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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
N1467nc200	-	RFQ	9541	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C	De serrer	À 200ac, k-puk	N1467						W11	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-N1467NC200	EAR99	8541.30.0080	6				1 a												2 kv	2912 A	3 V	23.6a @ 50hz	300 mA	1,69 V	1467 A	100 mA	Norme de rénovation
DSS2-60AT2	-	RFQ	7409	Ixys	-	En gros	Actif		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	Dss2		Schottky				To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								60 V					-40 ° C ~ 175 ° C	2A	-
Mixg240rf1200pted	62.8661	RFQ	8999	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E2	Mixg240			1250 W		Standard	E2	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-mixg240rf1200pted	EAR99	8541.29.0095	28	Hélicoptère																																		Pt	1200 V	335 A		2V @ 15V, 200A						200 µA	Oui
Vid75-12p1	-	RFQ	8509	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Eco-Pac2	Vid			379 W		Standard	Eco-Pac2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	Célibataire																																		NPT	1200 V	92 A		3.2v @ 15v, 75a						3,7 Ma	Oui	3,3 nf @ 25 V
Ixfv14n80ps	-	RFQ	6503	Ixys	HiperFet ™, PolarHT ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Plus-220SMD	Ixfv14		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus-220SMD	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			800 V	14A (TC)	10V	720mohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 4mA	61 NC @ 10 V	± 30V	3900 pf @ 25 V	-	400W (TC)
IXYH50N65C3H1	13.2400	RFQ	269	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixyh50	Standard		600 W			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 36A, 5hm, 15v																								120 ns						Pt	650 V	130 A	250 A	2.1V @ 15V, 36A	1,3MJ (ON), 370µJ (OFF)	80 NC	22ns / 80ns
Ixft26n50q tr	-	RFQ	3509	Ixys	HiperFet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft26		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 268 (ixft)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n			500 V	26A (TC)	10V	200 mohm @ 13a, 10v	4,5 V @ 4mA	95 NC @ 10 V	± 20V	3900 pf @ 25 V	-	300W (TC)
N1159nc380	-	RFQ	3836	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C	De serrer	À 200ac, k-puk	N1159						W11	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-N1159NC380	EAR99	8541.30.0080	6				1 a												3,8 kV	2268 A	3 V	16100A @ 50hz	300 mA	3,08 V	1159 A	100 mA	Norme de rénovation
VHF36-12IO5	-	RFQ	6561	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	X118	VHF36				Bridge, monophasé - SCR / Diodes (Disposition 1)			-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				100 mA												1,2 kV		1 V	320A, 350A	65 Ma		36 A												2 SCR, 2 diodes
IXFE36N100	-	RFQ	2652	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfe36		MOSFET (Oxyde Métallique)				SOT-227B	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10			Canal n			1000 V	33A (TC)	10V	240mohm @ 18a, 10v	5,5 V @ 8mA	455 NC @ 10 V	± 20V	15000 pf @ 25 V	-	580W (TC)
IXGR120N60C2	-	RFQ	9004	Ixys	Hiperfast ™, Lightspeed 2 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixgr120	Standard		300 W			Isoplus247 ™	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 80A, 1OHM, 15V																														Pt	600 V	75 A	500 A	2,7 V @ 15V, 100A	1,7mj (on), 1mj (off)	370 NC	40ns / 120ns
Dsei2x31-10p	-	RFQ	8326	Ixys	-	Boîte	Obsolète		Soutenir de châssis	Eco-Pac1	Dsei2x		Standard				Eco-Pac1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	25		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							2 indépendant	1000 V	30A	2,4 V @ 30 A	50 ns	750 µA à 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C
IXFK90N60X	18.6260	RFQ	5793	Ixys	Hiperfet ™, Ultra x	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfk90		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 264aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			600 V	90a (TC)	10V	38MOHM @ 45A, 10V	4,5 V @ 8mA	210 NC @ 10 V	± 30V	8500 pf @ 25 V	-	1100W (TC)
IXGH12N60BD1	-	RFQ	7280	Ixys	Hiperfast ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXGH12	Standard		100 W			À 247ad	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					480V, 12A, 18OHM, 15V																								35 ns						-	600 V	24 A	48 A	2.1V @ 15V, 12A	500 µJ (off)	32 NC	20ns / 150ns
Ixtv250n075t	-	RFQ	4568	Ixys	TRENCHMV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3, Court de l'onglet	Ixtv250		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus220	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			75 V	250a (TC)	10V	4MOHM @ 50A, 10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	± 20V	9900 PF @ 25 V	-	550W (TC)
DSEC16-02A	-	RFQ	1489	Ixys	Hiperfred ™	Tube	Obsolète		Par le trou	À 220-3	DSEC16		Standard				À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	300		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	200 V	8a	1,3 V @ 8 A	25 ns	50 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Dsp25-12at-trl	4.9263	RFQ	4500	Ixys	DSP25-12AT	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Dsp25		Standard				À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-DSP25-12AT-TRLTR	EAR99	8541.10.0080	400		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							Connexion de la Séririe 1 paire	1200 V	25A	1,23 V @ 25 A		40 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VBO25-16AO2	36.6200	RFQ	1784	Ixys	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 carrés, fo-a	Vbo25		Avalanche				Fo-a	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Q2602191	EAR99	8541.10.0080	10																												1,36 V @ 55 A		300 µA à 1600 V		38 A											Monophasé	1,6 kV
IXGH40N120C3	10.6950	RFQ	5761	Ixys	Genx3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXGH40	Standard		380 W			À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					600V, 30A, 3OHM, 15V																														Pt	1200 V	75 A	200 A	4.4 V @ 15V, 30A	1,8MJ (ON), 550µJ (OFF)	142 NC	17NS / 130NS
IXDP20N60B	-	RFQ	2490	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixdp20	Standard		140 W			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50					300 V, 20A, 22OHM, 15V																														NPT	600 V	32 A	40 A	2.8V @ 15V, 20A	900 µJ (ON), 400 µJ (OFF)	70 NC	-
Ixta52p10p-trl	6.8800	RFQ	4	Ixys	Polarp ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta52		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263 (d2pak)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXTA52P10P-TLTR	EAR99	8541.29.0095	800			Canal p			100 V	52A (TC)	10V	50MOHM @ 26A, 10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 20V	2845 PF @ 25 V	-	300W (TC)
Ixty08n50d2	2.4900	RFQ	5253	Ixys	Épuisement	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ixty08		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	70			Canal n			500 V	800mA (TC)	-	4,6 ohm @ 400mA, 0v	-	12.7 NC @ 5 V	± 20V	312 PF @ 25 V	Mode d'Épuiment	60W (TC)
IXYK120N120B3	30.9676	RFQ	8704	Ixys	XPT ™, GenX3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixyk120	Standard		1500 W			À 264 (ixyk)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYK120N120B3	EAR99	8541.29.0095	25					960V, 100A, 1OHM, 15V																								54 ns						Pt	1200 V	320 A	800 A	2.2 V @ 15V, 100A	9.7MJ (ON), 21,5MJ (off)	400 NC	30ns / 340ns
IXFJ32N50Q	-	RFQ	8682	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3, Court de l'onglet	Ixfj32		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 268	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			500 V	32A (TC)	10V	150 mohm @ 16a, 10v	4V @ 4mA	153 NC @ 10 V	± 20V	3950 pf @ 25 V	-	360W (TC)
Ixtu01n100d	-	RFQ	7643	Ixys	Épuisement	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Ixtu01		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 251aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	70			Canal n			1000 V	400mA (TC)	0v	80ohm @ 50mA, 0v	4,5 V @ 25µa	5,8 NC @ 5 V	± 20V	100 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	1.1W (TA), 25W (TC)
Ixtp64n055t	-	RFQ	5652	Ixys	TRENCHMV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp64		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			55 V	64a (TC)	10V	13MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 25µa	37 NC @ 10 V	± 20V	1420 pf @ 25 V	-	130W (TC)
Ixtx600n04t2	20.9960	RFQ	5255	Ixys	Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixtx600		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			40 V	600A (TC)	10V	1,5 mohm @ 100a, 10v	3,5 V @ 250µA	590 NC @ 10 V	± 20V	40000 pf @ 25 V	-	1250W (TC)
Ixtt4n150hv	39.8300	RFQ	20	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixtt4		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-IXTT4N150HV	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			1500 V	4A (TC)	10V	6OHM @ 500mA, 10V	5V @ 250µA	44,5 NC @ 10 V	± 30V	1576 pf @ 25 V	-	280W (TC)
DSSK80-006B	-	RFQ	2561	Ixys	-	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 247-3	Dssk80		Schottky				À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Dssk80006b	EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	60 V	40a	550 mV @ 40 A		20 mA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
DSA80C100PB	-	RFQ	1089	Ixys	-	Tube	Abandonné à sic		Par le trou	À 220-3	DSA80C100		Schottky				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	100 V	40a	910 MV @ 40 A		700 µA à 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C