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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXYH50N120C3	11.6000	RFQ	1326	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixyh50	Standard		750 W			À 247 (ixyh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					600V, 50A, 5OHM, 15V																														-	1200 V	100 A	240 A	3,5 V @ 15V, 50A	3mj (on), 1mj (off)	142 NC	28NS / 133NS
Ixtp32n65x	5.8970	RFQ	1911	Ixys	Ultra x	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp32		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			650 V	32A (TC)	10V	135MOHM @ 16A, 10V	5,5 V @ 250µA	54 NC @ 10 V	± 30V	2205 PF @ 25 V	-	500W (TC)
HTZ280H24K	-	RFQ	3869	Ixys	HTZ280H	Boîte	Actif		Soutenir de châssis	Module	HTZ280		Standard				Module	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							Connexion de la Séririe 1 paire	24000 V	4.7a	23 V @ 12 A		500 µA à 24000 V
VBO78-18NO7	-	RFQ	7067	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Eco-Pac2	VBO78		Standard				Eco-Pac2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	25																												1,6 V @ 150 A		500 µA à 1800 V		78 A											Monophasé	1,8 kV
IXTC160N085T	-	RFQ	9900	Ixys	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	ISOPLUS220 ™	Ixtc160		MOSFET (Oxyde Métallique)				ISOPLUS220 ™	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			85 V	110a (TC)		-	-				-	-
IXFH12N80P	4.8902	RFQ	8777	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh12		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			800 V	12A (TC)	10V	850mohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 2,5mA	51 NC @ 10 V	± 30V	2800 pf @ 25 V	-	360W (TC)
N4165EE420	-	RFQ	6573	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-	Soutenir de châssis	À 200f	N4165						W108	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-N4165EE420	EAR99	8541.30.0080	6																4,2 kV			56000A @ 50hz			4165 A		Norme de rénovation
IXFY30N25X3	6.7000	RFQ	6	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ixfy30		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	70			Canal n			250 V	30a (TC)	10V	60 mohm @ 15a, 10v	4,5 V @ 500µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1450 pf @ 25 V	-	176W (TC)
Dssk38-0025bs-tub	-	RFQ	3355	Ixys	-	Tube	Abandonné à sic		-	-	DSSK38		-				-	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		-																							-		-				-55 ° C ~ 150 ° C
IXGR24N120C3D1	10.0634	RFQ	5691	Ixys	Genx3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixgr24	Standard		200 W			Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					600V, 20A, 5OHM, 15V																								220 ns						Pt	1200 V	48 A	96 A	4.2 V @ 15V, 20A	1 37MJ (ON), 470µJ (OFF)	79 NC	16NS / 93NS
Ixtp270n04t4	4.4300	RFQ	24	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp270		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			40 V	270A (TC)	10V	2,4 mohm @ 50a, 10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	± 15V	9140 PF @ 25 V	-	375W (TC)
Ixfa7n100p	6.4400	RFQ	6157	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IXFA7N100		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263aa (ixfa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFA7N100P	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1000 V	7a (TC)	10V	1,9 ohm @ 3,5a, 10v	6v @ 1MA	47 NC @ 10 V	± 30V	2590 pf @ 25 V	-	300W (TC)
MCD44-14IO8B	26.2961	RFQ	5822	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	À 240aa	MCD44				Connexion de la Séririe - SCR / Diode			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	36				200 mA												1,4 kV	80 A	1,5 V	1150a, 1230a	100 mA		51 A												1 SCR, 1 Diode
VHM40-06P1	-	RFQ	9598	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Eco-Pac2	VHM40		MOSFET (Oxyde Métallique)	-			Eco-Pac2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	2 Canaux N (double)					600 V	38a		70MOHM @ 25A, 10V	5,5 V @ 3MA	220nc @ 10v		-	-
Ixtp10n60pm	-	RFQ	3707	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp10		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			600 V	5A (TC)	10V	740MOHM @ 5A, 10V	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	± 30V	1610 PF @ 25 V	-	50W (TC)
Ixtn200n10t	40.5100	RFQ	4725	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixtn200		MOSFET (Oxyde Métallique)				SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10			Canal n			100 V	200A (TC)	10V	5,5 mohm @ 50a, 10v	4,5 V @ 250µA	152 NC @ 10 V	± 20V	9400 pf @ 25 V	-	550W (TC)
IXGH40N60C	-	RFQ	2764	Ixys	Hiperfast ™, LightSpeed ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXGH40	Standard		250 W			À 247ad	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					480v, 40a, 4,7 ohms, 15v																														-	600 V	75 A	150 a	2,5 V @ 15V, 40A	850 µJ (off)	116 NC	25ns / 100ns
Ixtp26p20p	7.0700	RFQ	10	Ixys	Polarp ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp26		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal p			200 V	26A (TC)	10V	170MOHM @ 13A, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V	2740 PF @ 25 V	-	300W (TC)
IXFH12N120	-	RFQ	3634	Ixys	HiperFet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh12		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			1200 V	12A (TC)	10V	1,4 ohm @ 500mA, 10V	5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	± 30V	3400 pf @ 25 V	-	500W (TC)
Dma10im1200uz-tub	1.3781	RFQ	6926	Ixys	-	Tube	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	DMA10		Standard				À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-DMA10IM1200UZ-TUB	EAR99	8541.10.0080	70		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																								1200 V		1,26 V @ 10 A		10 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	4pf @ 400v, 1MHz
IXGP20N120BD1	-	RFQ	8038	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixgp20	Standard		190 W			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50					960V, 20A, 10OHM, 15V																								40 ns						-	1200 V	40 A	100 A	3,4 V @ 15V, 20A	2.1mj (off)	72 NC	25ns / 150ns
IXYH24N90C3	6.4928	RFQ	3780	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXYH24	Standard		240 W			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					450v, 24a, 10 ohms, 15v																														-	900 V	46 A	110 A	2,7 V @ 15V, 24A	1,35 MJ (ON), 400 µJ (OFF)	40 NC	20ns / 73ns
Ixfx26n100p	32.5303	RFQ	5483	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixfx26		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			1000 V	26A (TC)	10V	390MOHM @ 13A, 10V	6,5 V @ 1MA	197 NC @ 10 V	± 30V	11900 pf @ 25 V	-	780W (TC)
N2600MC160	244.1400	RFQ	4	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C	De serrer	À 200ac, k-puk	N2600						W70	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-N2600MC160	EAR99	8541.30.0080	6				1 a												1,6 kV	5200 A	3 V	33000A @ 50hz	300 mA	2 V	2600 A	100 mA	Norme de rénovation
IXGR60N60B2	-	RFQ	2682	Ixys	Hiperfast ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixgr60	Standard		250 W			Isoplus247 ™	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 50A, 3,3 ohms, 15v																														Pt	600 V	75 A	300 A	2V @ 15V, 50A	1mj (off)	170 NC	28ns / 160ns
Ixtq52n30p	6.9900	RFQ	9803	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq52		MOSFET (Oxyde Métallique)				To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			300 V	52A (TC)	10V	66MOHM @ 26A, 10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3490 pf @ 25 V	-	400W (TC)
IXTQ152N085T	-	RFQ	5141	Ixys	TRENCHMV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq152		MOSFET (Oxyde Métallique)				To-3p	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			85 V	152a (TC)	10V	7MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	± 20V	5500 pf @ 25 V	-	360W (TC)
MWI35-12A7T	-	RFQ	8916	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E2	MWI35			280 W		Standard	E2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	6	Onduleur Triphasé																																		NPT	1200 V	62 A		2,8 V @ 15V, 35A						2 mA	Oui	2 nf @ 25 V
MMIX1T550N055T2	50.7100	RFQ	20	Ixys	FRFET®, Supremos®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	24 Powersmd, 21 pistes	MMIX1T550		MOSFET (Oxyde Métallique)				24-SMPD	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	20			Canal n			55 V	550A (TC)	10V	1,3MOHM @ 100A, 10V	3,8 V @ 250µA	595 NC @ 10 V	± 20V	40000 pf @ 25 V	-	830W (TC)
Ixty1r6n50p	-	RFQ	6764	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ixty1		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 252aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	70			Canal n			500 V	1.6A (TC)	10V	6,5 ohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 25µa	3,9 NC @ 10 V	± 30V	140 pf @ 25 V	-	43W (TC)