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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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1SMA4757 R3G | - | ![]() | 8447 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA4757 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1 µA @ 38,8 V | 51 V | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | Udzs3v6b | 0,0416 | ![]() | 5442 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | Udzs3v6 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-udzs3v6btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 4,5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||
SS14L RFG | - | ![]() | 9231 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS14 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 mV @ 1 a | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||
Bzd27c91p m2g | - | ![]() | 8381 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 68 V | 90,5 V | 200 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | HER603G | 0 7703 | ![]() | 9750 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | R-6, axial | Standard | R-6 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-HER603GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 6 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||
![]() | BZX55B62 A0G | - | ![]() | 6592 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 47 V | 62 V | 150 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | SRA2020 C0G | - | ![]() | 5773 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sra2020 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 mV @ 20 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||
BZD27C91P RVG | - | ![]() | 2063 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 68 V | 90,5 V | 200 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | S4B R7G | - | ![]() | 8716 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S4b | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,15 V @ 4 A | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SR102 R0G | - | ![]() | 3866 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR102 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
![]() | BZV55B30 | 0,0357 | ![]() | 3993 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzv55b30tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 22 V | 30 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52c4v7 | 0,0412 | ![]() | 1673 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52C | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52c4v7tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 2,7 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | TSM3N90CH C5G | - | ![]() | 8127 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM3N90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 750 | Canal n | 900 V | 2.5a (TC) | 10V | 5.1OHM @ 1 25A, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 748 PF @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||
![]() | S1jf-t | 0,0890 | ![]() | 9436 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | Standard | Coquine | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-S1JF-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | SF13G A0G | - | ![]() | 5541 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SF13 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmb5936hr5g | - | ![]() | 5494 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1pgsmb5936 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 22,8 V | 30 V | 26 ohms | |||||||||||||||||||||
ES1CL RFG | - | ![]() | 6096 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | ES1C | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||
Rsfblhrhg | - | ![]() | 3448 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | RSFBL | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||
![]() | Mtzj2v7sa | 0,0305 | ![]() | 3277 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj2 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-mtzj2v7satr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 µA @ 1 V | 2,7 V | 110 ohms | |||||||||||||||||||||
SS1H15LS RVG | 0,5300 | ![]() | 161 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123H | SS1H15 | Schottky | SOD-123HE | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 850 mV @ 1 a | 1 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | M3Z22VC | 0,0294 | ![]() | 4872 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | M3Z22 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-M3Z22VCTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 100 na @ 17 V | 22 V | 55 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | SR1040H | 0,4932 | ![]() | 4188 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SR1040 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 mV @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84C2V7 RFG | 0,0511 | ![]() | 5210 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | Bzd27c51ph | 0 2933 | ![]() | 6263 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd27c51phtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | Hs1gal | 0,3800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | HS1G | Standard | Sma hachce | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 50 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c4v7 | 0,0511 | ![]() | 8051 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,38% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx84c4v7tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4753A B0G | - | ![]() | 4762 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4753 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 5 µA @ 27,4 V | 36 V | 50 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | Murf8l60 c0g | - | ![]() | 4708 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Murf8 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 8 A | 65 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||
SS310L MQG | - | ![]() | 5808 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS310 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | GPA804 C0G | - | ![]() | 2232 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | GPA804 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 50pf @ 4v, 1MHz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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