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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2M56ZH | 0.1667 | ![]() | 6555 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m56 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 500 | 500 na @ 42,6 V | 56 V | 55 ohms | ||||||||||||
![]() | MBRS1060CTHMNG | - | ![]() | 3120 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS1060 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 10A | 900 mV @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZX55C51 A0G | - | ![]() | 1887 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 38 V | 51 V | 125 ohms | |||||||||||
![]() | Héraf805G C0G | - | ![]() | 5355 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Héraf805 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | SF27G | - | ![]() | 2812 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Standard | DO-204AC (DO-15) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sf27gtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | BZS55B6V2 Rag | - | ![]() | 3042 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-bzs55b6v2ragtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohms | ||||||||||
![]() | SS24 R5G | 0,6000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | SS24 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 500 mV @ 2 A | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||
Bzd27c82phr3g | 0 2933 | ![]() | 5264 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62 V | 82 V | 200 ohms | ||||||||||||
![]() | Bzd17c43p | 0,2625 | ![]() | 6457 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,98% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd17c43ptr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45 ohms | |||||||||||
1SMA5940 | 0,0935 | ![]() | 2563 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA5940 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 500 na @ 32,7 V | 43 V | 53 ohms | |||||||||||||
Bzt52c6v2-g rhg | 0,0445 | ![]() | 2229 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohms | ||||||||||||
![]() | BZT52B75S RRG | - | ![]() | 3856 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 52,5 V | 75 V | 255 ohms | |||||||||||
![]() | 1N4757A R1G | - | ![]() | 3174 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4757 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 38,8 V | 51 V | 95 ohms | ||||||||||||
![]() | ARS5045HB0G | - | ![]() | 6295 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Support de surface | ARS | ARS5045 | Standard | ARS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 550 mV @ 50 A | 150 ns | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 50A | 2700pf @ 4v, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N5241B | 0,0271 | ![]() | 1404 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5241 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1n5241btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8,4 V | 11 V | 22 ohms | |||||||||||
HS1AL RQG | - | ![]() | 4505 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1A | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | ES3HBHM4G | - | ![]() | 6659 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | ES3H | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1,7 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA à 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | 1N4748A B0G | - | ![]() | 3910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4748 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 5 µA @ 16,7 V | 22 V | 23 ohms | ||||||||||||
![]() | 1N5392G B0G | - | ![]() | 6887 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5392 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | M3Z3V3C | 0,0294 | ![]() | 6033 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | M3Z3 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-M3Z3V3CTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 20 µA @ 1 V | 3,3 V | 85 ohms | ||||||||||||
![]() | 2M56ZHB0G | - | ![]() | 8957 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m56 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 500 na @ 42,6 V | 56 V | 55 ohms | ||||||||||||
Tapis hs1gl | - | ![]() | 6787 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1G | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
Esglwh | 0,0948 | ![]() | 2661 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | Esglw | Standard | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 800 mA | 35 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | MBR1645HC0G | - | ![]() | 4073 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | MBR1645 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
![]() | S4D R7 | - | ![]() | 3744 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-s4dr7tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 4 A | 1,5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
HS1FL MTG | - | ![]() | 4341 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1F | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
BZD17C75P RQG | - | ![]() | 8700 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 V | 75 V | 100 ohms | ||||||||||||
![]() | SRAS820 MNG | - | ![]() | 7376 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SRAS820 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 MV @ 8 A | 100 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | ||||||||||
![]() | Mur115 | 0.1092 | ![]() | 2134 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Mur115 | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 50 µA à 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | BZT52B51S RRG | - | ![]() | 7379 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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