SIC
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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Package de Périphérique Fournisseeur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type triac Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Type Scr Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXXH30N60C3 IXYS IXXH30N60C3 4.1893
RFQ
 ECAD 8415 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 247-3 Standard 270 W À 247ad - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXXH30N60C3 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 24A, 10 ohms, 15v 33 ns - 600 V 60 a 110 A 2,4 V @ 15V, 24A 500 µJ (ON), 270 µJ (OFF) 37 NC 23ns / 77ns
IXFA34N65X3 IXYS Ixfa34n65x3 8.5300
RFQ
 ECAD 4526 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa34 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXFA34N65X3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 34A (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10v 5.2v @ 2,5mA 29 NC @ 10 V ± 20V 2025 PF @ 25 V - 446W (TC)
IXBH14N300HV IXYS IXBH14N300HV 62.9650
RFQ
 ECAD 8020 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 247-3 Ixbh14 Standard 200 W À 247HV (ixbh) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXBH14N300HV EAR99 8541.29.0095 30 - 1,4 µs - 3000 V 38 A 120 A 2,7 V @ 15V, 14A - 62 NC -
QJ6016RH5TP IXYS QJ6016RH5TP 3.4600
RFQ
 ECAD 999 0,00000000 Ixys Qjxx16xhx Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 QJ6016 À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-QJ6016RH5TP EAR99 8541.30.0080 1 000 Célibataire 50 mA Alternative - Snubberless 600 V 16 A 1,3 V 167a, 200a 50 mA
QJ6016NH5TP IXYS QJ6016NH5TP 3.9300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys Qjxx16xhx Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab QJ6016 À 263 (d2pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-QJ6016NH5TP EAR99 8541.30.0080 113 Célibataire 50 mA Alternative - Snubberless 600 V 16 A 1,3 V 167a, 200a 50 mA
QJ8035NH4TP IXYS QJ8035NH4TP 6.8100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys Qjxx35xh4 Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab QJ8035 À 263 (d2pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-QJ8035NH4TP EAR99 8541.30.0080 1 000 Célibataire 60 mA Alternative - Snubberless 800 V 35 A 1 V 290A, 350A 35 mA
LSIC1MO120T0160-TU IXYS LSIC1MO120T0160-TU 8.1853
RFQ
 ECAD 4102 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Support de surface À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca LSIC1MO120 Sic (transistor de jonction en carbure de silicium) À 263-7 télécharger 238-lsic1mo120t0160-tu EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 1200 V 22A (TC) - - - - - -
IXFP13N60X3 IXYS IXFP13N60X3 3.4206
RFQ
 ECAD 1216 0,00000000 Ixys - Tube Actif Ixfp13 - 238-IXFP13N60X3 50
IXFN110N65X3 IXYS Ixfn110n65x3 33.9180
RFQ
 ECAD 2490 0,00000000 Ixys - Tube Actif Ixfn110 - 238-IXFN110N65X3 10
IXYA20N120C4HV-TRL IXYS Ixya20n120c4hv-trl 3.0605
RFQ
 ECAD 2612 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif Ixya20 - 238-IXYA20N120C4HV-TLTR 800
MXB12R600DPHFC IXYS MXB12R600DPHFC -
RFQ
 ECAD 5426 0,00000000 Ixys - Tube Actif - À Travers Le Trou Isoplusi5-pak ™ MXB12 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS I4-PAC ™ - Rohs3 conforme 238-MXB12R600DPHFC 1 Canal n 650 V 13A (TC) - - - - - -
IXA20I1200HB IXYS IXA20I1200HB -
RFQ
 ECAD 3887 0,00000000 Ixys - Tube Actif Ixa20 - Rohs3 conforme 1 (illimité) 238-IXA20I1200HB 1
CLB30I1200PZ-TUB IXYS CLB30I1200pz-tub 3.1172
RFQ
 ECAD 2941 0,00000000 Ixys CLB30I1200PZ Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab CLB30 À 263HV télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-CLB30I1200pz-tub EAR99 8541.30.0080 50 60 mA 1,2 kV 47 A 1,3 V 300A, 325A 30 mA 1,3 V 30 A Norme de rénovation
IXTA1R6N100D2-TRL IXYS Ixta1r6n100d2-trl 2.0243
RFQ
 ECAD 4868 0,00000000 Ixys Épuisement Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA1R6N100D2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1000 V 1.6A (TJ) 0v 10OHM @ 800mA, 0V 4,5 V @ 100µA 27 NC @ 5 V ± 20V 645 PF @ 25 V - 100W (TC)
IXTA80N10T-TRL IXYS Ixta80n10t-trl 2.4137
RFQ
 ECAD 7279 0,00000000 Ixys Tranché Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXTA80N10T-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 100 V 80A (TC) 10V 14MOHM @ 25A, 10V 5V @ 100µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3040 PF @ 25 V - 230W (TC)
MTI85W100GC-SMD IXYS MTI85W100GC-SMD 29.1277
RFQ
 ECAD 4814 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 17 mm, Aile de Mouette Mti85w100 MOSFET (Oxyde Métallique) - Isoplus-Dil ™ - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MTI85W100GC-SMD EAR99 8541.29.0095 13 6 Canaux N (phases Pont 3) 100V 120A (TC) 4MOHM @ 80A, 10V 3,5 V @ 150µA 88nc @ 10v - -
DSB15IM30UC-TUB IXYS DSB15IM30UC-tub -
RFQ
 ECAD 1213 0,00000000 Ixys - Tube Abandonné à sic Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 DSB15IM30 Schottky À 252aa - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DSB15IM30UC-tub EAR99 8541.10.0080 70 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 510 MV @ 15 A 5 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A 292pf @ 24V, 1MHz
IXYN120N65B3D1 IXYS Ixyn120n65b3d1 -
RFQ
 ECAD 4394 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixyn120 Standard 830 W SOT-227B - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXYN120N65B3D1 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 50A, 2OHM, 15V 28 ns Pt 650 V 250 A 770 A 1,9 V @ 15V, 100A 1,34MJ (ON), 1,5MJ (OFF) 250 NC 30ns / 168ns
IXXH140N65B4 IXYS IXXH140N65B4 16.5613
RFQ
 ECAD 9957 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 247-3 Ixxh140 Standard 1200 W À 247 (ixth) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXXH140N65B4 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 100A, 4,7 ohms, 15v 105 ns Pt 650 V 340 A 840 A 1,9 V @ 15V, 120A 5 75MJ (ON), 2 67MJ (OFF) 250 NC 54NS / 270NS
IXFA72N30X3-TRL IXYS Ixfa72n30x3-trl 6.6640
RFQ
 ECAD 8017 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa72 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA72N30X3-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 300 V 72A (TC) 10V 19MOHM @ 36A, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 82 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 25 V - 390W (TC)
MIXG180W1200TEH IXYS Mixg180w1200teh 194.0440
RFQ
 ECAD 2149 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module Mixg180 935 W Standard E3 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg180w1200teh EAR99 8541.29.0095 5 Onduleur Triphasé - 1200 V 280 A 2v @ 15v, 150a 500 µA Oui 8,5 nf @ 100 V
IXGA48N60C3-TRL IXYS Ixga48n60c3-trl 3.1631
RFQ
 ECAD 8261 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga48 Standard 300 W À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXGA48N60C3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 400V, 30A, 3OHM, 15V 26 ns Pt 600 V 75 A 250 A 2,5 V @ 15V, 30A 410 µJ (ON), 230 µJ (OFF) 77 NC 19ns / 60ns
IXTT1N250HV-TRL IXYS Ixtt1n250hv-trl 37.8644
RFQ
 ECAD 9685 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268hv (ixtt) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 238-IXTT1N250HV-TLTR EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 2500 V 1.5A (TC) 10V 40 ohm @ 750mA, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1660 PF @ 25 V - 250W (TC)
IXFA5N100P-TRL IXYS Ixfa5n100p-trl 3.6333
RFQ
 ECAD 7860 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IXFA5N100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA5N100P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1000 V 5A (TC) 10V 2,8 ohm @ 2,5a, 10v 6V @ 250µA 33,4 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXYA30N120A4HV IXYS Ixya30n120a4hv 7.6136
RFQ
 ECAD 6009 0,00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixya30 Standard 500 W À 263HV - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXYA30N120A4HV EAR99 8541.29.0095 50 960V, 25A, 5OHM, 15V 42 ns Pt 1200 V 106 A 184 A 1,9 V @ 15V, 25A 4MJ (ON), 3,4MJ (OFF) 57 NC 15NS / 235NS
MTC120W55GC-SMD IXYS MTC120W55GC-SMD 28.2508
RFQ
 ECAD 2221 0,00000000 Ixys - Tube Actif - - - MTC120 - - télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MTC120W55GC-SMD EAR99 8541.29.0095 13 - - -
IXXN340N65B4 IXYS Ixxn340n65b4 65.9640
RFQ
 ECAD 3966 0,00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixxn340 Standard 1500 W SOT-227B - Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 238-IXXN340N65B4 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 100A, 1OHM, 15V 65 ns Pt 650 V 520 A 1200 A 1,7 V @ 15V, 160A 4.4MJ (ON), 2,2MJ (OFF) 553 NC 62ns / 245ns
IXGP28N60A3M IXYS IXGP28N60A3M -
RFQ
 ECAD 9086 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Ixgp28 Standard 64 W Onglet isolé à 220 - 238-IXGP28N60A3M EAR99 8541.29.0095 50 480v, 24a, 10 ohms, 15v 26 ns Pt 600 V 38 A 200 A 1,4 V @ 15V, 24A - 66 NC 18NS / 300NS
IXTA3N100D2-TRL IXYS Ixta3n100d2-trl 3.7112
RFQ
 ECAD 6244 0,00000000 Ixys Épuisement Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA3N100D2-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1000 V 3A (TJ) 0v 6OHM @ 1.5A, 0V 4,5 V @ 250µA 37,5 NC @ 5 V ± 20V 1020 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 125W (TC)
IXYN300N65A3 IXYS Ixyn300n65a3 62.2420
RFQ
 ECAD 9157 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixyn300 Standard 1500 W SOT-227B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYN300N65A3 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 100A, 1OHM, 15V 125 ns Pt 650 V 470 A 1600 A 1,6 V @ 15V, 100A 7,8mj (on), 4,7mj (off) 565 NC 42ns / 190ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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