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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Tszl52c4v3 rwg | - | ![]() | 1404 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | 1005 (2512 MÉTrique) | Tszl52 | 200 MW | 1005 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 000 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
SS26L MHG | - | ![]() | 1141 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS26 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B4V3 Rag | - | ![]() | 7245 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-bzs55b4v3ragtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C100P RTG | - | ![]() | 4876 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751G | 0,0627 | ![]() | 2447 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4751 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1n4751gtr | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 22,8 V | 30 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c13phrvg | - | ![]() | 5606 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6 41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA @ 10 V | 13.25 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C180P RQG | - | ![]() | 8441 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 130 V | 180 V | 450 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM080N03PQ56 | 0,5916 | ![]() | 3960 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM080 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM080N03PQ56TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 30 V | 14A (TA), 73A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 14A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 14.4 NC @ 10 V | ± 20V | 843 PF @ 15 V | - | 2.6W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur320s m6 | - | ![]() | 3660 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-MUR320SM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 875 MV @ 3 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS36 R6G | - | ![]() | 9442 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SS36R6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
GBL203 D2G | - | ![]() | 6323 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, gbl | GBL203 | Standard | Gbl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 200 V | 2 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS6P05G C2G | - | ![]() | 9053 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Ts6p05 | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 600 V | 6 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2545CTH | 0.9105 | ![]() | 5624 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS2545 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS2545CTHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 25A | 820 MV @ 25 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
Rs2dfsh | 0,0690 | ![]() | 1024 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | Standard | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-RS2DFSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 28 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 11pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3B R7G | - | ![]() | 4042 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S3b | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40 | 0,0435 | ![]() | 1172 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BC807-40tr | EAR99 | 8541.21.0075 | 6 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS40P06G C2G | - | ![]() | 7331 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Ts40p06 | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 800 V | 40 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B5V6 L1G | - | ![]() | 2769 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzt55 | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sbs25hreg | - | ![]() | 2477 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | SBS25 | Standard | Abs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 500 mV @ 2 A | 100 µA @ 50 V | 2 A | Monophasé | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52c47-g | 0,0424 | ![]() | 2882 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52C | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52C47-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 33 V | 47 V | 170 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m82zh | 0.1667 | ![]() | 2415 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m82 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 500 | 500 na @ 62.2 V | 82 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM035NB04LCZ | 1.6825 | ![]() | 7136 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TSM035 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM035NB04LCZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 40 V | 18A (TA), 157A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 18a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 111 NC @ 10 V | ± 20V | 6350 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 156W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS25 | - | ![]() | 3197 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SS25TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 2 A | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
DBLS156GH | 0,3192 | ![]() | 6934 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Dbls156 | Standard | Dbls | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA @ 800 V | 1,5 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UR3KB80 | 0,5154 | ![]() | 9270 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | UR3KB | Standard | D3k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 800 V | 3 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS40P07GH | 1.5366 | ![]() | 2340 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Ts40p07 | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA à 1000 V | 40 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KTC3198-Y-M0 A2G | - | ![]() | 5263 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92 | télécharger | Atteindre non affecté | 1801-ktc3198-y-m0a2gtb | OBSOLÈTE | 1 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mV @ 10mA, 100mA | 120 @ 150mA, 6V | 80 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM22P10CZ C0G | - | ![]() | 8487 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Tsm22p10czc0g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 100 V | 22A (TC) | 4,5 V, 10V | 140mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 25V | 2250 pf @ 30 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzs7v5b | 0,0354 | ![]() | 1588 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | Udzs7v5 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-udzs7v5btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 na @ 4 V | 7,5 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6 RFG | 0,0511 | ![]() | 4893 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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