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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Type Scr Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXTP60N10T IXYS Ixtp60n10t 2.8400
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 60a (TC) 10V 18MOHM @ 25A, 10V 4,5 V @ 50µA 49 NC @ 10 V ± 30V 2650 pf @ 25 V - 176W (TC)
IXSH15N120BD1 IXYS IXSH15N120BD1 -
RFQ
 ECAD 9907 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXSH15 Standard 150 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 15A, 10OHM, 15V 30 ns Pt 1200 V 30 A 60 a 3,4 V @ 15V, 15A 1,5 MJ (off) 57 NC 30ns / 148ns
MID200-12A4 IXYS Mid200-12A4 140.5200
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 ECAD 2 0,00000000 Ixys - Boîte Actif 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y3-dcb MI-200 1130 W Standard Y3-dcb télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 Célibataire NPT 1200 V 270 A 2,7 V @ 15V, 150A 10 mA Non 11 nf @ 25 V
IXFH80N25X3 IXYS IXFH80N25X3 11.9100
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 ECAD 21 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFH80N25X3 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 80A (TC) 10V 16MOHM @ 40A, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 83 NC @ 10 V ± 20V 5430 pf @ 25 V - 390W (TC)
CME30E1600PZ-TRL IXYS CME30E1600PZ-TRL 3.2246
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 ECAD 9040 0,00000000 Ixys CME30E1600PZ Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab CME30 À 263HV télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-CME30E1600PZ-TLTR EAR99 8541.30.0080 800 90 mA 1,6 kV 35 A 1,3 V 260a, 280a 50 mA 1,92 V 30 A Norme de rénovation
IXTH160N075T IXYS IXTH160N075T -
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 ECAD 4528 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth160 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 75 V 160a (TC) 10V 6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ± 20V 4950 pf @ 25 V - 360W (TC)
VWI20-06P1 IXYS VWI20-06P1 -
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 ECAD 9477 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 VWI20 73 W Standard Eco-Pac2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Onduleur Triphasé NPT 600 V 19 a 2,4 V @ 15V, 10A 600 µA Oui 600 pf @ 25 V
IXTP5N50P IXYS Ixtp5n50p -
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 ECAD 5670 0,00000000 Ixys PolarHV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp5 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 4.8A (TC) 10V 1,4 ohm @ 2,4a, 10v 5,5 V @ 50µA 12.6 NC @ 10 V ± 30V 620 pf @ 25 V - 89W (TC)
IXSK50N60AU1 IXYS IXSK50N60AU1 -
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 ECAD 3941 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète - Par le trou À 264-3, à 264aa Ixsk50 Standard 300 W À 264aa (ixsk) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 480v, 50a, 2,7 ohms, 15v 50 ns - 600 V 75 A 200 A 2,7 V @ 15V, 50A 6mj (off) 190 NC 70ns / 200 ns
MCMA85P1600TA IXYS MCMA85P1600TA 34.7214
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 ECAD 7128 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Soutenir de châssis À 240aa MCMA85 Connexion de la Série - Tous Les Scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 36 200 mA 1,6 kV 135 A 1,5 V 1500a, 1620a 95 Ma 85 A 2 SCR
VVZ175-14IO7 IXYS VVZ175-14IO7 -
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 ECAD 6479 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis PWS-E2 VVZ175 Pont, 3 phases - SCR / Diodes télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 5 200 mA 1,4 kV 89 A 1,5 V 1500A, 1600A 100 mA 167 A 3 SCR, 3 Diodes
IXGP12N120A2 IXYS IXGP12N120A2 -
RFQ
 ECAD 1837 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixgp12 Standard 75 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 960V, 12A, 100 ohms, 15v Pt 1200 V 24 A 48 A 3V @ 15V, 12A 5,4MJ (off) 24 NC 15NS / 680NS
MEK75-12DA IXYS MEK75-12DA 35.4500
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Ixys - Boîte Actif Soutenir de châssis À 240aa MEK75 Standard À 240aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 75a 2.17 V @ 100 A 300 ns 2 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFH21N50Q IXYS IXFH21N50Q -
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 ECAD 9817 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh21 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 21A (TC) 10V 250mohm @ 10.5a, 10v 4,5 V @ 4mA 84 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 280W (TC)
IXYX40N450HV IXYS Ixyx40n450hv 68.0100
RFQ
 ECAD 4156 0,00000000 Ixys Xpt ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixyx40 Standard 660 W À 247plus-hv télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 40A, 2OHM, 15V - 4500 V 95 A 350 A 3,9 V @ 15V, 40A - 170 NC 36ns / 110ns
IXGN80N60A2D1 IXYS IXGN80N60A2D1 -
RFQ
 ECAD 6392 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixgn80 625 W Standard SOT-227B télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Célibataire - 600 V 160 A 1,35 V @ 15V, 80A 650 µA Non
IXGH25N250 IXYS IXGH25N250 48.8440
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 ECAD 1291 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Par le trou À 247-3 IXGH25 Standard 250 W À 247ad - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Q5013269 EAR99 8541.29.0095 30 - NPT 2500 V 60 a 200 A 5.2V @ 15V, 75A - 75 NC -
IXFN340N07 IXYS IXFN340N07 -
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 ECAD 6956 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn340 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 70 V 340A (TC) 10V 4MOHM @ 100A, 10V 4V @ 8mA 490 NC @ 10 V ± 20V 12200 pf @ 25 V - 700W (TC)
IXFN140N25T IXYS IXFN140N25T 33.8110
RFQ
 ECAD 8641 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn140 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 250 V 120A (TC) 10V 17MOHM @ 60A, 10V 5V @ 4mA 255 NC @ 10 V ± 20V 19000 pf @ 25 V - 690W (TC)
MMO175-08IO7 IXYS MMO175-08IO7 -
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 ECAD 9673 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MMO Contrôleur 1 phase - tous les scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 25 200 mA 800 V 125 A 1,5 V 1500A, 1600A 100 mA 80 A 2 SCR
IXTH21N50Q IXYS IXTH21N50Q -
RFQ
 ECAD 4838 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth21 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 21A (TC) 10V 250mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250µA 190 NC @ 10 V ± 20V 4200 PF @ 25 V - 300W (TC)
DPF120X400NA IXYS Dpf120x400na -
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 ECAD 8541 0,00000000 Ixys - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Dpf120 Standard SOT-227B - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 120a -
MDD95-12N1B IXYS MDD95-12N1B 38.0100
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 ECAD 5126 0,00000000 Ixys - En gros Actif Soutenir de châssis À 240aa MDD95 Standard À 240aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 36 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1200 V 120a 1,43 V @ 300 A 15 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFA8N85XHV IXYS Ixfa8n85xhv 5.8469
RFQ
 ECAD 2586 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa8n85 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 850 V 8A (TC) 10V 850MOHM @ 4A, 10V 5,5 V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 654 PF @ 25 V - 200W (TC)
VWO60-16IO7 IXYS VWO60-16IO7 -
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 ECAD 5312 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module Vwo60 Contrôleur 3 Phases - Tous Les Scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 10 200 mA 1,6 kV 43 A 1,5 V 550A, 600A 100 mA 27 A 6 SCR
IXFN200N07 IXYS IXFN200N07 -
RFQ
 ECAD 7838 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn200 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté IXFN200N07-NDR EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 70 V 200A (TC) 10V 6MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 480 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 25 V - 520W (TC)
VCC105-18IO7 IXYS VCC105-18IO7 -
RFQ
 ECAD 7255 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 VCC105 Connexion de la Série - Tous Les Scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 25 200 mA 1,8 kV 180 A 1,5 V 2250A, 2400A 150 mA 105 A 2 SCR
IXTH72N20T IXYS Ixth72n20t -
RFQ
 ECAD 6402 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif - Par le trou À 247-3 Ixth72 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 72A (TC) - - - -
IXFT16N90Q IXYS IXFT16N90Q -
RFQ
 ECAD 7179 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft16 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 900 V 16A (TC) 10V 650mohm @ 8a, 10v 5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXGH32N60AU1 IXYS IXGH32N60AU1 -
RFQ
 ECAD 1144 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH32 Standard 200 W À 247ad télécharger Non applicable Atteindre non affecté IXGH32N60AU1-NDR EAR99 8541.29.0095 30 480v, 32a, 4,7 ohms, 15v 50 ns - 600 V 60 a 120 A 2,9 V @ 15V, 32A 1,8mJ (off) 125 NC 25ns / 120ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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