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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | SFAF1603G C0G | - | ![]() | 7065 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF1603 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 975 MV @ 16 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 130pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | GP1004 | 0,4632 | ![]() | 9323 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | GP1004 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 10A | 1.1 V @ 5 A | 2 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
BZD17C200P RVG | 0,5250 | ![]() | 2023 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 150 V | 200 V | 750 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSF30H150C | 1.3110 | ![]() | 3112 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSF30 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 15A | 900 mV @ 15 a | 150 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | F1T6GHA1G | - | ![]() | 6503 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | F1T6 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS15150CT MNG | - | ![]() | 9556 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS15150 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 15A | 950 MV à 7,5 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Mbs4 | 0,5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-Beesop (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | Mbs4 | Standard | MBS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 400 V | 800 mA | Monophasé | 400 V | |||||||||||||||||||||||||
Ss310lhrqg | - | ![]() | 9604 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS310 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ssl33hm6g | - | ![]() | 7565 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SSL33 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 410 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UF1BHB0G | - | ![]() | 8025 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Uf1b | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj8v2sb r0g | 0,0308 | ![]() | 4943 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj8 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 500 na @ 5 V | 7.99 V | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSF20H100C-S | 1.0686 | ![]() | 8536 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSF20 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 790 MV @ 10 A | 150 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NC390CH C5G | 5.5100 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390mohm @ 3,8A, 10V | 5V @ 1MA | 21.4 NC @ 10 V | ± 20V | 818 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||
Ss16lw | 0 4700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | SS16 | Schottky | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 1 a | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BA157GHA0G | - | ![]() | 2954 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BA157 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5822HB0G | - | ![]() | 6249 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | 1N5822 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 525 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | 200pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF1001GHC0G | - | ![]() | 3727 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF1001 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 975 MV @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 170pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | HS5G R6G | - | ![]() | 2284 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-HS5GR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
Bzd17c16p rhg | - | ![]() | 4278 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5 625% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B3V0 L0G | 0,0385 | ![]() | 7253 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzt55 | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 4 µA @ 1 V | 3 V | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Tsm2nb60ch | 0,8512 | ![]() | 3314 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Tsm2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM2NB60CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 000 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 9.4 NC @ 10 V | ± 30V | 249 PF @ 25 V | - | 44W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | SF21G B0G | - | ![]() | 7525 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | SF21 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 40pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
BZD27C75P RFG | - | ![]() | 1554 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 V | 74,5 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
HS1GL RFG | - | ![]() | 1724 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1G | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HER3L06G | 0,2382 | ![]() | 8642 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-Her3l06gtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 54pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S2bh | - | ![]() | 1162 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Standard | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-S2BHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,15 V @ 2 A | 1,5 µs | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52b51-g | 0,0461 | ![]() | 6615 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52B | 410 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B51-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 900 mV @ 10 mA | 45 Na @ 35.7 V | 51 V | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FR206G B0G | - | ![]() | 3701 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | FR206 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Hs1ffl | 0,4100 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | HS1F | Standard | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 11pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C51 | 0,0786 | ![]() | 7280 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-AZ23C51TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 38 V | 51 V | 100 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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