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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | BZX584B5V6 RSG | 0,0639 | ![]() | 3450 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 900 mV @ 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | BC546B A1 | - | ![]() | 7652 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92 | télécharger | Atteindre non affecté | 1801-BC546ba1tb | OBSOLÈTE | 4 000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||
Pu2dfsh | 0,5300 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | Standard | SOD-128 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 930 MV @ 2 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 32pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmb5932hr5g | - | ![]() | 9336 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1pgsmb5932 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 15,2 V | 20 V | 14 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | SF43GH | - | ![]() | 8046 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sf43ghtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 100pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||
![]() | BC548B A1 | - | ![]() | 2833 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92 | télécharger | Atteindre non affecté | 1801-BC548ba1tb | OBSOLÈTE | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||
Es1flhm2g | - | ![]() | 5167 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | ES1F | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||
![]() | 1smb5930 | 0.1453 | ![]() | 9837 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1smb5930 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 µA @ 12,2 V | 16 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | SRF2020 C0G | - | ![]() | 6545 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SRF2020 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 20A | 550 mV @ 10 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||
Bzd27c62phrfg | - | ![]() | 6856 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6 45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | HER1607G | - | ![]() | 9266 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | HER1607 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 800 V | 16A | 1,7 V @ 8 A | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF2535CT C0G | - | ![]() | 3112 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MBRF2535 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 25A | 820 MV @ 12,5 A | 2 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5238B A0G | - | ![]() | 5545 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5238 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6,5 V | 8.7 V | 8 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | TS20P02GHD2G | - | ![]() | 7924 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Ts20p02 | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA à 100 V | 20 a | Monophasé | 100 V | ||||||||||||||||||||
![]() | TSUP15M45SH S1G | 2.2800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | TSUP15 | Schottky | SMPC4.6U | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 600 mV @ 15 A | 350 µA à 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | 1803pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Sraf8100hc0g | - | ![]() | 4335 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SRAF8100 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA à 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||
![]() | SR210 | 0.1038 | ![]() | 1045 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | SR210 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||
![]() | HS5J M6 | - | ![]() | 3482 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-HS5JM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZX55C5V6 A0G | - | ![]() | 7331 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | Ss23mh | 0,3800 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | SS23 | Schottky | Micro SMA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 600 mV @ 2 A | 150 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 35pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||
![]() | Héraf1007G C0G | - | ![]() | 6770 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Héraf1007 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 10 A | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | Mur360s m6g | - | ![]() | 7543 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Mur360 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||
![]() | Mur440ha0g | - | ![]() | 4565 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Mur440 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,28 V @ 4 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZX85C16 R0G | 0,0645 | ![]() | 4101 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 na @ 12 V | 16 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B6V2 RSG | 0 4700 | ![]() | 98 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B13 L1G | - | ![]() | 5174 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 10 V | 13 V | 26 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | BAS85-L0 L0 | - | ![]() | 4965 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Schottky | Mini-MF | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BAS85-L0L0 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125 ° C (max) | 200m | 10pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52B16S RRG | - | ![]() | 5794 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 11,2 V | 16 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | Ss24mh | 0,4000 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | SS24 | Schottky | Micro SMA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 600 mV @ 2 A | 150 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 35pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||
![]() | SF2008PT | 1.3627 | ![]() | 8223 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | SF2008 | Standard | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 175pf @ 4v, 1mhz |
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