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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Courant - Hold (IH) (Max) | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | TSM042N03CS RLG | 1.8300 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TSM042 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 12A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 24 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B16 | 0,0301 | ![]() | 6438 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZX55B16TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 12 V | 16 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCR100-5 A1G | - | ![]() | 4907 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | MCR100 | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 4 000 | 5 mA | 300 V | 800 mA | 800 mV | 10a @ 60hz | 200 µA | 1,7 V | 10 µA | Porte sensible | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HT12G A1G | - | ![]() | 4504 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Abandonné à sic | Par le trou | T-18, axial | Ht12 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S12JC V7G | - | ![]() | 8148 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S12J | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 12 A | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 78pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF2001PTH | - | ![]() | 3380 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | SF2001 | Standard | À 247ad (to-3p) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sf2001pth | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 20A (DC) | 1.1 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4NB65CH C5G | 2.2300 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM4NB65 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 650 V | 4A (TC) | 10V | 3.37OHM @ 2A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 13.46 NC @ 10 V | ± 30V | 549 PF @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
Bzd27c30p rhg | - | ![]() | 8345 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM340N06CZ C0G | - | ![]() | 1736 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Tsm340n06czc0g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 34MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 16,6 NC @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 30 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3A V7G | - | ![]() | 6779 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | ES3A | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss14m | 0,0712 | ![]() | 8761 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | SS14 | Schottky | Micro SMA | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SS14MTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 mV @ 1 a | 50 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSSD10L60SW | 0,8453 | ![]() | 2985 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSSD10 | Schottky | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSSD10L60SWTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 660 mV @ 10 a | 50 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 1290pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES2DV R5G | - | ![]() | 4577 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | ES2D | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 900 mV @ 2 A | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 25pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B18 | 0,0639 | ![]() | 3038 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZX584B18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 104 000 | 100 na @ 12,6 V | 18 V | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT42 R0 | - | ![]() | 8002 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bat42 | Schottky | Do-35 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BAT42R0 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200m | 7pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER302G B0G | - | ![]() | 4844 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | HER302 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52c4v3s | 0,0504 | ![]() | 3629 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52C4V3STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 2,7 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF28GHB0G | - | ![]() | 1734 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | SF28 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM2314CX RFG | 0,5307 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2314 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 4.9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 33MOHM @ 4.9A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 11 NC @ 4,5 V | ± 12V | 900 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
Rs2dah | 0,0849 | ![]() | 6483 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Rs2d | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR305G B0G | - | ![]() | 8630 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | FR305 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
1pgsma4757hr3g | 0,4300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1pgsma4757 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 38,8 V | 51 V | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
S1alhmqg | - | ![]() | 3666 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | S1A | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF16GHB0G | - | ![]() | 1987 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SF16 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK19B M4G | - | ![]() | 9625 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | SK19 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA805HC0G | - | ![]() | 1972 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | GPA805 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
1SMA4739 R3G | - | ![]() | 6822 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA4739 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 5 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF802G C0G | - | ![]() | 2542 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF802 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 90pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1smb5934hr5g | - | ![]() | 6528 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1smb5934 | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 18,2 V | 24 V | 19 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx55c3v9 | 0,0287 | ![]() | 7801 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx55c3v9tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 2 µA @ 1 V | 3,9 V | 85 ohms |
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