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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | SR1640 | - | ![]() | 3699 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-3 | SR1640 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 16A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
SS215L RTG | - | ![]() | 9134 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS215 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4756A L0G | 0,0830 | ![]() | 1153 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AB, MELF | ZM4756 | 1 W | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA à 35,8 V | 47 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20100PTHC0G | - | ![]() | 4950 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | MBR20100 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 20A | 950 MV @ 20 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR315S R7G | - | ![]() | 7008 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Mur315 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 875 MV @ 3 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS4448 RWG | - | ![]() | 1182 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | Support de surface | 1005 (2512 MÉTrique) | Standard | 1005 | - | 1801-TS4448RWG | OBSOLÈTE | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 720 MV @ 100 mA | 9 ns | 100 na @ 80 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 125mA | 9pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM10NC65CF C0G | 3.3400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TSM10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 10A (TC) | 10V | 900MOHM @ 2A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 1650 pf @ 50 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF502G C0G | - | ![]() | 5422 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | SFF502 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 980 MV @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 70pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx55c4v3 a0g | - | ![]() | 9679 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 75 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF30100CTH | - | ![]() | 2572 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MBRF30100 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 30A | 940 MV @ 30 A | 200 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3MHR7G | - | ![]() | 7189 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S3m | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2005GHC0G | - | ![]() | 6131 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF2005 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,3 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 150pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3MBH | 0.1509 | ![]() | 6540 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HS3MBHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj30sa | 0,0305 | ![]() | 1337 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj30 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MTZJ30SATr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 23 V | 27,69 V | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906L-UA RF | - | ![]() | 7625 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | - | 1801-MMBT3906L-UARF | OBSOLÈTE | 1 | 40 V | 200 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Uf1glwh | 0,4100 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | UF1G | Standard | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,25 V @ 1 A | 20 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 25pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C27P M2G | - | ![]() | 8659 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M200Z A0G | - | ![]() | 9458 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m200 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 500 na @ 152 V | 200 V | 900 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA120ZH | 0,1156 | ![]() | 4410 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1pgsma120 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91,2 V | 120 V | 550 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sr005ha0g | - | ![]() | 4433 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR005 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV à 500 mA | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
SS25L RVG | 0,2625 | ![]() | 9356 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS25 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 2 A | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C62P RQG | - | ![]() | 9738 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6 45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C27 | 0,0786 | ![]() | 1768 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-AZ23C27TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 20 V | 27 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR157GH | 0,0848 | ![]() | 7150 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | FR157 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 1,5 A | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C22K | 0,0474 | ![]() | 2819 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52C22KTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 100 na @ 17 V | 22 V | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzs55b7v5 rxg | - | ![]() | 2994 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 5 V | 7,5 V | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3F M6 | - | ![]() | 8181 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-es3fm6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF750HC0G | - | ![]() | 1287 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF750 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 750 MV @ 7,5 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C12P M2G | - | ![]() | 9802 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9,1 V | 12 V | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hs5mh | 0 2928 | ![]() | 8543 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HS5MHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4v, 1MHz |
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