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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Bzt52b2v7 | 0,0412 | ![]() | 1573 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52B | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52b2v7tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 18 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4933G | - | ![]() | 9046 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-1N4933GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF67G B0G | - | ![]() | 7881 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SF67 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1,7 V @ 6 A | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS5G R7 | - | ![]() | 1016 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-HS5GR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79b24 | 0,0308 | ![]() | 7093 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx79b24tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 100 mA | 16,8 Ma @ 50 mV | 24 V | 70 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM6968SDCA RVG | 1.5300 | ![]() | 136 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TSM6968 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.04W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 6.5A (TA) | 22MOHM @ 6.5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 15nc @ 4,5 V | 950pf @ 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c18phrfg | - | ![]() | 1424 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,4% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 17,95 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1blh | 0,0705 | ![]() | 8287 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123 | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-S1BLHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79b68 | 0,0375 | ![]() | 6344 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx79b68tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 100 mA | 47,6 Ma @ 50 mV | 68 V | 240 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF2545CTH | 1 0053 | ![]() | 2027 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MBRF2545 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRF2545CTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 25A | 750 MV @ 25 A | 2 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c8v2phrvg | - | ![]() | 1491 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 8.2 V | 2 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
GBPC5008 T0G | - | ![]() | 4796 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, GBPC40 | GBPC5008 | Standard | GBPC40 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 50 a | Monophasé | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sr4050pthc0g | - | ![]() | 1087 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | SR4050 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 40a | 700 mV @ 20 A | 1 ma @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzv55b62 | 0,0357 | ![]() | 7992 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzv55b62tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 47 V | 62 V | 150 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ts6p07g | 1.6200 | ![]() | 9685 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Standard | TS-6P | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-TS6P07G | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 200 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA à 1000 V | 6 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Es1bfsh | 0,1131 | ![]() | 5391 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | Standard | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-ES1BFSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 18pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM13N50ACI C0G | - | ![]() | 2469 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220AB | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 13A (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1965 PF @ 25 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B51 L0G | 0,0357 | ![]() | 6949 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 38 V | 51 V | 125 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338-16-B0 A1 | - | ![]() | 2005 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92 | - | Atteindre non affecté | 1801-BC338-16-B0A1TB | OBSOLÈTE | 1 | 25 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRS1660 | 0 7722 | ![]() | 5845 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SRS1660 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SRS1660TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 16A | 700 mV @ 8 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4448W | 0,0279 | ![]() | 7189 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 1N4448 | Standard | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1n4448wstr | EAR99 | 8541.10.0080 | 9 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150m | 4pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF31G | - | ![]() | 4045 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sf31gtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C68P RQG | - | ![]() | 3909 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 V | 68 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB099CZ C0G | 12.9500 | ![]() | 9088 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 600 V | 38A (TC) | 10V | 99MOHM @ 11.3A, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 2587 pf @ 100 V | - | 298W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-25 A1G | - | ![]() | 3269 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC337 | 625 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 000 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF22GH | - | ![]() | 7929 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Standard | DO-204AC (DO-15) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sf22ghtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 40pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3C | - | ![]() | 4890 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-ES3CTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B12 A0G | - | ![]() | 6267 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 100 mA | 8 Ma @ 100 mV | 12 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM70NB1R4CP | 1.2804 | ![]() | 4373 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM70NB1R4CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 700 V | 3A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 1,2a, 10v | 4V @ 250µA | 7.4 NC @ 10 V | ± 30V | 317 PF @ 100 V | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m68zha0g | - | ![]() | 5338 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m68 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 500 na @ 51,7 V | 68 V | 75 ohms |
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