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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
MDD26-12N1B IXYS MDD26-12N1B 25.5800
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Ixys - Boîte Actif Soutenir de châssis À 240aa MDD26 Standard À 240aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 36 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1200 V 36A 1,38 V @ 80 A 10 mA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXYH75N120B4 IXYS IXYH75N120B4 -
RFQ
 ECAD 9867 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXYH75 Standard 1150 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 600V, 50A, 3OHM, 15V 66 ns - 1200 V 240 A 440 A 2.2V @ 15V, 75A 4,5mj (on), 2,7mj (off) 157 NC 22NS / 182NS
IXFK80N60P3 IXYS IXFK80N60P3 18.5800
RFQ
 ECAD 7938 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 80A (TC) 10V 70MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 190 NC @ 10 V ± 30V 13100 pf @ 25 V - 1300W (TC)
IXDR35N60BD1 IXYS IXDR35N60BD1 -
RFQ
 ECAD 8125 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixdr35 Standard 125 W Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 300 V, 35A, 10OHM, 15V 40 ns NPT 600 V 38 A 48 A 2,7 V @ 15V, 35A 1,6mj (on), 800 µJ (off) 140 NC -
IXFK130N65X3 IXYS IXFK130N65X3 27.1404
RFQ
 ECAD 8816 0,00000000 Ixys - Tube Actif IXFK130 - 238-IXFK130N65X3 25
VII130-06P1 IXYS VII130-06P1 -
RFQ
 ECAD 2776 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 Vii130 379 W Standard Eco-Pac2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Demi-pont NPT 600 V 121 A 2,9 V @ 15V, 130A 1,2 mA Oui 4.2 NF @ 25 V
IXFK140N60X3 IXYS IXFK140N60X3 26.1024
RFQ
 ECAD 2828 0,00000000 Ixys - Tube Actif IXFK140 - 238-IXFK140N60X3 25
IXGH20N60A IXYS IXGH20N60A -
RFQ
 ECAD 7788 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH20 Standard 150 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480V, 20A, 82OHM, 15V - 600 V 40 A 80 A 3V @ 15V, 20A 1,5 MJ (off) 100 NC 100ns / 600ns
IXFK25N90 IXYS IXFK25N90 -
RFQ
 ECAD 3087 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk250 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 900 V 25a (TC) 10V 330MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 240 NC @ 10 V ± 20V 10800 pf @ 25 V - 560W (TC)
IXGH25N100 IXYS IXGH25N100 -
RFQ
 ECAD 4526 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH25 Standard 200 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 800V, 25A, 33OHM, 15V - 1000 V 50 a 100 A 3,5 V @ 15V, 25A 5mj (off) 130 NC 100ns / 500ns
W4693QK050 IXYS W4693QK050 -
RFQ
 ECAD 4036 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic Soutenir de châssis DO-200AB, B-PUK W4693 Standard Wd2 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W4693QK050 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 500 V 1 05 V @ 3000 A 15,5 µs 50 ma @ 500 V -40 ° C ~ 180 ° C 4693a -
IXGA12N120A3 IXYS IXGA12N120A3 4.2728
RFQ
 ECAD 8148 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga12 Standard 100 W À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 - Pt 1200 V 22 A 60 A 3V @ 15V, 12A - 20,4 NC -
IXFA110N15T2 IXYS IXFA110N15T2 5.8040
RFQ
 ECAD 6689 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa110 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA110N15T2 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 150 V 110a (TC) 10V 13MOHM @ 55A, 10V 4,5 V @ 250µA 150 NC @ 10 V ± 20V 8600 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXTT90P10P IXYS Ixtt90p10p 13.1300
RFQ
 ECAD 547 0,00000000 Ixys Polarp ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt90 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 100 V 90a (TC) 10V 25MOHM @ 45A, 10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 462W (TC)
DSEI12-06AS-TRL IXYS Dsei12-06as-trl 2.1290
RFQ
 ECAD 8970 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Dsei12 Standard À 263aa - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DSEI12-06AS-TLTR EAR99 8541.10.0080 800 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,7 V @ 16 A 50 ns 50 µA à 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 14A -
IXFN210N20P IXYS Ixfn210n20p 48.2300
RFQ
 ECAD 160 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn210 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 200 V 188a (TC) 10V 10,5 mohm @ 105a, 10v 4,5 V @ 8mA 255 NC @ 10 V ± 20V 18600 PF @ 25 V - 1070W (TC)
IXTA26P20P-TRL IXYS Ixta26p20p-trl 6.8800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta26 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXTA26P20P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 200 V 26A (TC) 10V 170MOHM @ 13A, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2740 PF @ 25 V - 300W (TC)
IXTA2R4N120P-TRL IXYS Ixta2r4n120p-trl 4.5555
RFQ
 ECAD 9835 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA2R4N120P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1200 V 2.4a (TC) 10V 7,5 ohm @ 1,2a, 10v 4,5 V @ 250µA 37 NC @ 10 V ± 30V 1207 pf @ 25 V - 125W (TC)
W1856NC480 IXYS W1856nc480 -
RFQ
 ECAD 7050 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AC, K-PUK W1856 Standard W5 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W1856nc480 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 4800 V 2,95 V @ 5550 A 36 µs 50 ma @ 4800 V -40 ° C ~ 160 ° C 1856a -
IXTA08N100D2 IXYS Ixta08n100d2 2.7700
RFQ
 ECAD 6624 0,00000000 Ixys Épuisement Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta08 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1000 V 800mA (TC) - 21OHM @ 400mA, 0V - 14,6 NC @ 5 V ± 20V 325 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 60W (TC)
IXYX140N120A4 IXYS Ixyx140n120a4 38.9900
RFQ
 ECAD 9633 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixyx140 Standard 1500 W Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXYX140N120A4 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 70A, 1,5 ohm, 15v 47 ns Pt 1200 V 480 A 1200 A 1,7 V @ 15V, 140A 4.9mj (on), 12mj (off) 420 NC 52ns / 590ns
M0358WC180 IXYS M0358WC180 -
RFQ
 ECAD 2876 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AB, A-PUK M0358 Standard W1 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-M0358WC180 EAR99 8541.10.0080 24 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1800 V 2.1 V @ 750 A 1,4 µs 20 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 125 ° C 358a -
W3082MC450 IXYS W3082MC450 -
RFQ
 ECAD 4348 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AC, K-PUK W3082 Standard W54 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W3082MC450 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 4500 V 2,58 V @ 8600 A 45 µs 50 ma @ 4500 V -40 ° C ~ 160 ° C 3120A -
MUBW50-12T8 IXYS Mubw50-12t8 -
RFQ
 ECAD 8783 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E3 Mubw50 270 W Redredeur de pont en trois phases E3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE Tranché 1200 V 80 A 2.15 V @ 15V, 50A 2,7 Ma Oui 3,5 nf @ 25 V
IXTP15N20T IXYS IXTP15N20T -
RFQ
 ECAD 1137 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif - Par le trou À 220-3 Ixtp15 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 15A (TC) - - - -
DGS10-025AS IXYS DGS10-025AS -
RFQ
 ECAD 6336 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab DGS10 Schottky À 263aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 250 V 1,5 V @ 5 A 1,3 Ma @ 250 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A -
IXFX52N100X IXYS IXFX52N100X 36.2100
RFQ
 ECAD 7590 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx52 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 52A (TC) 10V 125MOHM @ 26A, 10V 6v @ 4ma 245 NC @ 10 V ± 30V 6725 PF @ 25 V - 1250W (TC)
W3082MC420 IXYS W3082MC420 -
RFQ
 ECAD 2209 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AC, K-PUK W3082 Standard W54 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-W3082MC420 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 4200 V 2,58 V @ 8600 A 45 µs 50 mA @ 4200 V -40 ° C ~ 160 ° C 3120A -
IXYP24N100C4 IXYS IXYP24N100C4 6.7717
RFQ
 ECAD 9091 0,00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixyp24 Standard 375 W À 220 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXYP24N100C4 EAR99 8541.29.0095 50 800V, 24A, 10hm, 15v 35 ns Pt 1000 V 76 A 132 A 2.3V @ 15V, 24A 3,6mj (on), 1mj (off) 43 NC 15NS / 147NS
IXYN110N120A4 IXYS Ixyn110n120a4 46.7700
RFQ
 ECAD 5052 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixyn110 Standard 830 W SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXYN110N120A4 EAR99 8541.29.0095 10 600V, 50A, 2OHM, 15V Pt 1200 V 275 A 950 A 1,8 V @ 15V, 110A 2,5mj (on), 8,4mj (off) 305 NC 42ns / 550ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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