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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
CME30E1600pz-tub	4.7564	RFQ	4006	Ixys	CME30E1600PZ	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	CME30						À 263HV	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-CME30E1600pz-tub	EAR99	8541.30.0080	50				90 mA												1,6 kV	35 A	1,3 V	260a, 280a	50 mA	1,92 V	30 A		Norme de rénovation
IXYH120N65B3	20.6163	RFQ	4631	Ixys	XPT ™, GenX3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXYH120	Standard		1360 W			À 247 (ixyh)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYH120N65B3	EAR99	8541.29.0095	30					400V, 50A, 2OHM, 15V																						28 ns						Pt	650 V	340 A	760 A	1,9 V @ 15V, 100A	1,34MJ (ON), 1,5MJ (OFF)	250 NC	30ns / 168ns
A1237nc240	-	RFQ	5928	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C	De serrer	À 200ac, k-puk	A1237						W11	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-A1237NC240	EAR99	8541.30.0080	6				1 a												2,4 kV	2555 A	3 V	18000A @ 50hz	400 mA	2,7 V	1237 A	60 mA	Norme de rénovation
IXGH50N120C3	17.2000	RFQ	12	Ixys	Genx3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXGH50	Standard		460 W			À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					600V, 40A, 2OHM, 15V																												Pt	1200 V	75 A	250 A	4.2 V @ 15V, 40A	2,2MJ (ON), 630 µJ (OFF)	196 NC	20ns / 123ns
Dcg17p1200hr	-	RFQ	4543	Ixys	-	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	Dcg17		Sic (Carbure de Silicium) Schottky				ISO247	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-DCG17P1200HR	EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1200 V	1,8 V @ 20 A		200 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	18a	1500pf @ 0v, 1mhz
DSS2-60AT2	-	RFQ	7409	Ixys	-	En gros	Actif		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	Dss2		Schottky				To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							60 V				-40 ° C ~ 175 ° C	2A	-
Mixg240rf1200pted	62.8661	RFQ	8999	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E2	Mixg240			1250 W		Standard	E2	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-mixg240rf1200pted	EAR99	8541.29.0095	28	Hélicoptère																																Pt	1200 V	335 A		2V @ 15V, 200A				200 µA	Oui
N1467nc200	-	RFQ	9541	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C	De serrer	À 200ac, k-puk	N1467						W11	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-N1467NC200	EAR99	8541.30.0080	6				1 a												2 kv	2912 A	3 V	23.6a @ 50hz	300 mA	1,69 V	1467 A	100 mA	Norme de rénovation
IXTH3N150	13.5200	RFQ	3048	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth3		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			1500 V	3A (TC)	10V	7,3 ohm @ 1,5a, 10v	5V @ 250µA	38,6 NC @ 10 V	± 30V	1375 PF @ 25 V	-	250W (TC)
GMM3X60-015X2-SMDSAM	-	RFQ	9672	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	Isoplus-Dil ™	Gmm3x60		MOSFET (Oxyde Métallique)	-			Isoplus-Dil ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)					150V	50A		24MOHM @ 38A, 10V	4,5 V @ 1MA	97nc @ 10v		5800pf @ 25v	-
Vid75-12p1	-	RFQ	8509	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Eco-Pac2	Vid			379 W		Standard	Eco-Pac2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	Célibataire																																NPT	1200 V	92 A		3.2v @ 15v, 75a				3,7 Ma	Oui	3,3 nf @ 25 V
Ixtp3n100d2	3.8900	RFQ	6830	Ixys	Épuisement	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp3		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1000 V	3A (TC)	-	5,5 ohm @ 1,5a, 0v	-	37,5 NC @ 5 V	± 20V	1020 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	125W (TC)
MCMA25P1600TA	24.6936	RFQ	8054	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	À 240aa	MCMA25				Connexion de la Série - Tous Les Scr			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	36				100 mA												1,6 kV	40 A	1,5 V	400A, 430A	55 mA		25 A										2 SCR
IXBT6N170	11.2000	RFQ	6519	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixbt6	Standard		75 W			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					-																						1 08 µs						-	1700 V	12 A	36 A	3,4 V @ 15V, 6A	-	17 NC	-
Ixgt40n60c2	-	RFQ	1196	Ixys	Hiperfast ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixgt40	Standard		300 W			À 268aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 30A, 3OHM, 15V																												Pt	600 V	75 A	200 A	2,7 V @ 15V, 30A	200 µJ (off)	95 NC	18NS / 90NS
DSA17-16A	-	RFQ	7241	Ixys	-	En gros	Obsolète		Châssis, montage	DO-203AA, DO-4, Stud	DSA17		Avalanche				Do-203aa	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	10		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							1600 V	1,36 V @ 55 A		4 Ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 180 ° C	25A	-
FII30-12E	-	RFQ	5946	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	I4-Pac ™ -5	Fii30			150 W		Standard	ISOPLUS I4-PAC ™	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	24	Demi-pont																																NPT	1200 V	33 A		2,9 V @ 15V, 20A				200 µA	Non	1.2 NF @ 25 V
Ixgt30n60c2	-	RFQ	3915	Ixys	Hiperfast ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixgt30	Standard		190 W			À 268aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 24A, 5OHM, 15V																												Pt	600 V	70 A	150 a	2,7 V @ 15V, 24A	290 µJ (off)	70 NC	13ns / 70ns
Ixta340n04t4	5.9700	RFQ	216	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta340		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			40 V	340A (TC)	10V	1,7MOHM @ 100A, 10V	4V @ 250µA	256 NC @ 10 V	± 15V	13000 pf @ 25 V	-	480W (TC)
Ixfv14n80ps	-	RFQ	6503	Ixys	HiperFet ™, PolarHT ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Plus-220SMD	Ixfv14		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus-220SMD	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			800 V	14A (TC)	10V	720mohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 4mA	61 NC @ 10 V	± 30V	3900 pf @ 25 V	-	400W (TC)
MWI75-12A8	-	RFQ	8611	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E3	MWI75			500 W		Standard	E3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5	Onduleur Triphasé																																NPT	1200 V	125 A		2.6V @ 15V, 75A				5 mA	Non	5,5 nf @ 25 V
IXFT13N80Q	-	RFQ	6236	Ixys	HiperFet ™, Q CLASSE	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft13		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			800 V	13A (TC)	10V	700mohm @ 6.5a, 10v	4,5 V @ 4mA	90 NC @ 10 V	± 20V	3250 pf @ 25 V	-	250W (TC)
Ixtp15p15t	2.9790	RFQ	2411	Ixys	TRENCHP ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp15		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal p			150 V	15A (TC)	10V	240mohm @ 7a, 10v	4,5 V @ 250µA	48 NC @ 10 V	± 15V	3650 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IXYH50N65C3H1	13.2400	RFQ	269	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixyh50	Standard		600 W			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 36A, 5hm, 15v																						120 ns						Pt	650 V	130 A	250 A	2.1V @ 15V, 36A	1,3MJ (ON), 370µJ (OFF)	80 NC	22ns / 80ns
IXYA20N65C3	2.8766	RFQ	7300	Ixys	XPT ™, GenX3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixya20	Standard		230 W			À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50					400V, 20A, 20OHM, 15V																						34 ns						-	650 V	20 a	105 A	2,5 V @ 15V, 20A	430 µJ (ON), 650µJ (OFF)	30 NC	19ns / 80ns
MDNA600P2200PT-PC	216.2829	RFQ	5623	Ixys	-	Boîte	Actif	-	-	-	MDNA600				-			-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-MDNA600P2200PT-PC	EAR99	8541.30.0080	24																			-													-
CLB30I1200PZ-TRL	3.8446	RFQ	7374	Ixys	CLB30I1200PZ	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	CLB30						À 263HV	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-CLB30I1200PZ-TLTR	EAR99	8541.30.0080	800				60 mA												1,2 kV	47 A	1,3 V	300A, 325A	30 mA	1,3 V	30 A		Norme de rénovation
IXTA200N085T7	-	RFQ	5921	Ixys	TRENCHMV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Ixta200		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263-7 (ixta)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			85 V	200A (TC)	10V	5MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	152 NC @ 10 V	± 20V	7600 PF @ 25 V	-	480W (TC)
Ixfa7n100p	6.4400	RFQ	6157	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IXFA7N100		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263aa (ixfa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFA7N100P	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1000 V	7a (TC)	10V	1,9 ohm @ 3,5a, 10v	6v @ 1MA	47 NC @ 10 V	± 30V	2590 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixtp26p20p	7.0700	RFQ	10	Ixys	Polarp ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp26		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal p			200 V	26A (TC)	10V	170MOHM @ 13A, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V	2740 PF @ 25 V	-	300W (TC)