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Produits semi-conduurs discrètes (15635)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
GBPC5004 T0G	-	RFQ	5835	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC40	GBPC5004	Standard		GBPC40	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 400 V		50 a		Monophasé	400 V
GBPC5008M T0G	-	RFQ	4605	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC40-M	GBPC5008	Standard		GBPC40-M	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 800 V		50 a		Monophasé	800 V
SF67GHB0G	-	RFQ	9202	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			Par le trou	DO-201D, axial	SF67	Standard		Do-201Dad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	500	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	500 V	1,7 V @ 6 A	35 ns	5 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	50pf @ 4v, 1MHz
SR003HB0G	-	RFQ	1999	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	SR003	Schottky		DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	1 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	30 V	550 MV à 500 mA		500 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	500mA	110pf @ 4v, 1MHz
Bzd27c33phrug	0 2933	RFQ	1417	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 6,06%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	DO-219AB	BZD27		1 W	Sous-sma	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1 800			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 24 V						33 V	15 ohms
Tapis bzd27c11p	-	RFQ	8245	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5 45%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	DO-219AB	BZD27		1 W	Sous-sma	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1 800			1,2 V @ 200 mA		4 µA @ 8,2 V						11 V	7 ohms
Mtzj5v6sb r0g	0,0305	RFQ	4355	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AG, DO-34, axial	Mtzj5		500 MW	Do-34	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000					5 µA à 2,5 V						5,59 V	60 ohms
BZD27C36P RTG	-	RFQ	4223	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5,55%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	DO-219AB	BZD27		1 W	Sous-sma	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	7 500			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 27 V						36 V	40 ohms
Bzd27c91phrtg	-	RFQ	7201	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 6,07%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	DO-219AB	BZD27		1 W	Sous-sma	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	7 500			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 68 V						90,5 V	200 ohms
BZS55B12 RXG	-	RFQ	7514	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	1206 (3216 MÉTrique)	BZS55		500 MW	1206	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000			1,5 V @ 10 mA		100 na @ 9.1 V						12 V	20 ohms
BZV55B3V0 L1G	-	RFQ	8069	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	Bzv55b		500 MW	Mini-MF	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	2 500			1 V @ 100 mA		4 µA @ 1 V						3 V	85 ohms
ABS20M	0,5400	RFQ	50	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	ABS20	Standard		Abs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	5 000			1.1 V @ 2 A		5 µA à 1000 V		2 A		Monophasé	1 kv
BZD27C39P RVG	0,0980	RFQ	5341	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	DO-219AB	BZD27		1 W	Sous-sma	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 30 V						39 V	40 ohms
D2SB80	0,9000	RFQ	8	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, gbl	D2SB80	Standard		Gbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	25			1.1 V @ 15 A		10 µA @ 800 V		2 A		Monophasé	800 V
Dbls104g	0,6600	RFQ	2	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	Dbls104	Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 500			1.1 V @ 1 A		2 µA @ 400 V		1 a		Monophasé	400 V
Dbls203g	1.0200	RFQ	3	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	Dbls203	Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 500			1,15 V @ 2 A		2 µA @ 200 V		2 A		Monophasé	200 V
GBU1006	0,7872	RFQ	3026	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU1006	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			1.1 V @ 15 A		5 µA @ 800 V		10 a		Monophasé	800 V
GBU805	0,7104	RFQ	8523	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU805	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			1 V @ 2 A		5 µA @ 600 V		8 A		Monophasé	600 V
GBU806	1.4500	RFQ	650	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU806	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			1 V @ 2 A		5 µA @ 800 V		8 A		Monophasé	800 V
Rabs15m Reg	0 2435	RFQ	3517	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	Rabs15	Standard		Abs-l	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1 000			1 V @ 1,5 A		1 µA à 1000 V		1,5 A		Monophasé	1 kv
Rmb6	0,6300	RFQ	170	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-Beesop (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	Rmb6	Standard		MBS	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	3 000			1 V @ 2 A		5 µA @ 600 V		800 mA		Monophasé	600 V
SBS25	1.3600	RFQ	6	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins	SBS25	Standard		Abs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	5 000			500 mV @ 2 A		100 µA @ 50 V		2 A		Monophasé	50 V
Gbla06	-	RFQ	5488	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, gbl	Gbla06	Standard		Gbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	25			1 V @ 4 A		5 µA @ 600 V		4 A		Monophasé	600 V
GBU1002HD2G	-	RFQ	1883	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU1002	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			1.1 V @ 10 A		5 µA @ 100 V		10 a		Monophasé	100 V
GBU1003HD2G	-	RFQ	8037	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU1003	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			1.1 V @ 10 A		5 µA @ 200 V		10 a		Monophasé	200 V
GBU15L05H	3.1290	RFQ	1275	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU15	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			900 mV à 7,5 a		5 µA @ 600 V		15 A		Monophasé	600 V
GBU402 D2G	-	RFQ	4268	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU402	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			1.1 V @ 4 A		5 µA @ 100 V		4 A		Monophasé	100 V
GBU403HD2G	-	RFQ	7586	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU403	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			1.1 V @ 4 A		5 µA @ 200 V		4 A		Monophasé	200 V
GBU404	-	RFQ	8079	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU404	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			1.1 V @ 4 A		5 µA @ 400 V		4 A		Monophasé	400 V
GBU404H	-	RFQ	9279	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, GBU	GBU404	Standard		GBU	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	20			1.1 V @ 4 A		5 µA @ 400 V		4 A		Monophasé	400 V