SIC
close

Produits semi-conduurs discrètes (15635)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Vitre Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT)
1M200ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M200ZHB0G -
RFQ
 ECAD 8277 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 En gros Abandonné à sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1m200 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 1 000 5 µA @ 152 V 200 V 1500 ohms
1N4744A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4744A B0G -
RFQ
 ECAD 9844 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Abandonné à sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4744 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 1 000 5 µA @ 11,4 V 15 V 14 ohms
1N4746A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4746A B0G -
RFQ
 ECAD 1847 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Abandonné à sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4746 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 1 000 5 µA @ 13,7 V 18 V 35 ohms
SF42GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF42GHA0G -
RFQ
 ECAD 8523 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tape & Box (TB) Actif Par le trou DO-201D, axial SF42 Standard Do-201Dad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 1 V @ 4 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 100pf @ 4v, 1mhz
D2SB05 D2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB05 D2G -
RFQ
 ECAD 3109 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl D2SB05 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V 2 A Monophasé 50 V
D2SB20 D2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB20 D2G -
RFQ
 ECAD 2760 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl D2SB20 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 200 V 2 A Monophasé 200 V
D2SB20HD2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB20HD2G -
RFQ
 ECAD 3820 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl D2SB20 Standard Gbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 200 V 2 A Monophasé 200 V
DBL103GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl103ghc1g -
RFQ
 ECAD 7714 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl103 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 2 µA @ 200 V 1 a Monophasé 200 V
DBL104G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl104g 0 2250
RFQ
 ECAD 6811 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl104 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 2 µA @ 400 V 1 a Monophasé 400 V
DBL105GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL105GH 0,2394
RFQ
 ECAD 7244 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl105 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 2 µA @ 600 V 1 a Monophasé 600 V
DBL151G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL151G C1G -
RFQ
 ECAD 6882 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl151 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA @ 100 V 1,5 A Monophasé 50 V
DBL152G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL152G C1G -
RFQ
 ECAD 5770 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl152 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA @ 100 V 1,5 A Monophasé 100 V
DBL152GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl152ghc1g -
RFQ
 ECAD 4395 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl152 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA @ 100 V 1,5 A Monophasé 100 V
DBL157G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl157g 0,7000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl157 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA à 1000 V 1,5 A Monophasé 1 kv
DBL157GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL157GH 0,2874
RFQ
 ECAD 1026 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl157 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA à 1000 V 1,5 A Monophasé 1 kv
DBL158G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl158g 0,2700
RFQ
 ECAD 3825 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl158 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,25 V @ 1,5 A 2 µA à 1200 V 1,5 A Monophasé 1,2 kV
DBL159G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl159g 0,2700
RFQ
 ECAD 8301 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl159 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,25 V @ 1,5 A 2 µA @ 1400 V 1,5 A Monophasé 1,4 kV
DBL159GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL159GH 0,2874
RFQ
 ECAD 1604 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl159 Standard Dbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 1,25 V @ 1,5 A 2 µA @ 1400 V 1,5 A Monophasé 1,4 kV
SRAF1640HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Sraf1640hc0g -
RFQ
 ECAD 1572 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-2 EXCHET SRAF1640 Schottky ITO-220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 550 MV @ 16 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 16A -
SRAF520 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF520 C0G -
RFQ
 ECAD 4450 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-2 EXCHET SRAF520 Schottky ITO-220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 20 V 550 mV @ 5 a 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
TS10KL100 Taiwan Semiconductor Corporation Ts10kl100 0,5997
RFQ
 ECAD 9874 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbjl Ts10kl100 Standard Kbjl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 20 1 V @ 5 A 5 µA à 1000 V 10 a Monophasé 1 kv
TS10P01G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01G C2G -
RFQ
 ECAD 7118 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P Ts10p01 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 µA @ 50 V 10 a Monophasé 50 V
TS10P01GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01GHC2G -
RFQ
 ECAD 8478 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P Ts10p01 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 µA @ 50 V 10 a Monophasé 50 V
TS10P02GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P02GHC2G -
RFQ
 ECAD 3810 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P Ts10p02 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 µA à 100 V 10 a Monophasé 100 V
TS10P03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P03G D2G -
RFQ
 ECAD 2216 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P Ts10p03 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 µA @ 200 V 10 a Monophasé 200 V
TS10P05GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P05GHD2G -
RFQ
 ECAD 1182 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P Ts10p05 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 µA @ 600 V 10 a Monophasé 600 V
TS10P06GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P06GHD2G -
RFQ
 ECAD 7909 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P Ts10p06 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 µA à 1000 V 10 a Monophasé 800 V
TS10P07G Taiwan Semiconductor Corporation Ts10p07g 0,9495
RFQ
 ECAD 5059 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P TS10P07 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 µA à 1000 V 10 a Monophasé 1 kv
TS15P01G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G D2G -
RFQ
 ECAD 5678 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P TS15P01 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 50 V 15 A Monophasé 50 V
TS15P02GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P02GHD2G -
RFQ
 ECAD 6995 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P TS15P02 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA à 100 V 15 A Monophasé 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

Liste RFQ (0 éléments)
Liste des paniers (0 articles)
WishlistWishList (0 éléments)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

Comparez la liste (0 éléments)
Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer