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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | KBL405G | 2.0600 | ![]() | 256 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbl | KBL405 | Standard | Kbl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 600 V | 4 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79c75 | 0,0333 | ![]() | 9607 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx79c75tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 20 000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 52,5 V | 75 V | 255 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Esh2bah | 0.1755 | ![]() | 6708 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-ESH2BAHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 900 mV @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 25pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs3a | - | ![]() | 1352 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-RS3atr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TQM070NH04LCR RLG | 2.7600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TQM070 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 16A (TA), 54A (TC) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 27A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 34,5 NC @ 10 V | ± 16V | 2169 PF @ 25 V | - | 46.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
Tapis ss29l | - | ![]() | 3863 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS29 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt55b2v4 | 0,0544 | ![]() | 3882 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt55b2v4tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 V | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2J | 0,0851 | ![]() | 5473 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | S2J | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Srf1090h | - | ![]() | 9411 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Srf1090 | Schottky | ITO-220AB | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SRF1090H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 90 V | 10A (DC) | 900 mV @ 5 a | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
ES1LJ | 0,0948 | ![]() | 1345 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Es1l | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 18pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ESH1gm | 0,2618 | ![]() | 6559 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | Standard | Micro SMA | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-ESH1GMTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,5 V @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 3pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856B | 0,0334 | ![]() | 7408 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BC856BTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9 000 | 65 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzd17c11ph | 0,2790 | ![]() | 7799 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD17 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd17c11phtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 200 mA | 4 µA @ 8,2 V | 11 V | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS1ALH | 0,2378 | ![]() | 8577 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123 | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HS1ALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B27 | 0,0412 | ![]() | 2837 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52B | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B27TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 18,9 V | 27 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj39sg | 0,0305 | ![]() | 9923 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj39 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ39SGTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 30 V | 39.87 V | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSOD1F6HM RVG | - | ![]() | 2671 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | Tsod1 | Standard | Sod-123fl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 4pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C82P R3G | - | ![]() | 5391 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62 V | 82 V | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C16K | 0,0474 | ![]() | 3378 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52C16KTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 100 na @ 12 V | 16 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1dlh | 0.1815 | ![]() | 8919 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123 | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-RS1dlhtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmb5939hr5g | - | ![]() | 6210 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1pgsmb5939 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA à 29,7 V | 39 V | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR502H | - | ![]() | 1185 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Schottky | Do-201Dad | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SR502HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 mV @ 5 a | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK83C R6G | - | ![]() | 5543 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SK83CR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj3v3sa | 0,0305 | ![]() | 3407 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj3 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ3V3SATr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 20 µA @ 1 V | 3,3 V | 120 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmb5956h | 0.1798 | ![]() | 2493 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 µA @ 152 V | 200 V | 1200 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR805 | 0,3308 | ![]() | 7384 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Schottky | Do-201Dad | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SR805TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 8 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzs55c6v8 | 0,0340 | ![]() | 9166 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzs55c6v8tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 3 V | 6,8 V | 8 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSS43U | 0,0925 | ![]() | 7222 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 0603 (1608 MÉTrique) | TSS43 | Schottky | 0603 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSS43UTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 4 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 na @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 200m | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585B12 RSG | 0,0476 | ![]() | 6888 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | Bzx585b1 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 90 na @ 8 V | 12 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2560CT | 0,8505 | ![]() | 8749 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS2560 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS2560CTTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 25A | 900 mV @ 25 a | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
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