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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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Rs1dlhrtg | - | ![]() | 3335 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1d | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5818 | 0,0682 | ![]() | 4150 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N5818 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 55pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2045CT MNG | - | ![]() | 5573 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS2045 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 20A | 840 MV @ 20 A | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | GP1006HC0G | - | ![]() | 3841 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | GP1006 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 800 V | 10A | 1.1 V @ 5 A | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM2N100CH C5G | - | ![]() | 1005 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM2N100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 1000 V | 1.85A (TC) | 10V | 8,5 ohm @ 900mA, 10V | 5,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 77W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | HS3FB R5G | 0,8400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | HS3F | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC5008 | 4.5670 | ![]() | 8542 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC50 | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, GBPC | GBPC5008 | Standard | GBPC | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-GBPC5008 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 50 a | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1090HMNG | - | ![]() | 1143 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS1090 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3d R7 | - | ![]() | 9416 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-es3dr7tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4741G R0G | 0,0627 | ![]() | 1270 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4741 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 16,7 V | 11 V | 23 ohms | ||||||||||||||||||||||||
BZD27C20P R3G | - | ![]() | 1602 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Sr30150pthc0g | - | ![]() | 6322 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | SR30150 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 30A | 1 V @ 15 A | 500 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj16sc | 0,0305 | ![]() | 5512 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj16 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ16SCTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 12 V | 16.1 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS85 L0 | - | ![]() | 8938 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Schottky | Mini-MF | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BAS85L0 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125 ° C (max) | 200m | 10pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM70N750CP ROG | 4.2900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 700 V | 6A (TC) | 10V | 750MOHM @ 1.8A, 10V | 4V @ 250µA | 10,7 NC @ 10 V | ± 30V | 555 PF @ 100 V | - | 62,5W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | BZX85C43 R0G | 0,0645 | ![]() | 6898 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 na @ 30 V | 43 V | 50 ohms | ||||||||||||||||||||||||
SK36A | 0,1053 | ![]() | 1999 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | SK36 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 720 MV @ 3 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SK34B R5G | 0,2316 | ![]() | 4402 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | SK34 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B33 | 0,0412 | ![]() | 1193 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Sod-123f | BZT52B | 500 MW | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzt52b33tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 23 V | 33 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TPMR10G S1G | 0,6845 | ![]() | 6371 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | TPMR10 | Standard | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,2 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 140pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
1SMA4743 | 0,0935 | ![]() | 2648 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA4743 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1 µA @ 9,9 V | 13 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sra1630hc0g | - | ![]() | 1709 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | SRA1630 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 MV @ 16 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 16A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | SF21G | - | ![]() | 9847 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Standard | DO-204AC (DO-15) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sf21gtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 40pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
SS16L MTG | - | ![]() | 3983 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS16 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 1 a | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SK85C R7G | - | ![]() | 7966 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SK85 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 750 MV @ 8 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4425CS RLG | - | ![]() | 4211 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Tsm4425csrlg | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 11a (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 11A, 10V | 3V à 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3680 PF @ 8 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79C33 A0G | - | ![]() | 9785 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 23,1 V | 33 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FR302G B0G | - | ![]() | 1909 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | FR302 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rs5m-T | 0 2496 | ![]() | 7300 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-RS5M-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 5 A | 500 ns | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 31pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
BZD27C220P RTG | - | ![]() | 3697 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 160 V | 220,5 V | 900 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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