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Produits semi-conduurs discrètes (15635)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Current - Rectifié Moyen (IO)	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
Dbls103g	0,3825	RFQ	2853	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	Dbls103	Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 500	1.1 V @ 1 A	2 µA @ 200 V	1 a	Monophasé	200 V
Dbls103ghrdg	-	RFQ	4988	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	Dbls103	Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 500	1.1 V @ 1 A	2 µA @ 200 V	1 a	Monophasé	200 V
Dbls106g	0,6600	RFQ	4	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	Dbls106	Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 500	1.1 V @ 1 A	2 µA @ 800 V	1 a	Monophasé	800 V
DBLS107GH	0,2715	RFQ	1341	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	Dbls107	Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 500	1.1 V @ 1 A	2 µA à 1000 V	1 a	Monophasé	1 kv
DBLS152G RDG	-	RFQ	5074	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	Dbls152	Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 500	1,1 V @ 1,5 A	2 µA @ 100 V	1,5 A	Monophasé	100 V
DBLS153G RDG	-	RFQ	3794	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	DBLS153	Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 500	1,1 V @ 1,5 A	2 µA @ 200 V	1,5 A	Monophasé	200 V
Dbls153ghrdg	-	RFQ	8309	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	DBLS153	Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 500	1,1 V @ 1,5 A	2 µA @ 200 V	1,5 A	Monophasé	200 V
ABS10H	0.1788	RFQ	6219	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	ABS10	Standard		Abs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	5 000	950 mV @ 400 mA	10 µA à 1000 V	800 mA	Monophasé	1 kv
ABS15JH	0.2013	RFQ	6455	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	ABS15	Standard		Abs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	5 000	1 V @ 1,5 A	5 µA @ 600 V	1,5 A	Monophasé	600 V
ABS2HRGG	-	RFQ	5257	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	ABS2	Standard		Abs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	5 000	950 mV @ 400 mA	10 µA @ 200 V	800 mA	Monophasé	200 V
ABS4	0,1599	RFQ	8052	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	ABS4	Standard		Abs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	5 000	950 mV @ 400 mA	10 µA @ 400 V	800 mA	Monophasé	400 V
ABS4H	0.1788	RFQ	9562	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	ABS4	Standard		Abs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	5 000	950 mV @ 400 mA	10 µA @ 400 V	800 mA	Monophasé	400 V
1smb5941h	0,1545	RFQ	2635	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	DO-214AA, SMB	1SMB5941		3 W	DO-214AA (SMB)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000		1 µA @ 35,8 V				47 V	67 ohms
GBPC15005 T0G	-	RFQ	7575	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC	GBPC15005	Standard		GBPC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 7,5 A	5 µA @ 50 V	15 A	Monophasé	50 V
GBPC15005W T0G	-	RFQ	6254	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC15005	Standard		GBPC-W	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 7,5 A	5 µA @ 50 V	15 A	Monophasé	50 V
GBPC1501M T0G	-	RFQ	5480	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC-M	GBPC1501	Standard		Gbpc-m	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 7,5 A	5 µA @ 100 V	15 A	Monophasé	100 V
GBPC1501W T0G	-	RFQ	3232	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC1501	Standard		GBPC-W	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 7,5 A	5 µA @ 100 V	15 A	Monophasé	100 V
GBPC1502 T0G	-	RFQ	1950	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC	GBPC1502	Standard		GBPC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 7,5 A	5 µA @ 200 V	15 A	Monophasé	200 V
GBPC1506 T0G	-	RFQ	9691	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC	GBPC15	Standard		GBPC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 7,5 A	5 µA @ 600 V	15 A	Monophasé	600 V
GBPC1508 T0G	-	RFQ	4075	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC	GBPC1508	Standard		GBPC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 7,5 A	5 µA @ 800 V	15 A	Monophasé	800 V
GBPC1508W T0G	-	RFQ	7278	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC1508	Standard		GBPC-W	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 7,5 A	5 µA @ 800 V	15 A	Monophasé	800 V
GBPC25005M T0G	-	RFQ	7675	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC-M	GBPC25005	Standard		Gbpc-m	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 12,5 A	5 µA @ 50 V	25 A	Monophasé	50 V
GBPC25005W T0G	-	RFQ	2359	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC25005	Standard		GBPC-W	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 12,5 A	5 µA @ 50 V	25 A	Monophasé	50 V
GBPC2501M T0G	-	RFQ	4132	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC-M	GBPC2501	Standard		Gbpc-m	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 12,5 A	5 µA @ 100 V	25 A	Monophasé	100 V
GBPC2501W T0G	-	RFQ	4498	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC2501	Standard		GBPC-W	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 12,5 A	5 µA @ 100 V	25 A	Monophasé	100 V
GBPC2502 T0G	-	RFQ	8897	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC	GBPC2502	Standard		GBPC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 12,5 A	5 µA @ 200 V	25 A	Monophasé	200 V
GBPC2504M T0G	-	RFQ	4698	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC-M	GBPC2504	Standard		Gbpc-m	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 12,5 A	5 µA @ 400 V	25 A	Monophasé	400 V
GBPC2504W T0G	-	RFQ	6110	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC2504	Standard		GBPC-W	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 12,5 A	5 µA @ 400 V	25 A	Monophasé	400 V
GBPC2506W T0G	-	RFQ	2736	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC2506	Standard		GBPC-W	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 12,5 A	5 µA @ 600 V	25 A	Monophasé	600 V
GBPC2508M T0G	-	RFQ	3765	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC-M	GBPC2508	Standard		Gbpc-m	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100	1,1 V @ 12,5 A	5 µA @ 800 V	25 A	Monophasé	800 V