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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | S2kfl | 0,0817 | ![]() | 7416 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | Standard | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-s2kfltr | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1M150ZHR1G | - | ![]() | 7566 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1m150 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 114 V | 150 V | 1000 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1007G C0G | - | ![]() | 3018 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SFF1007 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 500 V | 10A (DC) | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA à 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c82phmqg | - | ![]() | 2321 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62 V | 82 V | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3jhr7g | - | ![]() | 3664 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S3J | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2045CT-Y | 0,6075 | ![]() | 4944 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS2045 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS2045CT-YTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 20A | 700 mV @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S12GC | 0,2349 | ![]() | 9108 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | S12g | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 78pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C39 A0G | - | ![]() | 9445 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 28 V | 39 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3F R7 | - | ![]() | 2598 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-ES3FR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548A | 0,0604 | ![]() | 4560 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | BC548 | 500 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BC548ATB | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F1T1G | - | ![]() | 6805 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | T-18, axial | Standard | TS-1 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-F1T1GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4756A | 0.1118 | ![]() | 6797 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4756 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA à 35,8 V | 47 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4739A | 0,0830 | ![]() | 3854 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AB, MELF | ZM4739 | 1 W | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-zm4739atr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20L100CTH | 1.1409 | ![]() | 8265 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | Mbr20 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBR20L100CTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 20A | 850 MV @ 20 A | 20 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M36ZHA0G | - | ![]() | 2618 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m36 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 500 na @ 27,4 V | 36 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C47 | 0,0357 | ![]() | 2724 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52C47STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 33 V | 47 V | 170 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzd27c39ph | 0 2933 | ![]() | 9062 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,13% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd27c39phtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF1604PT C0G | - | ![]() | 4538 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | SF1604 | Standard | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 85pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1mal | 0,4800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | Rs1m | Standard | Sma hachce | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 1 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1602GHC0G | - | ![]() | 2592 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SFF1602 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS10100CT-Y | 0,4091 | ![]() | 3991 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS10100 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS10100CT-YTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 10A | 950 MV @ 10 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4749A L0G | 0,0830 | ![]() | 4861 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AB, MELF | ZM4749 | 1 W | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 18,2 V | 24 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
SK32AHM2G | - | ![]() | 7726 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | SK32 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 mV @ 3 a | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSSE3U45 | 0,2700 | ![]() | 3988 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123H | TSSE3 | Schottky | SOD-123HE | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSSE3U45TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 470 MV @ 3 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TQM025NH04CR-V RLG | 3.3144 | ![]() | 5106 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PDFNU (4,9x5,75) | - | 1 (illimité) | 2 500 | Canal n | 40 V | 26A (TA), 100A (TC) | 7v, 10v | 2,5 mohm @ 50a, 10v | 3,6 V @ 250µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 5691 PF @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBL407G | 1.1736 | ![]() | 8743 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbl | KBL407 | Standard | Kbl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA à 1000 V | 4 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B18 | 0,0340 | ![]() | 3680 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B18STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 12,6 V | 18 V | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur310s r6g | - | ![]() | 1515 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-MUR310SR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 875 MV @ 3 A | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzy55c11 ryg | 0,0350 | ![]() | 2498 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 8,2 V | 11 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8GC R7 | - | ![]() | 6633 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-S8GCR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 48pf @ 4v, 1mhz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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