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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Bzt55c6v2 | 0,0504 | ![]() | 1358 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt55c6v2tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HDBLS105GH | 0,4257 | ![]() | 5158 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Standard | Dbls | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HDBLS105HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | 1,7 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | 1 a | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4745A | 0,0830 | ![]() | 6773 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AB, MELF | ZM4745 | 1 W | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-zm4745atr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 12,2 V | 16 V | 16 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx584b3v6 | 0,0798 | ![]() | 9168 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx584b3v6tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B36 | 0,0340 | ![]() | 1714 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B36STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 25,2 V | 36 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC2508W | 3.1618 | ![]() | 9061 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC25 | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC2508 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBPC2508W | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 800 V | 25 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C43 | 0,0412 | ![]() | 2877 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52C | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52c43tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B51 | 0,0453 | ![]() | 6249 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52B | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52b51tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B30 | 0,0340 | ![]() | 9315 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B30STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 21 V | 30 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C100P | 0,2888 | ![]() | 6318 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZD27C100PTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4148CA | 0,0280 | ![]() | 3557 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD4148 | Standard | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-mmbd4148catr | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 75 V | 200m | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C39 | 0,0287 | ![]() | 1231 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx55c39tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 28 V | 39 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj3v6sb | 0,0305 | ![]() | 5200 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj3 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ3V6SBTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 10 µA @ 1 V | 3,6 V | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54CD | 0.1224 | ![]() | 4520 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bat54 | Schottky | SOT-363 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BAT54CDTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 2 paires Cathode Commune | 30 V | 200m | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1645H | 0,6851 | ![]() | 2353 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS1645 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS1645HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER3004PTH | 1.8804 | ![]() | 1321 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | À Travers Le Trou | À 247-3 | Standard | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HER3004PTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 300 V | 30A | 1 V @ 15 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj6v2sc | 0,0305 | ![]() | 4290 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj6 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ6V2SCTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 5 µA @ 3 V | 6.2 V | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM180P03CS | 0,6100 | ![]() | 5273 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TSM180 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM180P03CSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal p | 30 V | 10A (TC) | 4,5 V, 10V | 18MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 14,6 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1730 pf @ 15 V | - | 2,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B43 | 0,0385 | ![]() | 8073 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt55b43tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 32 V | 43 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS20100CT-Y | 0,6433 | ![]() | 1354 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS20100 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS20100CT-YTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 20A | 850 MV @ 10 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj2v7sb | 0,0305 | ![]() | 9880 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj2 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-mtzj2v7sbtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 µA @ 1 V | 2,7 V | 110 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx85c24 | 0,0645 | ![]() | 4693 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZX85C24TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 na @ 18 V | 24 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338-16 | 0,0661 | ![]() | 7080 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | BC338 | 625 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BC338-16TB | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 000 | 25 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Es3dbh | 0.1926 | ![]() | 8199 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-es3dbhtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 46pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C20 | 0,0645 | ![]() | 3859 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx85c20tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 na @ 15 V | 20 V | 24 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C15 | 0,0652 | ![]() | 1429 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZX85C15TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 na @ 11 V | 15 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C56 | 0,0333 | ![]() | 5190 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55c | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZV55C56TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 42 V | 56 V | 135 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52b3v6s | 0,0340 | ![]() | 8226 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B3V6STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 4,5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC1508W | 3.1618 | ![]() | 3134 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC15 | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC1508 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBPC1508W | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 800 V | 15 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5224B | 0,0271 | ![]() | 2867 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 200 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5224 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1N5224BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2,8 V | 30 ohms |
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