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| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sra860hc0g | - | ![]() | 2306 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | SRA860 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 8 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzy55b3v3 ryg | - | ![]() | 3424 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 2 µA @ 1 V | 3,3 V | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAS890HMNG | - | ![]() | 8371 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SRAS890 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 950 MV @ 8 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| SS26L RTG | - | ![]() | 1065 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS26 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| RS1BL RQG | - | ![]() | 9687 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1b | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
| US1mh | 0.4400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | US1M | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tsm650p03cx | 0,2806 | ![]() | 2315 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM650 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-tsm650p03cxtr | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 000 | Canal p | 30 V | 4.1a (TC) | 2,5 V, 10V | 65MOHM @ 4A, 10V | 900 mV à 250 µA | 8 NC @ 4,5 V | ± 12V | 810 PF @ 15 V | - | 1 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| HS1JL RQG | - | ![]() | 8435 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1J | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZU52C12 RGG | 0,0669 | ![]() | 5529 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | 0603 (1608 MÉTrique) | Tszu52 | 150 MW | 0603 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 9 V | 12 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER1003G C0G | - | ![]() | 3019 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | HER1003 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 10A | 1 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
| SS25L RQG | - | ![]() | 3029 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS25 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 2 A | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF506GHC0G | - | ![]() | 5639 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF506 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 70pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
| ES1GL RHG | - | ![]() | 5094 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | ES1G | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M22ZHB0G | - | ![]() | 6689 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m22 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 500 na @ 16,7 V | 22 V | 12 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Bzd27c20pwh | 0,1191 | ![]() | 7482 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR107G R1G | - | ![]() | 9003 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | FR107 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSC873CT A3G | - | ![]() | 2910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 1 W | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | TSC873CTA3G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 400 V | 1 a | 1 mA | NPN | 1V @ 250mA, 1A | 80 @ 250mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG06B | 0,0953 | ![]() | 3907 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | T-18, axial | UG06 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 950 MV à 600 mA | 15 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 600mA | 9pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m11zh | 0.1667 | ![]() | 7563 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m11 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 500 | 1 µA @ 8,4 V | 11 V | 4 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Bzd17c51p rhg | - | ![]() | 9437 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ss19lhmqg | - | ![]() | 1816 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS19 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 800 mV @ 1 a | 50 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM10N80CI C0G | - | ![]() | 8795 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSM10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 800 V | 9.5A (TC) | 10V | 1 05 ohm @ 4,75a, 10v | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 2336 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4742G B0G | - | ![]() | 7686 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4742 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 27,4 V | 12 V | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4003G A0G | - | ![]() | 6539 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4003 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
| SS15L RHG | - | ![]() | 5145 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS15 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 1 a | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR4060PTH | - | ![]() | 9387 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 247-3 | MBR4060 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 40a | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3MB | 0.1368 | ![]() | 9532 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | HS3M | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10200CTH | - | ![]() | 6043 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | MBR1020 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 10A | 980 MV @ 10 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S15GC R7G | - | ![]() | 1915 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S15G | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 15 A | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 93pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1pgsma4741 | 0.1086 | ![]() | 5562 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1pgsma4741 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 8,4 V | 11 V | 8 ohms |

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