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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | SFT11GH | - | ![]() | 8712 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | T-18, axial | Standard | TS-1 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sft11ghtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | SF68GHA0G | - | ![]() | 9145 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SF68 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 6 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||
Bzd27c82phrqg | - | ![]() | 5820 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 62 V | 82 V | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||
1SMA5943H | 0,0995 | ![]() | 1094 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA5943 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 500 na @ 42,6 V | 56 V | 86 ohms | ||||||||||||||||||||||||
Bzy55b9v1 | 0,0486 | ![]() | 9596 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzy55b9v1tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 6,8 V | 9.1 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF1090CT C0G | - | ![]() | 1705 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MBRF1090 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 90 V | 10A | 950 MV @ 10 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
1pgsma4761hr3g | 0,4300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1pgsma4761 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | SK56C R7 | - | ![]() | 8291 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sk56cr7tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2045CT-Y MNG | - | ![]() | 2673 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS2045 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 20A | 700 mV @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | Mur320sbhr5g | 1.2300 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | Mur320 | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 900 mV @ 3 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | HERF1006GH | 0,6155 | ![]() | 1092 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-Herf1006GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 10A | 1,7 V @ 5 A | 80 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
TSM150NB04CR RLG | 1.4800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | TSM150 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PDFN (5.2x5,75) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 10A (TA), 41A (TC) | 10V | 15MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1092 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 56W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | MBR15200CT-Y | 0,4632 | ![]() | 5112 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR15200 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBR15200CT-Y | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 15A | 1.05 V @ 15 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
Rs1kl mhg | - | ![]() | 8712 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1k | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | TQM130NB06CR RLG | 2.9100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 8-PowerTDFN | TQM130 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfnu (5x6) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 10A (TA), 50A (TC) | 7v, 10v | 13MOHM @ 10A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2234 PF @ 30 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | MBR25100CTHC0G | - | ![]() | 9753 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR25100 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 25A | 920 MV @ 25 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5248B | 0,0277 | ![]() | 2559 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5248 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1n5248btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | SR109 R0G | - | ![]() | 4994 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR109 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 mV @ 1 a | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 1T3G A0G | - | ![]() | 1276 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | 1T3G | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | RS3AHR7G | - | ![]() | 9610 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Rs3a | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TSSD20L150SW | 0,8805 | ![]() | 6521 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSSD20 | Schottky | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSSD20L150SWTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1.05 V @ 20 A | 20 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 920pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Bzd27c180ph | 0,3075 | ![]() | 3483 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6 41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzd27c180phtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 130 V | 179,5 V | 450 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF10L100CTHC0G | - | ![]() | 3641 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Mbrf10 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 10A | 850 MV @ 10 A | 20 mA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR10H150CTH | 0,6304 | ![]() | 1816 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR10 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBR10H150CTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 10A | 970 MV @ 10 A | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | SR206HB0G | - | ![]() | 6264 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | SR206 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 2 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | TSM60N380CI C0G | 1.1018 | ![]() | 2621 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 20,5 NC @ 10 V | ± 30V | 1040 PF @ 100 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | SRF16100 | - | ![]() | 4259 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SRF16100 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 16A | 550 MV @ 8 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | 1T5G A0G | - | ![]() | 9543 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | 1T5G | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | SR803 R0G | - | ![]() | 9397 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-201D, axial | SR803 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2008G C0G | - | ![]() | 6273 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF2008 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 150pf @ 4v, 1MHz |
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