15dlwtr EAR99 8541.10.0080 20 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,1 V @ 1,5 A 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.5a 10pf @ 4v, 1mhz
SFF10L08GA Taiwan Semiconductor Corporation SFF10L08GA 0 4119
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 ECAD 5342 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif À Travers Le Trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé SFF10L08 Standard ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-SFF10L08GA EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 600 V 5A 1,3 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C7V5K Taiwan Semiconductor Corporation Bzt52c7v5k 0,0474
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 ECAD 4355 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-bzt52c7v5ktr EAR99 8541.10.0050 6 000 500 na @ 4 V 7,5 V 15 ohms
UR2KB100 Taiwan Semiconductor Corporation Ur2kb100 0,4295
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 ECAD 1148 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou 4-ISIP UR2KB Standard D3k télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-ur2kb100 EAR99 8541.10.0080 1 500 1 05 V @ 1 A 10 µA à 1000 V 2 A Monophasé 1 kv
BZX55B39 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B39 0,0301
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 ECAD 5439 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx55 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-bzx55b39tr EAR99 8541.10.0050 10 000 1 V @ 100 mA 100 na @ 28 V 39 V 90 ohms
SRF10100H Taiwan Semiconductor Corporation Srf10100h 0,5176
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 ECAD 7101 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif À Travers Le Trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Srf10100 Schottky ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-SRF10100H EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 100 V 10A 900 mV @ 5 a 100 µA à 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
SS13LH Taiwan Semiconductor Corporation SS13LH 0 2235
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 ECAD 7626 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-123 SS13 Schottky Sous-sma télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-SS13LHTR EAR99 8541.10.0080 10 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 500 mV @ 1 a 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
TSM680P06CH Taiwan Semiconductor Corporation Tsm680p06ch 0,8645
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 ECAD 7551 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou To-251-3 Stub Leads, ipak TSM680 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (i-pak sl) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM680P06CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal p 60 V 18A (TC) 4,5 V, 10V 68MOHM @ 6A, 10V 2,2 V @ 250µA 16.4 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 30 V - 20W (TC)
KBPF306G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF306G 0,5280
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 ECAD 2757 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou 4-sip, kbpf KBPF306 Standard Kbpf télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-kbpf306g EAR99 8541.10.0080 2 100 1,1 V @ 1,5 A 5 µA @ 800 V 3 A Monophasé 800 V
TSM60NB099CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CF 7.8447
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 ECAD 8224 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB099CF EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 69W (TC)
M3Z2V4C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z2V4C 0,0294
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 ECAD 2923 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-90, SOD-323F M3Z2 200 MW SOD-323F télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-M3Z2V4CTR EAR99 8541.10.0050 6 000 120 µA @ 1 V 2,4 V 90 ohms
MBR2060CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060CT-Y 0,4737
RFQ
 ECAD 3364 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif À Travers Le Trou À 220-3 MBR2060 Schottky À 220ab télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-MBR2060CT-Y EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 20A 700 mV @ 20 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSM200N03DPQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 0,6553
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 ECAD 5162 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM200 MOSFET (Oxyde Métallique) 20W (TC) 8-pdfn (3x3) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM200N03DPQ33TR EAR99 8541.29.0095 15 000 2 N-Canal 30V 20A (TC) 20 mohm @ 10a, 10v 2,5 V @ 250µA 4.1nc @ 4.5 V 345pf @ 25v Standard
BZV55B47 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B47 0,0357
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 ECAD 6977 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bzv55b 500 MW Mini-MF télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-bzv55b47tr EAR99 8541.10.0050 10 000 1 V @ 100 mA 100 na @ 35 V 47 V 110 ohms
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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