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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFH18N65X3	5.4460	RFQ	1038	Ixys	-	Tube	Actif				IXFH18							-				238-IXFH18N65X3			30
MUBW10-06A6	-	RFQ	5621	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E1	Mousser			45 W		Redredeur de pont en trois phases	E1	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE																															NPT	600 V	11 A		2,5 V @ 15V, 6A						20 µA	Oui	435 PF @ 25 V
Ixtm40n30	-	RFQ	1360	Ixys	Gigamos ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-204ae	Ixtm40		MOSFET (Oxyde Métallique)				To-204ae	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20			Canal n			300 V	40A (TC)	10V	88MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	± 20V	4600 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixtn240n075l2	56.2500	RFQ	23	Ixys	L2 ™ Lineaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixtn240		MOSFET (Oxyde Métallique)				SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10			Canal n			75 V	225A (TC)	10V	7MOHM @ 120A, 10V	4,5 V @ 3MA	546 NC @ 10 V	± 20V	19000 pf @ 25 V	-	735W (TC)
Dsep60-12ar	14.5900	RFQ	3658	Ixys	Hiperfred ™	Tube	Actif		Par le trou	Isoplus247 ™	Dsep60		Standard				ISOPLUS247 ™ (BR)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Dsep6012ar	EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																					1200 V		2,66 V @ 60 A	40 ns	650 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
IXGH20N60BU1	-	RFQ	5641	Ixys	Hiperfast ™	Tube	Obsolète	-	Par le trou	À 247-3	IXGH20	Standard		150 W			À 247ad	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					-																											-	600 V	40 A		2V @ 15V, 20A	-		-
DSEI12-12A	2.9800	RFQ	16	Ixys	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-2	Dsei12		Standard				À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																					1200 V		2,6 V @ 12 A	70 ns	250 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	11A	-
Ixfx64n60q3	24.7800	RFQ	17	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixfx64		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFX64N60Q3	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			600 V	64a (TC)	10V	95MOHM @ 32A, 10V	6,5 V @ 4mA	190 NC @ 10 V	± 30V	9930 pf @ 25 V	-	1250W (TC)
VUO85-12NO7	-	RFQ	3806	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Fo-ta	VUO85		Standard				Fo-ta	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	10																									1,6 V @ 150 A		500 µA à 1200 V		85 A											Triphasé	1,2 kV
Ixga42n30c3	-	RFQ	9863	Ixys	Genx3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixga42	Standard		223 W			À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50					200v, 21a, 10hm, 15v																											Pt	300 V		250 A	1,85 V @ 15V, 42A	120 µJ (ON), 150µJ (OFF)	76 NC	21NS / 113NS
Ixfn120n65x2	39.4900	RFQ	6	Ixys	HiperFet ™, Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn120		MOSFET (Oxyde Métallique)				SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10			Canal n			650 V	108a (TC)	10V	24MOHM @ 54A, 10V	5,5 V @ 8mA	225 NC @ 10 V	± 30V	15500 pf @ 25 V	-	890W (TC)
DSS2X101-02A	-	RFQ	2673	Ixys	-	Tube	Abandonné à sic		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Dss2		Schottky				SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Dss2x10102a	EAR99	8541.10.0080	10		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				2 indépendant	200 V	100A	940 MV @ 100 A		4 Ma @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VUO60-16NO3	-	RFQ	2279	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Fo-fb	VUO60		Standard				Fo-fb	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	10																									1,9 V @ 150 A		300 µA à 1600 V		72 A											Triphasé	1,6 kV
MCD40-12IO6	22.4740	RFQ	2458	Ixys	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	MCD40				Connexion de la Séririe - SCR / Diode			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				200 mA												1,2 kV	60 a	1,5 V	500A, 440A	100 mA	38 A										1 SCR, 1 Diode
MCA700-14IO1W	-	RFQ	9081	Ixys	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	WC-500	MCA700				Commune anode - tous les scr			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	1																1,4 kV	1331 A		18200 @ 50MHz		700 A										2 SCR
Ixtp24n65x2m	4.8900	RFQ	300	Ixys	Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Ixtp24		MOSFET (Oxyde Métallique)				Onglet isolé à 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTP24N65X2M	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			650 V	24a (TC)	10V	145MOHM @ 12A, 10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 30V	2060 pf @ 25 V	-	37W (TC)
Dsei2x31-06c	29.5500	RFQ	2	Ixys	-	Tube	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Dsei2x31		Standard				SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Dsei2x3106c	EAR99	8541.10.0080	10		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				2 indépendant	600 V	30A	1,6 V @ 30 A	50 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Dhg10c600pb	7.4800	RFQ	62	Ixys	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-3	Dhg10		Standard				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				1 paire la commune de cathode	600 V	5A	2.2 V @ 5 A	35 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
DSS2X111-008A	-	RFQ	7455	Ixys	-	Tube	Abandonné à sic		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Dss2		Schottky				SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Dss2x111008a	EAR99	8541.10.0080	10		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																				2 indépendant	80 V	110a	840 MV @ 100 A		8 ma @ 80 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Ixta36n30p	5.1400	RFQ	1	Ixys	Polarht ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta36		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			300 V	36a (TC)	10V	110MOHM @ 18A, 10V	5,5 V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 30V	2250 pf @ 25 V	-	300W (TC)
MCO740-22IO1	-	RFQ	7536	Ixys	-	Plateau	Obsolète	-	Soutenir de châssis	WC-800	MCO				Célibataire			-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	1																2,2 kV			-												1 SCR
Ixfn36n60	28.6230	RFQ	1734	Ixys	HiperFet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn36		MOSFET (Oxyde Métallique)				SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10			Canal n			600 V	36a (TC)	10V	180mohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 8mA	325 NC @ 10 V	± 20V	9000 pf @ 25 V	-	520W (TC)
MCMA110PD1200TB	34.5997	RFQ	7847	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	À 240aa	MCMA110				Connexion de la Séririe - SCR / Diode			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	36				200 mA												1,2 kV	170 A	1,5 V	1900a, 2050a	150 mA	110 A										1 SCR, 1 Diode
FCC21-12io	-	RFQ	8204	Ixys	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	I4-Pac ™ -5	FCC21				Connexion de la Série - Tous Les Scr			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	24				100 mA												1,2 kV		1,4 V	300a @ 50hz	55 mA	21 A										2 SCR
DS75-12B	-	RFQ	5825	Ixys	-	Boîte	Obsolète		Châssis, montage	DO-203AB, DO-5, Stud	DS75		Standard				Do-203AB	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	10		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																					1200 V		1.17 V @ 150 A		6 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 180 ° C	110a	-
IXFK64N60P3	14.5800	RFQ	5728	Ixys	HiperFet ™, Polar3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfk64		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 264aa (ixfk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			600 V	64a (TC)	10V	95MOHM @ 32A, 10V	5V @ 4mA	145 NC @ 10 V	± 30V	9900 PF @ 25 V	-	1130W (TC)
IXXH30N60B3D1	9.4500	RFQ	1	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixxh30	Standard		270 W			À 247ad (ixxh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 24A, 10 ohms, 15v																					25 ns						Pt	600 V	60 a	115 A	1,85 V @ 15V, 24A	550 µJ (ON), 500 µJ (OFF)	39 NC	23ns / 97ns
MUBW50-17T8	171.0620	RFQ	7482	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E3	Mubw50			290 W		Redredeur de pont en trois phases	E3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5	ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE																															Tranché	1700 V	74 A		2,4 V @ 15V, 50A						400 µA	Oui	4.4 NF @ 25 V
Vw2x30-14io1	-	RFQ	5427	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	VW2X30				Contrôleur 2 Phases - Tous les Scr			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				200 mA												1,4 kV	22 A	1,5 V	200A, 210A	100 mA	14 A										4 SCR
IXYK200N65B3	29.5132	RFQ	1459	Ixys	XPT ™, GenX3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	IXYK200	Standard		1560 W			À 264	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25					400V, 100A, 0OHM, 15V																					108 ns						-	650 V	410 A	1100 A	1,7 V @ 15V, 100A	5MJ (ON), 4MJ (OFF)	340 NC	60ns / 370ns