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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | KTC3198-O A1G | - | ![]() | 7951 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | KTC3198 | 500 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mV @ 10mA, 100mA | 70 @ 2MA, 6V | 80 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c22phrtg | - | ![]() | 8815 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16 V | 22.05 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52b3v3 | 0,0412 | ![]() | 5725 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52B | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52b3v3tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 4,5 µA @ 1 V | 3,3 V | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS35 V7G | 1 0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban de Coupé (CT) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Ss35 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C62 | 0,0305 | ![]() | 4587 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZX55C62TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 47 V | 62 V | 150 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5240B RHG | 0,0433 | ![]() | 7177 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | MMSZ5240 | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3d R6 | - | ![]() | 5975 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-s3dr6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1M110ZH | 0,1188 | ![]() | 1805 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1m110 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 83,6 V | 110 V | 450 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
Rs1mlsh | 0,0666 | ![]() | 8761 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123H | Standard | SOD-123HE | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-RS1MLSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 1,2 A | 300 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss25hr5g | - | ![]() | 9541 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | SS25 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 2 A | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5408GHB0G | - | ![]() | 3038 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | 1N5408 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1 V @ 3 A | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sk56ch | 0,2159 | ![]() | 8247 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3A R7 | - | ![]() | 4416 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-RS3ar7tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG58GHB0G | - | ![]() | 6806 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | UG58 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 5 A | 20 ns | 30 µA à 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||
1SMA130ZHR3G | - | ![]() | 3282 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA130 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1 µA @ 98,8 V | 130 V | 700 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HT17G A1G | - | ![]() | 9488 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Abandonné à sic | Par le trou | T-18, axial | HT17 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C68 A0G | - | ![]() | 4888 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 47,6 V | 68 V | 240 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
SS24L RFG | - | ![]() | 2423 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS24 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 500 mV @ 2 A | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF18GHA0G | - | ![]() | 1738 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SF18 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1007GA C0G | - | ![]() | 4480 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SFF1007 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 500 V | 10A (DC) | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA à 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TST10H120CW | 1.2930 | ![]() | 6716 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | Par le trou | À 220-3 | TST10 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 120 V | 790 MV @ 5 A | 100 µA à 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRT16 A0G | - | ![]() | 8279 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | SRT16 | Schottky | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
SK35A R3G | - | ![]() | 6639 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | SK35 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 720 MV @ 3 A | 200 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
Tsm160p04lcrhrlg | - | ![]() | 1572 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM160 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 40 V | 51A (TC) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 2712 PF @ 20 V | - | 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79c3v0 a0g | - | ![]() | 1879 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
Rs2gfs | 0 4600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | Rs2g | Standard | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 11pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
Bzy55b7v5 | 0,0413 | ![]() | 8273 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzy55b7v5tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 5 V | 7,5 V | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C15K RKG | 0,0474 | ![]() | 2965 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 100 na @ 11 V | 15 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
1pgsma4756hr3g | 0,4800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1pgsma4756 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 35,8 V | 47 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS23M RSG | 0,3900 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | SS23 | Schottky | Micro SMA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 600 mV @ 2 A | 150 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 35pf @ 4v, 1mhz |
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