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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC
Ixfp34n65x2	7.0700	RFQ	356	Ixys	HiperFet ™, Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixfp34		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			650 V	34A (TC)	10V	105MOHM @ 17A, 10V	5,5 V @ 2,5mA	56 NC @ 10 V	± 30V	3330 pf @ 25 V	-	540W (TC)
Ixgp4n100	-	RFQ	8315	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixgp4	Standard		40 W			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50					800V, 4A, 120 ohms, 15v																												-	1000 V	8 A	16 A	2,7 V @ 15V, 4A	900 µJ (off)	13,6 NC	20ns / 390ns
IXYR100N65A3V1	23.9527	RFQ	7126	Ixys	-	Tube	Actif	-	-	-	Ixyr100	-					-	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					-																												-				-	-		-
Ixgx64n60b3d1	-	RFQ	7591	Ixys	Genx3 ™	Tube	Obsolète	-	Par le trou	Variante à 247-3	Ixgx64	Standard		460 W			Plus247 ™ -3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					480V, 50A, 3OHM, 15V																						35 ns						Pt	600 V		400 A	1,8 V @ 15V, 50A	1,5 MJ (on), 1mj (off)	168 NC	25ns / 138ns
VWO95-08IO7	-	RFQ	5168	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	VWO95				Contrôleur 3 Phases - Tous Les Scr			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				150 mA												800 V	69 A	1 V	1150a, 1230a	100 mA		44 A										6 SCR
IXFR80N60P3	18.1630	RFQ	9775	Ixys	HiperFet ™, Polar3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfr80		MOSFET (Oxyde Métallique)				Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFR80N60P3	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			600 V	48A (TC)	10V	76MOHM @ 40A, 10V	5V @ 8mA	190 NC @ 10 V	± 30V	13100 pf @ 25 V	-	540W (TC)
IXTP90N15T	4.3900	RFQ	58	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp90		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			150 V	90a (TC)	10V	20 mohm @ 45a, 10v	4,5 V @ 1MA	80 NC @ 10 V	± 30V	4100 pf @ 25 V	-	455W (TC)
MCC26-08IO8B	23.5522	RFQ	2200	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	À 240aa	MCC26				Connexion de la Série - Tous Les Scr			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	36				200 mA												800 V	50 a	1,5 V	520A, 560A	100 mA		32 A										2 SCR
Ixth40n30	9.9650	RFQ	3380	Ixys	Mégamos ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth40		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	IXTH40N30-NDR	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			300 V	40A (TC)	10V	85MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	± 20V	4600 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixfc12n80p	-	RFQ	7826	Ixys	HiperFet ™, PolarHT ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	ISOPLUS220 ™	Ixfc12n80		MOSFET (Oxyde Métallique)				ISOPLUS220 ™	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			800 V	7a (TC)	10V	930MOHM @ 6A, 10V	5,5 V @ 2,5mA	51 NC @ 10 V	± 30V	2800 pf @ 25 V	-	120W (TC)
Ixta96p085t	6.5100	RFQ	9170	Ixys	TRENCHP ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta96		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal p			85 V	96a (TC)	10V	13MOHM @ 48A, 10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	± 15V	13100 pf @ 25 V	-	298W (TC)
DSEP8-03AS	-	RFQ	3746	Ixys	Hiperfred ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	DSEP8		Standard				À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							300 V	1,69 V @ 8 A	30 ns	60 µA à 300 V	-40 ° C ~ 175 ° C	8a	-
IXER60N120	-	RFQ	6189	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixer60	Standard		375 W			Isoplus247 ™	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					600 V, 60A, 22HM, 15V																												NPT	1200 V	95 A		2,7 V @ 15V, 60A	7.2MJ (ON), 4,8MJ (off)	350 NC	-
IXFR26N60Q	-	RFQ	9275	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfr26		MOSFET (Oxyde Métallique)				Isoplus247 ™	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			600 V	23A (TC)	10V	250 mohm @ 13a, 10v	4,5 V @ 4mA	200 NC @ 10 V	± 20V	5100 pf @ 25 V	-	310W (TC)
N3790TJ240	-	RFQ	9729	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	À 200f	N3790						W81	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-N3790TJ240	EAR99	8541.30.0080	6				1 a												2,4 kV	7410 A	3 V	55000A @ 50hz	300 mA	2.1 V	3790 A	250 mA	Norme de rénovation
Ixta5n50p	-	RFQ	2176	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta5		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			500 V	4.8A (TC)	10V	1,4 ohm @ 2,4a, 10v	5,5 V @ 50µA	12.6 NC @ 10 V	± 30V	620 pf @ 25 V	-	89W (TC)
MCMA65P1200TA	33.0000	RFQ	42	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	À 240aa	MCMA65				Connexion de la Série - Tous Les Scr			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	36				200 mA												1,2 kV	105 A	1,5 V	1150a, 1240a	95 Ma		65 A										2 SCR
IXFH24N90P	16.0200	RFQ	196	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh24		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			900 V	24a (TC)	10V	420mohm @ 12a, 10v	6,5 V @ 1MA	130 NC @ 10 V	± 30V	7200 pf @ 25 V	-	660W (TC)
N1802nc120	-	RFQ	4057	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C	De serrer	À 200ac, k-puk	N1802						W11	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-N1802NC120	EAR99	8541.30.0080	6				1 a												1,2 kV	3592 A	3 V	32500A @ 50hz	300 mA	1,29 V	1802 A	100 mA	Norme de rénovation
Dhg10im1800uz-tub	2.3513	RFQ	2315	Ixys	-	Tube	Actif		Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Dhg10		Standard				À 252aa	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-dhg10im1800uz-tub	EAR99	8541.10.0080	70		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1800 V	2.27 V @ 10 A	260 ns	50 µA à 1800 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	3pf @ 200v, 1MHz
Ixtp7n60p	-	RFQ	5253	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp7		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			600 V	7a (TC)	10V	1,1 ohm @ 3,5a, 10v	5,5 V @ 100µA	20 nc @ 10 V	± 30V	1080 PF @ 25 V	-	150W (TC)
IXGR72N60C3	-	RFQ	2738	Ixys	Genx3 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixgr72	Standard		200 W			Isoplus247 ™	-				238-IXGR72N60C3	EAR99	8541.29.0095	30					480V, 50A, 2OHM, 15V																						37 ns						Pt	600 V	80 A	400 A	2,7 V @ 15V, 50A	1 03MJ (ON), 480µJ (OFF)	175 NC	27NS / 77NS
IXGH28N60A3	-	RFQ	7377	Ixys	Genx3 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXGH28	Standard		190 W			À 247ad	télécharger			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					480v, 24a, 10 ohms, 15v																						26 ns						Pt	600 V	75 A	170 A	1,4 V @ 15V, 24A	700 µJ (ON), 2,4MJ (OFF)	66 NC	18NS / 300NS
MCD255-18IO1	171.2767	RFQ	7197	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Y1-Cu	MCD255				Connexion de la Séririe - SCR / Diode			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	3				150 mA												1,8 kV	450 A	2 V	9000A, 9600A	150 mA		250 A										1 SCR, 1 Diode
Ixa20pg1200dhg-trr	16.2582	RFQ	6685	Ixys	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Module 9 MMD	Ixa20			130 W		Standard	Isoplus-smpd ™ .b	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	200	Demi-pont																																Pt	1200 V	32 A		2.1V @ 15V, 15A						125 µA	Non
MLO230-14IO7	-	RFQ	9522	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MLO230				Contrôleur 1 phase - SCR / Diode			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	25				200 mA												1,4 kV	180 A	1,5 V	2250A, 2400A	150 mA		105 A										1 SCR, 1 Diode
R0633YC12E	-	RFQ	3615	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C	Soutenir de châssis	À 200ab, b-puk	R0633						W58	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-R0633YC12E	EAR99	8541.30.0080	6				1 a												1,2 kV	1268 A	3 V	6900a @ 50hz	200 mA	1,85 V	633 A	60 mA	Norme de rénovation
VUO110-14NO7	-	RFQ	1253	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	PWS-E	VUO110		Standard				PWS-E	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	5																										1,13 V @ 50 A		100 µA @ 1400 V		127 A											Triphasé	1,4 kV
MCD312-16IO1	172.3500	RFQ	5768	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Y1-Cu	MCD312				Connexion de la Séririe - SCR / Diode			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	3				150 mA												1,6 kV	520 A	2 V	9200A, 10100A	150 mA		320 A										1 SCR, 1 Diode
IRFP450	-	RFQ	1336	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IRFP45		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247ad	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			500 V	14A (TC)	10V	400mohm @ 8,4a, 10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 25 V	-	190W (TC)