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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC
Ixfa20n85xhv-trl	5.6463	RFQ	5400	Ixys	Hiperfet ™, Ultra x	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixfa20		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263HV	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXFA20N85XHV-TLTR	EAR99	8541.29.0095	800			Canal n			850 V	20A (TC)	10V	330MOHM @ 10A, 10V	5,5 V @ 2,5mA	63 NC @ 10 V	± 30V	1660 PF @ 25 V	-	540W (TC)
IXGN200N170	69.5000	RFQ	7812	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixgn200	Standard		1250 W			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXGN200N170	EAR99	8541.29.0095	10					850V, 100A, 1OHM, 15V																						133 ns						-	1700 V	280 A	1050 A	2.6V @ 15V, 100A	28mj (on), 30mj (off)	540 NC	37ns / 320ns
IXGQ200N30PB	-	RFQ	3772	Ixys	-	Tube	Actif	-	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	IXGQ200	Standard					To-3p	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					-																												-	300 V	400 A		-	-		-
Dsa30c150pc-tub	-	RFQ	9789	Ixys	DSA30C150PC	Tube	Abandonné à sic		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	DSA30C150		Schottky				À 263 (d2pak)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-DSA30C150PC-tub	EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																					1 paire la commune de cathode	150 V	15A	890 MV @ 15 A		250 µA à 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Ixfn102n30p	29.5200	RFQ	1665	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Boîte	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn102		MOSFET (Oxyde Métallique)				SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10			Canal n			300 V	88A (TC)	10V	33MOHM @ 500mA, 10V	5V @ 4mA	224 NC @ 10 V	± 20V	7500 PF @ 25 V	-	600W (TC)
FMP76-01T	-	RFQ	8626	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Isoplusi5-pak ™	FMP76		MOSFET (Oxyde Métallique)	89W, 132W			ISOPLUS I4-PAC ™	télécharger			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	N et p canal, draine commun					100V	54A (TC), 62A (TC)		24MOHM @ 38A, 10V, 11MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA, 4,5 V @ 250µA	197nc @ 10v, 104nc @ 10v		1370pf @ 25v, 5080pf @ 25v	-
CMA80MT1600NHR	8.7837	RFQ	1103	Ixys	DT-TRIAC ™	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	CMA80						ISO247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-CMA80MT1600NHR	EAR99	8541.30.0080	30	Célibataire			70 mA												Standard	1,6 kV	88 A	1,7 V	380a, 410a	70 mA
Ixfx64n50p	18.4800	RFQ	9992	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixfx64		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFX64N50P	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			500 V	64a (TC)	10V	85MOHM @ 32A, 10V	5,5 V @ 8mA	150 NC @ 10 V	± 30V	8700 pf @ 25 V	-	830W (TC)
W5139TJ480	-	RFQ	9243	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic		Soutenir de châssis	Do00ae	W5139		Standard				W89	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-W5139TJ480	EAR99	8541.10.0080	12		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																						4800 V		1,25 V @ 3000 A	57 µs	100 mA @ 4800 V	-40 ° C ~ 160 ° C	5139a	-
DH60-14A	10.9300	RFQ	5213	Ixys	-	Tube	Actif		Par le trou	À 247-2	DH60		Standard				À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						1400 V		2.04 V @ 60 A	230 ns	200 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	60A	32pf @ 1200v, 1 MHz
Dsep90-12az-tub	10.9100	RFQ	30	Ixys	-	Tube	Actif		Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	DSEP90		Standard				À 268aa (d3pak-hv)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-DSEP90-12az-tub	EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						1200 V		2,69 V @ 90 A	85 ns	1 ma @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	90a	48pf @ 600v, 1 MHz
IXYH10N170C	11.7500	RFQ	1	Ixys	Xpt ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixyh10	Standard		280 W			À 247 (ixyh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					850V, 10A, 10OHM, 15V																						17 ns						-	1700 V	36 A	84 A	3,8 V @ 15V, 10A	1,4MJ (ON), 700 µJ (OFF)	46 NC	14NS / 130NS
DNA30E2200FE	9.0300	RFQ	8207	Ixys	-	Tube	Actif		Par le trou	À 251-2, ipak	DNA30E2200		Standard				i4-pac	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	25		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																						2200 V		1,25 V @ 30 A		40 µA @ 2200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	7pf @ 700V, 1MHz
IXGR72N60A3H1	-	RFQ	4876	Ixys	Genx3 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixgr72	Standard		200 W			Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					480V, 50A, 3OHM, 15V																						140 ns						Pt	600 V	75 A	400 A	1 45 V @ 15V, 60A	1,4mj (on), 3,5mj (off)	230 NC	31NS / 320NS
Ixfy8n65x2	-	RFQ	5334	Ixys	HiperFet ™, Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ixfy8n65		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	-1402-ixfy8n65x2	EAR99	8541.29.0095	70			Canal n			650 V	8A (TC)	10V	450mohm @ 4a, 10v	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 30V	790 pf @ 25 V	-	150W (TC)
VVZ70-12IO7	-	RFQ	1207	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Fo-ta	Vvz				Pont, 3 phases - SCR / Diodes			télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				200 mA													1,2 kV		1,5 V	550A, 600A	100 mA	70 A										3 SCR, 3 Diodes
MCMA200PD1800YB	70.2000	RFQ	7795	Ixys	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module					Connexion de la Séririe - SCR / Diode			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-MCMA200PD1800YB	EAR99	8541.30.0080	6				200 mA													1,8 kV	315 A	2,5 V	6000A, 6480A	150 mA	200 A										1 SCR, 1 Diode
Ixtv26n60p	-	RFQ	9166	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3, Court de l'onglet	Ixtv26		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus220	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			600 V	26A (TC)	10V	270MOHM @ 500mA, 10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	± 30V	4150 PF @ 25 V	-	460W (TC)
IXBF42N300	62.9512	RFQ	6469	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	I4-Pac ™ -5 (3 leads)	Ixbf42	Standard		240 W			ISOPLUS I4-PAC ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25					1500V, 42A, 20OHM, 15V																						1,7 µs						-	3000 V	60 a	380 A	3V @ 15V, 42A	-	200 NC	72ns / 445ns
MDMA600P1600PT-PC	177.6583	RFQ	3613	Ixys	-	Boîte	Actif				MDMA600		-					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-MDMA600P1600PT-PC			24		-																					-		-				-
Mixa20w1200mc	-	RFQ	7350	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Eco-Pac2	Mixa20			100 W		Standard	Eco-Pac2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	Onduleur Triphasé																																Pt	1200 V	28 A		2.1V @ 15V, 16A				200 µA	Non
Ixtp1n100	2.8555	RFQ	2656	Ixys	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp1		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1000 V	1.5A (TC)	10V	11OHM @ 1A, 10V	4,5 V @ 25µa	14,5 NC @ 10 V	± 30V	400 pf @ 25 V	-	54W (TC)
Ixfa22n65x2	5.9400	RFQ	288	Ixys	HiperFet ™, Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixfa22		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263HV	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			650 V	22A (TC)	10V	160MOHM @ 11A, 10V	5,5 V @ 1,5mA	38 NC @ 10 V	± 30V	2310 PF @ 25 V	-	390W (TC)
IXFV15N100PS	-	RFQ	8690	Ixys	HiperFet ™, Polarp2 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Plus-220SMD	Ixfv15		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus-220SMD	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			1000 V	15A (TC)	10V	760MOHM @ 500mA, 10V	6,5 V @ 1MA	97 NC @ 10 V	± 30V	5140 PF @ 25 V	-	543W (TC)
Ixfp3n50pm	-	RFQ	7544	Ixys	HiperFet ™, PolarHT ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixfp3		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			500 V	2.7A (TC)	10V	2OHM @ 1.8A, 10V	5,5 V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	± 30V	409 PF @ 25 V	-	36W (TC)
Ixfv16n80p	-	RFQ	6106	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3, Court de l'onglet	Ixfv16		MOSFET (Oxyde Métallique)				Plus220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			800 V	16A (TC)	10V	600mohm @ 500mA, 10V	5V @ 4mA	71 NC @ 10 V	± 30V	4600 pf @ 25 V	-	460W (TC)
Dsep15-06bs-trl	1.5831	RFQ	8918	Ixys	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	DSEP15		Standard				À 263 (d2pak)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-DSEP15-06BS-TLTR	EAR99	8541.10.0080	800		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						600 V		2,54 V @ 15 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15A	12pf @ 400V, 1MHz
IXFH52N50P2	12.2000	RFQ	7488	Ixys	HiperFet ™, Polarp2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh52		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			500 V	52A (TC)	10V	120 mohm @ 26a, 10v	4,5 V @ 4mA	113 NC @ 10 V	± 30V	6800 pf @ 25 V	-	960W (TC)
IXTA90N15T	-	RFQ	5124	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta90		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			150 V	90a (TC)	10V	20 mohm @ 45a, 10v	4,5 V @ 1MA	80 NC @ 10 V	± 30V	4100 pf @ 25 V	-	455W (TC)
Ixty32p05t-trl	1.8090	RFQ	8978	Ixys	TRENCHP ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ixty32		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 252aa	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXTY32P05T-TLTR	EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal p			50 V	32A (TC)	10V	39MOHM @ 16A, 10V	4,5 V @ 250µA	46 NC @ 10 V	± 15V	1975 PF @ 25 V	-	83W (TC)