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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | AZ23C13 | 0,0786 | ![]() | 3833 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-AZ23C13TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 10 V | 13 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF45G | 0,2688 | ![]() | 1911 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SF45 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,3 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ESH3DFSH | 0,5100 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | Standard | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 42pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5953 R5G | - | ![]() | 4953 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1SMB5953 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 114 V | 150 V | 600 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
Tapis bzd17c62p | - | ![]() | 6828 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6 45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52c5v1 | 0,0504 | ![]() | 8140 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52c5v1str | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 1,8 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
TSC966CT B0G | - | ![]() | 9524 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 1 W | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 400 V | 300 mA | 1 µA | NPN | 1V @ 5mA, 50mA | 100 @ 1MA, 5V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
RSFAL MTG | - | ![]() | 3181 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | RSFAL | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
HS1DL RQG | - | ![]() | 3532 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1D | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
Ss215lhrvg | 0,3210 | ![]() | 3910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS215 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF3090CT C0G | - | ![]() | 1105 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MBRF3090 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 90 V | 30A | 940 MV @ 30 A | 200 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
S1mh | 0,4000 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | S1mh | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1 A | 1,5 µs | 1 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmb5934hr5g | - | ![]() | 4689 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1pgsmb5934 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 18,2 V | 24 V | 19 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C39 | 0,0350 | ![]() | 6713 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt55c39tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 28 V | 39 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM110NB04LDCR RLG | 1.0500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (TA), 48W (TC) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 40V | 10A (TA), 48A (TC) | 11MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 23nc @ 10v | 1269pf @ 20v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRA8100 C0G | - | ![]() | 5317 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | SRA8100 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 550 MV @ 8 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HERF1601G C0G | - | ![]() | 3254 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | HERF1601 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 16A | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF1060 C0G | - | ![]() | 4188 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF106 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx585b7v5 rkg | - | ![]() | 9155 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZX585B7 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 na @ 5 V | 7,5 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C100P MTG | - | ![]() | 5123 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c20phrhg | - | ![]() | 3408 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-16-B0 A1G | - | ![]() | 8294 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92 | télécharger | Atteindre non affecté | 1801-BC337-16-B0A1GTB | OBSOLÈTE | 1 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1M200Z | 0.1118 | ![]() | 9349 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1m200 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 152 V | 200 V | 1500 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC549A A1G | - | ![]() | 7750 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC549 | 500 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2D | 0.1207 | ![]() | 6513 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | HS2D | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tszu52c33 | 0,0669 | ![]() | 1542 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | 0603 (1608 MÉTrique) | Tszu52 | 150 MW | 0603 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSZU52C33TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 20 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 25 V | 33 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S4D M6G | - | ![]() | 4736 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S4d | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 4 A | 1,5 µs | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TQM070NB04CR RLG | 3.0100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 8-PowerTDFN | TQM070 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfnu (5x6) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 15A (TA), 75A (TC) | 7v, 10v | 7MOHM @ 15A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 3125 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SR005 R0G | - | ![]() | 2638 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR005 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV à 500 mA | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2C M4G | - | ![]() | 2121 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | ES2C | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 25pf @ 4V, 1MHz |
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