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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Structure Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type de diode Tension - Pic inverse (max)
IXFJ20N85X IXYS IXFJ20N85X 10.7880
RFQ
 ECAD 8391 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfj20 MOSFET (Oxyde Métallique) ISO à 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 850 V 9.5A (TC) 10V 360mohm @ 10a, 10v 5,5 V @ 2,5mA 63 NC @ 10 V ± 30V 1660 PF @ 25 V - 110W (TC)
MDD310-22N1 IXYS MDD310-22N1 154.6050
RFQ
 ECAD 7479 0,00000000 Ixys - Boîte Actif Soutenir de châssis Y2-dcb MDD310 Standard Y2-dcb télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 2200 V 305a 1,2 V @ 600 A 40 mA @ 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C
CLA5E1200PZ-TUB IXYS CLA5E1200pz-tub 2.9698
RFQ
 ECAD 6403 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab CLA5 À 263HV télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-CLA5E1200pz-tub EAR99 8541.30.0080 50 30 mA 1,2 kV 7.8 A 1,8 V 70a, 76a 30 mA 1,33 V 5 a Norme de rénovation
DSEP2X60-12A IXYS Dsep2x60-12a 45.9400
RFQ
 ECAD 8491 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Dsep2x60 Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 1200 V 60A 2 42 V @ 60 A 40 ns 1 ma @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C
R0964LC12D IXYS R0964LC12D -
RFQ
 ECAD 8420 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -40 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis À 200ab, b-puk R0964 W10 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-R0964LC12D EAR99 8541.30.0080 6 1 a 1,2 kV 1971 A 3 V 10800a @ 50hz 300 mA 1,96 V 964 A 70 mA Norme de rénovation
MDD950-16N1W IXYS MDD950-16N1W -
RFQ
 ECAD 7363 0,00000000 Ixys - Plateau Actif Soutenir de châssis Module MDD950 Standard Module télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Connexion de la Séririe 1 paire 1600 V 950A 880 MV @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFP76N15T2 IXYS IXFP76N15T2 5.1000
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp76 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 150 V 76a (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10v 4,5 V @ 250µA 97 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 350W (TC)
IXFC74N20P IXYS Ixfc74n20p -
RFQ
 ECAD 1123 0,00000000 Ixys PolarHT ™ HiperFet ™ Boîte Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ Ixfc74n20 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 35A (TC) 10V 36MOHM @ 37A, 10V 5V @ 4mA 107 NC @ 10 V ± 20V 3300 pf @ 25 V - 120W (TC)
VUI9-06N7 IXYS VUI9-06N7 -
RFQ
 ECAD 8753 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac1 VUI9 Standard Eco-Pac1 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 25 1,8 V @ 10 A 50 µA à 1200 V 15 A Monophasé (module PFC) 1,2 kV
DMA200YA1600NA IXYS Dma200ya1600na 26.1170
RFQ
 ECAD 9222 0,00000000 Ixys Dma200ya1600na Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc DMA200 Standard SOT-227B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DMA200YA1600NA EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) Anode commun de 2 paires 1600 V 200A 1,23 V @ 70 A 50 µA à 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXTP140P05T IXYS Ixtp140p05t 7.8100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp140 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 50 V 140a (TC) 10V 9MOHM @ 70A, 10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ± 15V 13500 pf @ 25 V - 298W (TC)
VWO40-14IO7 IXYS VWO40-14IO7 -
RFQ
 ECAD 8649 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module VWO40 Contrôleur 3 Phases - Tous Les Scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 10 150 mA 1,4 kV 29 A 1 V 400A, 450A 100 mA 18 a 6 SCR
IXFR64N60P IXYS Ixfr64n60p 20.8100
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr64 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 36a (TC) 10V 105MOHM @ 32A, 10V 5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ± 30V 12000 pf @ 25 V - 320W (TC)
IXTP36P15P IXYS Ixtp36p15p 6.7600
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Ixys P3 ™ Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp36 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 150 V 36a (TC) 10V 110MOHM @ 18A, 10V 4,5 V @ 250µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 300W (TC)
N2900QL020 IXYS N2900ql020 -
RFQ
 ECAD 2362 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic -40 ° C ~ 150 ° C Soutenir de châssis À 200ab, b-puk N2900 WP6 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-n2900ql020 EAR99 8541.30.0080 12 1 a 200 V 5520 A 3 V 30800A @ 50hz 300 mA 1 47 V 2900 A 100 mA Norme de rénovation
IXTQ130N20T IXYS IXTQ130N20T 8.8933
RFQ
 ECAD 5962 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq130 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTQ130N20T EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 130a (TC) 10V 16MOHM @ 65A, 10V 5V @ 1MA 150 NC @ 10 V ± 20V 8800 pf @ 25 V - 830W (TC)
VBO72-08NO7 IXYS VBO72-08NO7 36.1120
RFQ
 ECAD 6433 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis PWS-D Vbo72 Standard PWS-D télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 482102 EAR99 8541.10.0080 10 1.08 V @ 30 A 100 µA @ 800 V 72 A Monophasé 800 V
IXTP12N65X2M IXYS Ixtp12n65x2m 2.9501
RFQ
 ECAD 9231 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Ixtp12 MOSFET (Oxyde Métallique) Onglet isolé à 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 12A (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10v 4,5 V @ 250µA 17.7 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 40W (TC)
P0848YC06C IXYS P0848YC06C 165.1500
RFQ
 ECAD 6407 0,00000000 Ixys - Boîte Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 125 ° C Soutenir de châssis À 200ab, b-puk P0848 W58 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-P0848YC06C EAR99 8541.30.0080 24 1 a 600 V 1713 A 3 V 9625a @ 50hz 200 mA 1 47 V 848 A 50 mA Norme de rénovation
IXFP20N50P3 IXYS IXFP20N50P3 5.3000
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFP20N50P3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 8A (TC) 10V 300mohm @ 10a, 10v 5V @ 1,5mA 36 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 380W (TC)
IXFH60N20 IXYS IXFH60N20 -
RFQ
 ECAD 6245 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 60a (TC) 10V 33MOHM @ 30A, 10V 4V @ 4mA 155 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFP16N50P IXYS Ixfp16n50p 5.0500
RFQ
 ECAD 1773 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp16 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 16A (TC) 10V 400MOHM @ 8A, 10V 5,5 V @ 2,5mA 43 NC @ 10 V ± 30V 2250 pf @ 25 V - 300W (TC)
MCD200-14IO1 IXYS MCD200-14IO1 80.9100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y4-M6 MCD200 Connexion de la Séririe - SCR / Diode télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 6 150 mA 1,4 kV 340 A 2 V 8000A, 8600A 150 mA 216 A 1 SCR, 1 Diode
VMM650-01F IXYS VMM650-01F -
RFQ
 ECAD 3935 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y3-li VMM650 MOSFET (Oxyde Métallique) - Y3-li télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 2 Canaux N (double) 100V 680a 2,2MOHM @ 500A, 10V 4V @ 30mA 1440nc @ 10v - -
IXKH24N60C5 IXYS IXKH24N60C5 -
RFQ
 ECAD 9065 0,00000000 Ixys CoolMos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixkh24 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 24a (TC) 10V 165MOHM @ 12A, 10V 3,5 V @ 790µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 100 V - -
FMM150-0075P IXYS FMM150-0075P -
RFQ
 ECAD 7089 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou I4-Pac ™ -5 Fmm MOSFET (Oxyde Métallique) - ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 24 2 Canaux N (double) 75V 150a 4.2MOHM @ 120A, 10V 4V @ 1MA 225nc @ 10v - -
DPF10I600APA IXYS Dpf10i600apa 1.7046
RFQ
 ECAD 2100 0,00000000 Ixys - Tube Actif - - Dpf10 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-dpf10i600apa 50 - - - -
IXFK32N90P IXYS Ixfk32n90p -
RFQ
 ECAD 8436 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk32 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 900 V 32A (TC) 10V 300mohm @ 16a, 10v 6,5 V @ 1MA 215 NC @ 10 V ± 30V 10600 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXFT14N100 IXYS IXFT14N100 -
RFQ
 ECAD 3508 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft14 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 14A (TC) 10V 750mohm @ 500mA, 10V 4,5 V @ 4mA 220 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 360W (TC)
MDA950-18N1W IXYS MDA950-18N1W -
RFQ
 ECAD 4341 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète Soutenir de châssis Module MDA950 Standard Module télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 1800 V 950A 880 MV @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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