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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UGA8120 | - | ![]() | 3640 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Standard | À 220AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-UGA8120 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 2,8 V @ 8 A | 70 ns | 5 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | |||||||||
![]() | SK85CH6G | - | ![]() | 4297 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SK85 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 750 MV @ 8 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||
![]() | SS16LWH | 0,0696 | ![]() | 6912 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | SS16 | Schottky | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SS16LWHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 1 a | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | BZV55B56 L0G | 0,0357 | ![]() | 5674 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 42 V | 56 V | 135 ohms | |||||||||||
![]() | MBR1545CT | - | ![]() | 8809 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | MBR1545 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 15A | 840 MV @ 15 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BAS40 RFG | 0,3700 | ![]() | 210 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 na @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200m | 5pf @ 1v, 1mhz | |||||||||
SK29A M2G | - | ![]() | 2140 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | SK29 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||
Ss215lhr3g | - | ![]() | 9795 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS215 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | BZD17C12P | 0.1050 | ![]() | 1195 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZD17C12PTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9,1 V | 12 V | 7 ohms | |||||||||||
![]() | UF1J B0G | - | ![]() | 5526 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Uf1j | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
![]() | MBR20H200CTH | 0,8291 | ![]() | 4106 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | Mbr20 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBR20H200CTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 20A | 970 MV @ 20 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | MBR2560CTH | - | ![]() | 2177 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | MBR2560 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 25A | 750 MV @ 25 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZS55B4V7 Rag | - | ![]() | 2882 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-bzs55b4v7ragtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 500 na @ 1 V | 4.7 V | 70 ohms | ||||||||||
![]() | BZT52B24S RRG | - | ![]() | 4783 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | |||||||||||
SS25L MQG | - | ![]() | 3409 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS25 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 2 A | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | 1N4936GHA0G | - | ![]() | 9908 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4936 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
ES2JA R3G | 0 7700 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | ES2J | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||
![]() | 1N5223B A0G | - | ![]() | 1912 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5223 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2,7 V | 30 ohms | |||||||||||
![]() | Srt15ha1g | - | ![]() | 3891 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Abandonné à sic | Par le trou | T-18, axial | SRT15 | Schottky | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | MBRF30L45CT | - | ![]() | 8337 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MBRF30 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 30A | 740 MV @ 30 A | 400 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
1pgsma4751h | 0,1156 | ![]() | 8716 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1pgsma4751 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22,8 V | 30 V | 40 ohms | ||||||||||||
![]() | TSF40U100C | 1.7502 | ![]() | 9021 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSF40 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 20A | 610 MV @ 20 A | 500 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBRF5200 | - | ![]() | 7810 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Schottky | ITO-220AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-MBRF5200 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.02 V @ 5 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | Bzy55c36 ryg | - | ![]() | 1178 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 27 V | 36 V | 80 ohms | |||||||||||
![]() | 1N4751AHB0G | - | ![]() | 6933 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4751 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 5 µA @ 22,8 V | 30 V | 40 ohms | ||||||||||||
Bzd27c68p rhg | - | ![]() | 1219 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 V | 68 V | 80 ohms | ||||||||||||
![]() | MBR3090PT C0G | - | ![]() | 1521 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | MBR3090 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 90 V | 30A | 500 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
Ss115lhmhg | - | ![]() | 5686 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS115 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 900 mV @ 1 a | 50 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | Mtzj39sg r0g | 0,0305 | ![]() | 9186 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj39 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 30 V | 39.87 V | 85 ohms | ||||||||||||
BZD27C16P RFG | - | ![]() | 4072 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16.2 V | 15 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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