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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des émettes de collection (max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | SRT115 A0G | - | ![]() | 6479 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | SRT115 | Schottky | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 900 mV @ 1 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSG65N110CE RVG | 15.8300 | ![]() | 9450 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | TSG65 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Es1dhr3g | - | ![]() | 8263 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | ES1D | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 16pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
SS24L RTG | - | ![]() | 2686 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS24 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 500 mV @ 2 A | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzs55c2v4 | 0,0340 | ![]() | 2444 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzs55c2v4tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 10 mA | 50 µA @ 1 V | 2,4 V | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C51 | 0,0350 | ![]() | 5402 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT55C51TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 38 V | 51 V | 125 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C4V7 A0G | - | ![]() | 6924 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 500 na @ 1 V | 4.7 V | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-25-B0 B1 | - | ![]() | 8882 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92 | - | Atteindre non affecté | 1801-BC337-25-B0B1 | OBSOLÈTE | 1 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzv55c4v3 | 0,0333 | ![]() | 7832 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55c | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzv55c4v3tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 75 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
Rsfklhmqg | - | ![]() | 6243 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | RSFKL | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sr1630pthc0g | - | ![]() | 8745 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | SR1630 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 16A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS15H45CT MNG | - | ![]() | 5510 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS15 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 15A | 800 mV @ 15 a | 30 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFA1004G C0G | - | ![]() | 1569 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | SFA1004 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 975 MV @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 70pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
S2AA M2G | - | ![]() | 4096 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | S2A | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,1 V @ 1,5 A | 1,5 µs | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
S15jlw | 0,0602 | ![]() | 5005 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | Standard | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-s15jlwtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1,5 A | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Es3a v6g | - | ![]() | 5960 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | ES3A | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR102G A0G | - | ![]() | 9773 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | FR102 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1635 C0G | - | ![]() | 3367 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | MBR1635 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 630 MV @ 16 A | 500 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Ss23lhmhg | - | ![]() | 1641 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS23 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV @ 2 A | 400 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Es2dvhr5g | - | ![]() | 5852 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | ES2D | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 900 mV @ 2 A | 20 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 25pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
SS115 | 0,0728 | ![]() | 1705 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | SS115 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 500 mV @ 1 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4007HR1G | - | ![]() | 3415 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | UF4007 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR1640HC0G | - | ![]() | 5930 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SR1640 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 16A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS310 R7G | - | ![]() | 9030 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SS310 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS32 V6G | - | ![]() | 7758 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Ss32 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4937GH | 0,0613 | ![]() | 4511 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4937 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4006GHR1G | - | ![]() | 4901 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4006 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4754A B0G | - | ![]() | 7889 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4754 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 5 µA à 29,7 V | 39 V | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmb5940h | 0.1798 | ![]() | 6514 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 µA @ 32,7 V | 43 V | 53 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TQM025NB04CR RLG | 6.0900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 8-PowerTDFN | TQM025 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfnu (5x6) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 24a (Ta), 157a (TC) | 7v, 10v | 2,5 mohm @ 24a, 10v | 3,8 V @ 250µA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 6670 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 136W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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