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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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Rs1kh | 0,0712 | ![]() | 9832 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Rs1k | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
S1al MHG | - | ![]() | 4729 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | S1A | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF10100HC0G | - | ![]() | 7037 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF10100 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 MV @ 10 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | HS2DALH | 0 1242 | ![]() | 4511 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | Standard | Sma hachce | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HS2DALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 2 A | 50 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 32pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5397GH | 0,0760 | ![]() | 6763 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5397 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1 V @ 1,5 A | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | FR103G A0G | 0,4300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | FR103 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52b2v7 rhg | 0,0412 | ![]() | 8884 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52B | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 18 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||
TQM033NB04CR RLG | 4.7400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 8-PowerTDFN | TQM033 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfnu (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 21A (TA), 121A (TC) | 7v, 10v | 3,3MOHM @ 21A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 4917 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 107W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | Udzs5v6b rrg | - | ![]() | 3648 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | Udzs5 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 na @ 3 V | 5.6 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BA159GHB0G | - | ![]() | 5239 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BA159 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,2 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
US1J R3G | 0,5700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | US1J | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | HT13G A1G | - | ![]() | 6134 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Abandonné à sic | Par le trou | T-18, axial | HT13 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | B0520LW | 0,0878 | ![]() | 6206 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123 | B0520 | Schottky | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-b0520lwtr | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 14 V | 385 MV @ 500 mA | 250 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 170pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM5055DCR RLG | 2.6700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM5055 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.2W (TA), 30W (TC), 2,4W (TA), 69W (TC) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 10A (TA), 38A (TC), 20A (TA), 107A (TC) | 11.7MOHM @ 10A, 10V, 3,6MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 9.3nc @ 10v, 49nc @ 10v | 555pf @ 15v, 2550pf @ 15v | - | |||||||||||||||||||
![]() | Ss13mhrsg | 0,4100 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | SS13 | Schottky | Micro SMA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 520 mV @ 1 a | 5 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS20150CT | 0,7462 | ![]() | 8666 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS20150 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS20150CTTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 20A | 1,23 V @ 20 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C12S RRG | 0,3600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 90 na @ 8 V | 12 V | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20100HC0G | - | ![]() | 1929 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF20100 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 950 MV @ 20 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||
BZD27C200P RTG | - | ![]() | 5586 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 150 V | 200 V | 750 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C39 | 0,0350 | ![]() | 6713 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt55c39tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 28 V | 39 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1gf-t | 0.1037 | ![]() | 7986 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | Standard | Coquine | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-RS1GF-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR25100CT | - | ![]() | 5785 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | MBR25100 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 25A | 920 MV @ 25 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | SF2008G | - | ![]() | 6676 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | SF2008 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 10 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
S1dlhmqg | - | ![]() | 4553 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | S1D | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SRS2060 | 0,6949 | ![]() | 6058 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SRS2060 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SRS2060TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 20A | 700 mV @ 10 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C16 RFG | 0,0786 | ![]() | 2074 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 12 V | 16 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | HS3B M6G | - | ![]() | 3628 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | HS3B | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
BZD27C82P RVG | 0 2450 | ![]() | 7394 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62 V | 82 V | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||
Bzd27c100pw | 0.1638 | ![]() | 5230 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | LL4001G L0 | - | ![]() | 7248 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-213AB, MELF | LL4001 | Standard | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | LL4001GL0 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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