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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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BZD27C16P RVG | - | ![]() | 5507 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16.2 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5941 R3G | - | ![]() | 5997 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA5941 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 500 na @ 35,8 V | 47 V | 67 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B10S R9G | 0,2600 | ![]() | 2713 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 180 na @ 7 V | 10 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt55c4v7 | 0,0350 | ![]() | 1757 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt55c4v7tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 500 na @ 1 V | 4.7 V | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx55c9v1 a0g | - | ![]() | 3280 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 6,8 V | 9.1 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5354 R6G | - | ![]() | 4428 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-1PGSMC5354R6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 500 na @ 12,9 V | 17 V | 3 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B11 A0G | - | ![]() | 9863 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 100 mA | 8 Ma @ 100 mV | 11 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD5100H | 0,6600 | ![]() | 6856 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MBRAD5100 | Schottky | Thindpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 5 a | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 94pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548B B1 | - | ![]() | 9470 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92 | télécharger | Atteindre non affecté | 1801-BC548BB1 | OBSOLÈTE | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF505GHC0G | - | ![]() | 6081 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF505 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 70pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tsc966cw | 0,2336 | ![]() | 6690 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | TSC966 | 1 W | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSC966CWTR | EAR99 | 8541.29.0075 | 5 000 | 400 V | 300 mA | 1 µA | NPN | 500 mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 1MA, 5V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c150phrvg | - | ![]() | 5443 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 110 V | 147 V | 300 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF2004GH | 0,7677 | ![]() | 9882 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SFF2004 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SFF2004GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 20A | 975 MV @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C51 R0G | 0,0645 | ![]() | 4797 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 na @ 36 V | 51 V | 115 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M30Z A0G | - | ![]() | 4310 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m30 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 500 na @ 22,8 V | 30 V | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF7150 C0G | - | ![]() | 6637 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF7150 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1.02 V @ 7,5 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR802 R0G | - | ![]() | 5014 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-201D, axial | SR802 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1gfl | 0,0722 | ![]() | 1986 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | Standard | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-RS1gfltr | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 05 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c10phhg | - | ![]() | 8208 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 7 µA à 7,5 V | 10 V | 4 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tsm80n1r2ch | 2.5940 | ![]() | 5779 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM80N1R2CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 000 | Canal n | 800 V | 5.5A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2 75a, 10v | 4V @ 250µA | 19,4 NC @ 10 V | ± 30V | 685 PF @ 100 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SF28G B0G | - | ![]() | 5015 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | SF28 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF16150HC0G | - | ![]() | 8450 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF16150 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 16 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF1660H | - | ![]() | 9932 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Schottky | ITO-220AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-MBRF1660H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 MV @ 16 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT43 R0 | - | ![]() | 7797 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Schottky | Do-35 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BAT43R0 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200m | 7pf @ 1v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF790 C0G | - | ![]() | 7628 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF790 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 920 MV @ 7,5 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c43phhg | - | ![]() | 4432 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C30 | 0,0350 | ![]() | 8049 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Variante SOD-80 | 500 MW | QMMELF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt55c30tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 22 V | 30 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C120P RQG | - | ![]() | 3069 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 V | 120 V | 300 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52b33 rhg | 0,2700 | ![]() | 9140 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52B | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 23 V | 33 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj2v7sb r0g | 0,0305 | ![]() | 6806 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj2 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 µA @ 1 V | 2,8 V | 110 ohms |
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