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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Structure Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Silhouette Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de diode Tension - Pic inverse (max)
DPG30I600AHA IXYS Dpg30i600aha 4.1980
RFQ
 ECAD 9229 0,00000000 Ixys - Tube Actif - - Dpg30 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-dpg30i600aha 30 - - - -
IXFK120N60X3 IXYS IXFK120N60X3 20.9944
RFQ
 ECAD 9957 0,00000000 Ixys - Tube Actif Ixfk120 - 238-IXFK120N60X3 25
IXYH80N90C3 IXYS IXYH80N90C3 11.8000
RFQ
 ECAD 6761 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXYH80 Standard 830 W À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Q7763666B EAR99 8541.29.0095 30 450V, 80A, 2OHM, 15V - 900 V 165 A 360 A 2,7 V @ 15V, 80A 4.3mj (on), 1,9mj (off) 145 NC 34ns / 90ns
DSEP12-12AZ-TUB IXYS Dsep12-12az-tub 3.3100
RFQ
 ECAD 9355 0,00000000 Ixys - Tube Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Dsep12 Standard À 263HV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-DSEP12-12az-tub EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1200 V 2,62 V @ 15 A 40 ns 100 µA à 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A 5pf @ 600V, 1MHz
IXYH40N65C3H1 IXYS IXYH40N65C3H1 8.7397
RFQ
 ECAD 4991 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif - Par le trou À 247-3 Ixyh40 Standard 300 W À 247 (ixyh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30A, 10OHM, 15V 120 ns Pt 650 V 80 A 180 A 2.2V @ 15V, 40A 860 µJ (ON), 400µJ (OFF) 70 NC 26NS / 106NS
DMA200XA1600NA IXYS Dma200xa1600na 31.0620
RFQ
 ECAD 1402 0,00000000 Ixys Dma200xa1600na Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc DMA200 Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DMA200XA1600NA EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1600 V 100A 1,24 V @ 100 A 200 µA à 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
MCNA40PD2200TB IXYS Mcna40pd2200tb 37.8208
RFQ
 ECAD 4947 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Soutenir de châssis À 240aa MCNA40 Connexion de la Séririe - SCR / Diode - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCNA40PD2200TB EAR99 8541.30.0080 36 100 mA 2,2 kV 63 A 1,4 V 500A, 540A 70 mA 40 A 1 SCR, 1 Diode
MDNA380P2200KC IXYS MDNA380P2200KC 199.5100
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 ECAD 8165 0,00000000 Ixys - Boîte Actif Soutenir de châssis Y1-Cu MDNA380 Standard Y1-Cu - Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 238-MDNA380P2200KC EAR99 8541.10.0080 3 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 2200 V 380a 1 05 V @ 300 A 500 µA à 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C
DNA90YC2200NA IXYS DNA90YC2200NA 37.1560
RFQ
 ECAD 6061 0,00000000 Ixys DNA90YC2200NA Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc DNA90YC2200 Standard SOT-227B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DNA90YC2200NA EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 2 paires Cathode Commune 2200 V 90a 1,7 V @ 90 A 100 µA @ 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFK20N80Q IXYS IXFK20N80Q -
RFQ
 ECAD 1684 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 800 V 20A (TC) 10V 420 mohm @ 10a, 10v 4,5 V @ 4mA 200 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 360W (TC)
DSEP30-03AS IXYS DSEP30-03AS -
RFQ
 ECAD 2266 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Ruban Adhésif (tr) Actif Par le trou TO-3P-3 EXCHET DSEP30 Standard À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 800 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 300 V 1,55 V @ 30 A 22 ns 250 µA à 300 V 175 ° C (max) 30A -
IXTA120P065T-TRL IXYS Ixta120p065t-trl 4.2408
RFQ
 ECAD 2266 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA120P065T-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 65 V 120A (TC) 10V 10MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ± 15V 13200 pf @ 25 V - 298W (TC)
DSAI17-18A IXYS DSAI17-18A -
RFQ
 ECAD 1142 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud DSAI17 Avalanche Do-203aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1800 V 1,36 V @ 55 A 4 Ma @ 1800 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
MDD255-14N1 IXYS MDD255-14N1 148.5400
RFQ
 ECAD 3544 0,00000000 Ixys - Boîte Actif Soutenir de châssis Y1-Cu MDD255 Standard Y1-Cu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1400 V 270A 1,4 V @ 600 A 30 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C
C-0010-375-501N21A IXYS C-0010-375-501N21A -
RFQ
 ECAD 1011 0,00000000 Ixys - En gros Obsolète - C-0010-375 - - - - 238-C-0010-375-501N21A OBSOLÈTE 0000.00.0000 1 - - - - -
IXGH35N120C IXYS IXGH35N120C -
RFQ
 ECAD 1411 0,00000000 Ixys LightSpeed ​​™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH35 Standard 300 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 35A, 5OHM, 15V - 1200 V 70 A 140 a 4V @ 15V, 35A 3MJ (off) 170 NC 50ns / 150ns
VMK90-02T2 IXYS VMK90-02T2 -
RFQ
 ECAD 7703 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis À 240aa VMK90 MOSFET (Oxyde Métallique) 380W À 240aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 6 2 Canaux N (double) 200 V 83a 25MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 3MA 450nc @ 10v 15000pf @ 25v -
IXFH60N60X IXYS IXFH60N60X 13.5933
RFQ
 ECAD 3925 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 60a (TC) 10V 55MOHM @ 30A, 10V 4,5 V @ 8mA 143 NC @ 10 V ± 30V 5800 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXTH1N450HV IXYS IXTH1N450HV 45.6100
RFQ
 ECAD 315 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixth1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247HV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -Ixth1N450HV EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 4500 V 1A (TC) 10V 80OHM @ 50mA, 10V 6V @ 250µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 520W (TC)
DSEP2X31-03A IXYS DSEP2X31-03A 29.2600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Dsep2x31 Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 300 V 30A 1,23 V @ 30 A 30 ns 250 µA à 300 V -40 ° C ~ 150 ° C
W4767MC220 IXYS W4767MC220 -
RFQ
 ECAD 8661 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AC, K-PUK W4767 Standard W54 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W4767MC220 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 2200 V 1 05 V @ 3000 A 26 µs 50 ma @ 2200 V -40 ° C ~ 175 ° C 4755a -
N0465WN140 IXYS N0465wn140 -
RFQ
 ECAD 4059 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -60 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis À 200ab, b-puk N0465 W90 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-N0465WN140 EAR99 8541.30.0080 24 250 mA 1,4 kV 920 A 2,5 V 5000A @ 50hz 250 mA 2.09 V 465 A 50 mA Norme de rénovation
W4693QK080 IXYS W4693QK080 -
RFQ
 ECAD 9163 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AB, B-PUK W4693 Standard Wd2 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W4693QK080 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 800 V 1 05 V @ 3000 A 15,5 µs 50 ma @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C 4693a -
IXGA30N60C3D4 IXYS Ixga30n60c3d4 -
RFQ
 ECAD 2630 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga30 Standard 220 W À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 300 V, 20A, 5OHM, 15V 60 ns Pt 600 V 60 A 150 a 3V @ 15V, 20A 270 µJ (ON), 90µJ (OFF) 38 NC 16NS / 42NS
N0795YN140 IXYS N0795YN140 -
RFQ
 ECAD 9427 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -60 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis À 200ab, b-puk N0795 W91 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-N0795YN140 EAR99 8541.30.0080 24 300 mA 1,4 kV 1580 a 2,5 V 10500A @ 50hz 150 mA 2 V 795 A 30 mA Norme de rénovation
W0642WC160 IXYS W0642WC160 -
RFQ
 ECAD 1909 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AB, A-PUK W0642 Standard W1 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W0642WC160 EAR99 8541.10.0080 24 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1600 V 2,37 V @ 1900 A 15 µs 15 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 642A -
MDD255-18N1 IXYS MDD255-18N1 155.4567
RFQ
 ECAD 1600 0,00000000 Ixys - Boîte Actif Soutenir de châssis Y1-Cu MDD255 Standard Y1-Cu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1800 V 270A 1,4 V @ 600 A 30 ma @ 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C
MDMA900U1600PTEH IXYS MDMA900U1600PTEH 244.2900
RFQ
 ECAD 9902 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis E3 MDMA900 Standard E3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-MDMA900U1600PTEH EAR99 8541.10.0080 24 1,92 V @ 900 A 200 µA à 1600 V 900 A Triphasé 1,6 kV
MCB30P1200LB-TUB IXYS MCB30p1200lb-tub -
RFQ
 ECAD 4554 0,00000000 Ixys MCB30P1200LB Tube Actif - Support de surface 9 Powersmd MCB30P1200 Carbure de silicium (sic) - 9-SMPD-B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCB30p1200lb-tub EAR99 8541.29.0095 20 4 N-Canal (Demi-pont) 1200V (1,2 kV) - - - - - -
MCD162-18IO1 IXYS MCD162-18IO1 70.9300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y4-M6 MCD162 Connexion de la Séririe - SCR / Diode télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté MCD16218IO1 EAR99 8541.30.0080 6 200 mA 1,8 kV 300 A 2,5 V 6000A, 6400A 150 mA 190 A 1 SCR, 1 Diode
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

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    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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