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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | Bzt52c4v3s | 0,0504 | ![]() | 3629 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52C4V3STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 10 mA | 2,7 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | SF28GHB0G | - | ![]() | 1734 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | SF28 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | TSM2314CX RFG | 0,5307 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2314 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 4.9a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 33MOHM @ 4.9A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 11 NC @ 4,5 V | ± 12V | 900 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||
Rs2dah | 0,0849 | ![]() | 6483 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Rs2d | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FR305G B0G | - | ![]() | 8630 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | FR305 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
1pgsma4757hr3g | 0,4300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1pgsma4757 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 38,8 V | 51 V | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||
S1alhmqg | - | ![]() | 3666 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | S1A | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | SF16GHB0G | - | ![]() | 1987 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SF16 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | SK19B M4G | - | ![]() | 9625 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | SK19 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | GPA805HC0G | - | ![]() | 1972 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 | GPA805 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||
1SMA4739 R3G | - | ![]() | 6822 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA4739 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 5 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF802G C0G | - | ![]() | 2542 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF802 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 90pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | 1smb5934hr5g | - | ![]() | 6528 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1smb5934 | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 18,2 V | 24 V | 19 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx55c3v9 | 0,0287 | ![]() | 7801 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx55c3v9tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 2 µA @ 1 V | 3,9 V | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||
Rs1glhrvg | - | ![]() | 9234 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1g | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
BZD17C51P M2G | - | ![]() | 5874 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4740AHR1G | - | ![]() | 4928 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4740 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 9,1 V | 10 V | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||
Bzy55c3v6 | 0,0350 | ![]() | 3386 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZY55C3V6TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 2 µA @ 1 V | 3,6 V | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B27 RXG | - | ![]() | 6877 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 20 V | 27 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2M130ZHB0G | - | ![]() | 4436 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m130 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 500 na @ 98,8 V | 130 V | 400 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF30L120CTHC0G | - | ![]() | 7639 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MBRF30 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 120 V | 30A | 950 MV @ 30 A | 20 ma @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | Sr10100hc0g | - | ![]() | 4114 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SR10100 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 10A | 850 mV @ 5 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
RSFML RVG | 0,0616 | ![]() | 9669 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rsfml | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5400G A0G | - | ![]() | 1964 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | 1N5400 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 25pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | SSL33 R6 | - | ![]() | 2685 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SSL33R6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 410 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
Rs1blhm2g | - | ![]() | 8439 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1b | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52c2v4s | 0,0357 | ![]() | 4200 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52C2V4STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 45 µA @ 1 V | 2,4 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||
Ss26lhrvg | 0,1143 | ![]() | 4848 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS26 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||
BZD27C82P RQG | - | ![]() | 2957 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62 V | 82 V | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj13sb | 0,0305 | ![]() | 2006 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | MTZJ13 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ13SBTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 10 V | 12.88 V | 35 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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