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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S1MHR3G | - | ![]() | 4334 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | S1mh | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1 A | 1,5 µs | 1 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | 1PGSMC5366 R6G | - | ![]() | 3415 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-1PGSMC5366R6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 500 na @ 29,7 V | 39 V | 14 ohms | |||||||||||
![]() | BZX55B20 | 0,0301 | ![]() | 4632 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx55b20tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 15 V | 20 V | 55 ohms | |||||||||||
![]() | GP1605 | - | ![]() | 4044 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | GP1605 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 16A | 1.1 V @ 8 A | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | S4D R7G | 0,5100 | ![]() | 314 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S4d | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 4 A | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SFAS801GHMNG | - | ![]() | 6901 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SFAS801 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | S10KC M6G | - | ![]() | 9256 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S10K | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 10 A | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Mur460h | 0 2907 | ![]() | 1326 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Mur460 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,28 V @ 4 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4v, 1MHz | |||||||||
![]() | BZT55B10 | 0,0385 | ![]() | 9686 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt55b10tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 7,5 V | 10 V | 15 ohms | ||||||||||||
![]() | Sraf1050hc0g | - | ![]() | 9559 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sraf1050 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 10 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | SS515ALH | 0,1596 | ![]() | 1713 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | SS515 | Schottky | Sma hachce | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SS515ALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 5 A | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 126pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5399GHB0G | - | ![]() | 7969 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5399 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1 V @ 1,5 A | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | MBRF760 C0G | - | ![]() | 8291 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF760 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 MV @ 7,5 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | ||||||||||
![]() | SF2006PT | 1.3421 | ![]() | 7996 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | SF2006 | Standard | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,5 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 175pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | F1T5GHA1G | - | ![]() | 9569 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | F1T5 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | SF62GHB0G | - | ![]() | 5292 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SF62 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 975 MV @ 6 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 100pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
SK23A R3G | - | ![]() | 2577 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | SK23 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV @ 2 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | Pu1blwh | 0,4000 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | Standard | SOD-123W | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 930 mV @ 1 a | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 19pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
BZD17C62P M2G | - | ![]() | 8773 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6 45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohms | ||||||||||||
![]() | BZT55C4V3 L0G | 0,0350 | ![]() | 6187 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzt55 | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 75 ohms | |||||||||||
![]() | BZX85C12 | 0,0645 | ![]() | 8547 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx85c12tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 na @ 9.1 V | 12 V | 9 ohms | |||||||||||
![]() | SFS1604G | 0,7560 | ![]() | 5746 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SFS1604 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
SS310L | 0,5200 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | Support de surface | DO-219AB | SS310 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | 1N4933G R0G | - | ![]() | 8268 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4933 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | BZS55C12 | 0,0340 | ![]() | 8055 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZS55C12TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 9.1 V | 12 V | 20 ohms | |||||||||||
![]() | SF43GH | - | ![]() | 8046 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sf43ghtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 100pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | BZS55C15 | 0,0343 | ![]() | 1206 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZS55C15TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 11 V | 15 V | 30 ohms | |||||||||||
![]() | SFF10L05GA | 0 4119 | ![]() | 2479 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SFF10L05 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SFF10L05GA | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 300 V | 5A | 1,3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
1SMA180ZH | 0 1245 | ![]() | 5422 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA180 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1 µA @ 136,8 V | 180 V | 1200 ohms | |||||||||||||
![]() | Héra802g C0G | - | ![]() | 7854 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | Héra802 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 65pf @ 4v, 1MHz |
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