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| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZD17C120P RVG | 0,3540 | ![]() | 8910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 V | 120 V | 300 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | Sft11ghr0g | - | ![]() | 3366 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | T-18, axial | Sft11 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | F1T3GHA1G | - | ![]() | 3732 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | F1T3 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | TSM170N06CH | 0,9530 | ![]() | 9155 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM170 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM170N06CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 000 | Canal n | 60 V | 38A (TC) | 4,5 V, 10V | 17MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 15 NC @ 4,5 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | SFT15G A1G | - | ![]() | 6168 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Abandonné à sic | Par le trou | T-18, axial | Sft15 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | Es2aah | 0.1886 | ![]() | 3964 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-es2aahtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 25pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | ES3J R6G | - | ![]() | 8749 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-es3jr6gtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4753A R1G | - | ![]() | 5992 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4753 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 27,4 V | 36 V | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | Sr803hr0g | - | ![]() | 3447 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-201D, axial | SR803 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Srf1640hc0g | - | ![]() | 8888 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SRF1640 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 16A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||
| Ss215lhrtg | - | ![]() | 4158 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS215 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SRT15 A0G | - | ![]() | 4860 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | SRT15 | Schottky | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | RB520G-30 RLG | 0,0587 | ![]() | 4923 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-723 | RB520 | Schottky | SOD-723 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 450 mV @ 10 mA | 500 na @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 mA | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 1M120ZHB0G | - | ![]() | 4541 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1m120 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 5 µA @ 91,2 V | 120 V | 550 ohms | |||||||||||||||||||||||
| Bzd27c16phrvg | - | ![]() | 2258 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16.2 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5926 R5G | - | ![]() | 9256 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1smb5926 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 8,4 V | 11 V | 5,5 ohms | |||||||||||||||||||||||
| RSFJL RHG | - | ![]() | 2950 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rsfjl | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 500 mA | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
| Ss15lhmqg | - | ![]() | 7036 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS15 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 1 a | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52b6v8 | 0,0412 | ![]() | 3943 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52B | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52b6v8tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 1,8 µA @ 4 V | 6,8 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | Sr310ha0g | - | ![]() | 4652 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SR310 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
| SS36L M2G | - | ![]() | 6967 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Ss36 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52b3v3s rrg | - | ![]() | 8600 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 4,5 µA @ 1 V | 3,3 V | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||
| ES1AL RFG | - | ![]() | 2176 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | ES1A | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Bzx55b6v8 a0g | - | ![]() | 9988 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 3 V | 6,8 V | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSI10H120CW | - | ![]() | 3659 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | TSI10 | Schottky | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 120 V | 5A | 790 MV @ 5 A | 100 µA à 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | SFAF1603G C0G | - | ![]() | 7065 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF1603 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 975 MV @ 16 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 130pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | GP1004 | 0,4632 | ![]() | 9323 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | GP1004 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 10A | 1.1 V @ 5 A | 2 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
| BZD17C200P RVG | 0,5250 | ![]() | 2023 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 150 V | 200 V | 750 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSF30H150C | 1.3110 | ![]() | 3112 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSF30 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 15A | 900 mV @ 15 a | 150 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | F1T6GHA1G | - | ![]() | 6503 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | F1T6 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz |

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