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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C |
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![]() | Ixtu02n50d | 1.9800 | ![]() | 385 | 0,00000000 | Ixys | Épuisement | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Ixtu02 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | Canal n | 500 V | 200mA (TC) | 10V | 30OHM @ 50mA, 0V | 5V @ 25µa | ± 20V | 120 pf @ 25 V | Mode d'Épuiment | 1.1W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixth20n50d | - | ![]() | 3018 | 0,00000000 | Ixys | Épuisement | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Ixth20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 (ixth) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 500 V | 20A (TC) | 10V | 330MOHM @ 10A, 10V | - | 125 NC @ 10 V | ± 30V | 2500 pf @ 25 V | Mode d'Épuiment | 400W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DSEP2X61-12A | 49.5000 | ![]() | 121 | 0,00000000 | Ixys | Hiperfred ™ | Tube | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Dsep2x61 | Standard | SOT-227B | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Dsep2x6112a | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 1200 V | 60A | 2 42 V @ 60 A | 40 ns | 1 ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH21N50F | - | ![]() | 7395 | 0,00000000 | Ixys | Hiperrf ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Ixfh21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 (ixfh) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 500 V | 21A (TC) | 10V | 250mohm @ 10.5a, 10v | 5,5 V @ 4mA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
Ixta72n20t | - | ![]() | 2524 | 0,00000000 | Ixys | Tranché | Tube | Abandonné à sic | - | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Ixta72 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263aa | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 72A (TC) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dma10p1200uz-trl | 2.7800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Ixys | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | DMA10 | Standard | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 238-DMA10P1200UZ-TLTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,55 V @ 10 A | 5 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 1pf @ 400v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dma10p1600uz-trl | 1.5276 | ![]() | 4453 | 0,00000000 | Ixys | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | DMA10 | Standard | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 238-DMA10P1600UZ-TLTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1,55 V @ 10 A | 5 µA à 1600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 1pf @ 400v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixtm5n100 | - | ![]() | 7228 | 0,00000000 | Ixys | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-204aa, to-3 | Ixtm5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-204aa (ixtm) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal n | 1000 V | 5A (TC) | 10V | 2,4 ohm @ 2,5a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGK82N120A3 | 27.8408 | ![]() | 3376 | 0,00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | Ixgk82 | Standard | 1250 W | À 264 (ixgk) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 80A, 2OHM, 15V | Pt | 1200 V | 260 A | 580 A | 2.05V @ 15V, 82A | 5,5mj (on), 12,5mj (off) | 340 NC | 34ns / 265ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HTZ240F16K | - | ![]() | 2122 | 0,00000000 | Ixys | Htz240f | Boîte | Actif | Soutenir de châssis | Module | HTZ240 | Standard | Module | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 16000 V | 1.7A | 10 V @ 2 A | 500 µA à 16800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixtp05n100p | - | ![]() | 4957 | 0,00000000 | Ixys | Polaire | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ixtp05 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1000 V | 500mA (TC) | 10V | 30OHM @ 250mA, 10V | 4V @ 50µA | 8.1 NC @ 10 V | ± 20V | 196 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGR40N120A2D1 | - | ![]() | 1024 | 0,00000000 | Ixys | - | Tube | Actif | - | Par le trou | À 247-3 | Ixgr40 | Standard | Isoplus247 ™ | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 1200 V | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MEA300-06DA | 78.9100 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Ixys | Fred | Boîte | Actif | Soutenir de châssis | Y4-M6 | MEA300 | Standard | Y4-M6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 600 V | 304a | 1,36 V @ 260 A | 300 ns | 12 Ma @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFR20N80Q | - | ![]() | 8414 | 0,00000000 | Ixys | - | Tube | Obsolète | Ixfr20 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 30 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK32N80Q3 | 28.9700 | ![]() | 446 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, CLASSE Q3 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | Ixfk32 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 264aa (ixfk) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | -IXFK32N80Q3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 800 V | 32A (TC) | 10V | 270MOHM @ 16A, 10V | 6,5 V @ 4mA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 6940 pf @ 25 V | - | 1000W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Ixtq100n25p | 12.0200 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Ixys | Polaire | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixtq100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 250 V | 100A (TC) | 10V | 24MOHM @ 50A, 10V | 5V @ 250µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 6300 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFT400N075T2 | 15.4733 | ![]() | 4068 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Trencht2 ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa | Ixft400 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 268aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 75 V | 400A (TC) | 10V | 2,3MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 420 NC @ 10 V | ± 20V | 24000 pf @ 25 V | - | 1000W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH60N65X2-4 | 13.1300 | ![]() | 213 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Ultra x2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | IXFH60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-4L | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 60a (TC) | 10V | 52MOHM @ 30A, 10V | 5V @ 4mA | 108 NC @ 10 V | ± 30V | 6300 pf @ 25 V | - | 780W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
Ixtv280n055ts | - | ![]() | 8184 | 0,00000000 | Ixys | TRENCHMV ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | Plus-220SMD | Ixtv280 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Plus-220SMD | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 280a (TC) | 10V | 3,2MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 9800 pf @ 25 V | - | 550W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFN130N90SK | 143.6650 | ![]() | 4172 | 0,00000000 | Ixys | - | Tube | Actif | - | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Ixfn130 | MOSFET (Oxyde Métallique) | - | SOT-227B | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 238-IXFN130N90SK | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Canaux N (double) | 900 V | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
DSSK60-015A | - | ![]() | 9688 | 0,00000000 | Ixys | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 247-3 | Dssk60 | Schottky | À 247ad | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 30A | 810 MV @ 30 A | 2 Ma @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGH20N120BD1 | - | ![]() | 2507 | 0,00000000 | Ixys | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IXGH20 | Standard | 190 W | À 247ad | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 1200 V | 40 A | 3,4 V @ 15V, 20A | 2.1mj (off) | 72 NC | 25ns / 150ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixfc30n60p | - | ![]() | 5918 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, PolarHT ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | ISOPLUS220 ™ | IXFC30N60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ISOPLUS220 ™ | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 15A (TC) | 10V | 250 mohm @ 15a, 10v | 5V @ 4mA | 85 NC @ 10 V | ± 30V | 3820 pf @ 25 V | - | 166W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixfk72n20 | - | ![]() | 6530 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | Ixfk72 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 264aa (ixfk) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 200 V | 72A (TC) | 10V | 35MOHM @ 36A, 10V | 4V @ 4mA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 5900 pf @ 25 V | - | 360W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTK21N100 | - | ![]() | 6832 | 0,00000000 | Ixys | Mégamos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | Ixtk21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 264 (ixtk) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 1000 V | 21A (TC) | 10V | 550mohm @ 500mA, 10v | 4,5 V @ 500µA | 250 NC @ 10 V | ± 20V | 8400 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MCC95-08I01B | 29.8275 | ![]() | 3174 | 0,00000000 | Ixys | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | À 240aa | MCC95 | Standard | À 240aa | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 800 V | 116a | 1,5 V @ 300 A | 5 ma @ 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGK120N60B3 | - | ![]() | 4398 | 0,00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | Ixgk120 | Standard | 780 W | À 264 (ixgk) | - | 238-IXGK120N60B3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V, 100A, 2OHM, 15V | 87 ns | Pt | 600 V | 280 A | 600 A | 1,8 V @ 15V, 100A | 2,9MJ (on), 3,5mj (off) | 465 NC | 40ns / 227ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixfn39n90 | 50.9820 | ![]() | 7425 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Ixfn39 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-227B | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Canal n | 900 V | 39a (TC) | 10V | 220mohm @ 500mA, 10V | 5V @ 8mA | 390 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 25 V | - | 694W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXST30N60BD1 | - | ![]() | 1419 | 0,00000000 | Ixys | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa | Ixst30 | Standard | 200 W | À 268aa | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 480v, 30a, 4,7 ohms, 15v | 50 ns | - | 600 V | 55 A | 110 A | 2,7 V @ 15V, 55A | 1,5 MJ (off) | 100 NC | 30ns / 150ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixtp182n055t | - | ![]() | 8383 | 0,00000000 | Ixys | TRENCHMV ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Ixtp182 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 182a (TC) | 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 4850 pf @ 25 V | - | 360W (TC) |
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