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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) Type Scr Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXTH64N10L2 IXYS Ixth64n10l2 9.2300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth64 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 100 V 64a (TC) 10V 32MOHM @ 32A, 10V 4,5 V @ 250µA 100 nc @ 10 V ± 20V 3620 PF @ 25 V - 357W (TC)
FII24N17AH1S IXYS FII24N17AH1S -
RFQ
 ECAD 5099 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - Par le trou I4-Pac ™ -5 FII24N17 140 W Standard ISOPLUS I4-PAC ™ - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Demi-pont NPT 1700 V 18 a 6v @ 15v, 16a 100 µA Non 2,4 nf @ 25 V
MCC132-16IO1B IXYS MCC132-16IO1B 77.2633
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 ECAD 2140 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y4-M6 MCC132 Connexion de la Série - Tous Les Scr - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCC132-16IO1B EAR99 8541.30.0080 6 200 mA 1,6 kV 300 A 2,5 V 4750A, 5130A 150 mA 130 A 2 SCR
MKE38P600LB-TUB IXYS MKe38p600lb-tub 40.8740
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 ECAD 4517 0,00000000 Ixys - En gros Actif - Support de surface Module 9 MMD MKE38 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus-smpd ™ .b télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 600 V 50A (TC) - - - -
IXFH30N50 IXYS IXFH30N50 -
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 ECAD 9860 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 30a (TC) 10V 160MOHM @ 15A, 10V 4V @ 4mA 300 NC @ 10 V ± 20V 5700 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTR90P10P IXYS Ixtr90p10p -
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 ECAD 1805 0,00000000 Ixys Polarp ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixtr90 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 100 V 57a (TC) 10V 27MOHM @ 45A, 10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 190W (TC)
IXFL60N60 IXYS Ixfl60n60 -
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 ECAD 3931 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfl60 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus264 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 60a (TC) 10V 80MOHM @ 30A, 10V 4V @ 8mA 380 NC @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 25 V - 700W (TC)
IXTH240N055T IXYS IXTH240N055T -
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 ECAD 5196 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth240 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 55 V 240a (TC) 10V 3,6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ± 20V 7600 PF @ 25 V - 480W (TC)
IXFK100N10 IXYS IXFK100N10 -
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 ECAD 7367 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 100 V 100A (TC) 10V 12MOHM @ 75A, 10V 4V @ 8mA 360 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXGH40N60A3D1 IXYS IXGH40N60A3D1 -
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 ECAD 3036 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Par le trou À 247-3 IXGH40 Standard À 247ad - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 - - 600 V - - -
IXFR30N50Q IXYS IXFR30N50Q -
RFQ
 ECAD 1538 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr30 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 30a (TC) 10V 160MOHM @ 15A, 10V 4V @ 4mA 150 NC @ 10 V ± 20V 3950 pf @ 25 V - 310W (TC)
IXTA98N075T IXYS Ixta98n075t -
RFQ
 ECAD 7937 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta98 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 98A (TC) 10V - 4V @ 100µA ± 20V - 230W (TC)
IXTP10P50P IXYS Ixtp10p50p 6.7000
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 ECAD 1509 0,00000000 Ixys Polarp ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 500 V 10A (TC) 10V 1OHM @ 5A, 10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 300W (TC)
MCO600-22IO1 IXYS MCO600-22IO1 249.4600
RFQ
 ECAD 6583 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y1-Cu MCO600 Célibataire télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté MCO60022IO1 EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 2,2 kV 928 A 2 V 15000A, 16000A 300 mA 600 A 1 SCR
IXTP180N10T IXYS Ixtp180n10t 6.6200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp180 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 180a (TC) 10V 6,4MOHM @ 25A, 10V 4,5 V @ 250µA 151 NC @ 10 V ± 30V 6900 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXFT140N10P-TRL IXYS Ixft140n10p-trl 8.0263
RFQ
 ECAD 5544 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft140 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFT140N10P-TLTR EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 100 V 140a (TC) 10v, 15v 11MOHM @ 70A, 10V 5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ± 20V 4700 PF @ 25 V - 600W (TC)
IXFT36N50P IXYS Ixft36n50p 11.4600
RFQ
 ECAD 1402 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft36 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 36a (TC) 10V 170MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 93 NC @ 10 V ± 30V 5500 pf @ 25 V - 540W (TC)
IXTA160N075T7 IXYS IXTA160N075T7 -
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 ECAD 9825 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) Ixta160 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263-7 (ixta) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 160a (TC) 10V 6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ± 20V 4950 pf @ 25 V - 360W (TC)
M1494NK250 IXYS M1494NK250 -
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 ECAD 5386 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic De serrer DO-200AB, B-PUK M1494 Standard WD8 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-M1494NK250 EAR99 8541.10.0080 12 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 2500 V 1,15 V @ 1000 A 3,9 µs - 1975a -
IXTP160N075T IXYS Ixtp160n075t -
RFQ
 ECAD 8791 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp160 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 160a (TC) 10V 6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ± 20V 4950 pf @ 25 V - 360W (TC)
MEO550-02DA IXYS Meo550-02da 80.5800
RFQ
 ECAD 413 0,00000000 Ixys - En gros Actif Soutenir de châssis Y4-M6 Meo550 Standard Y4-M6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 6 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,25 V @ 520 A 200 ns 5 ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C 582A -
MCD220-08IO1 IXYS MCD220-08IO1 -
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 ECAD 5523 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y2-dcb MCD220 Connexion de la Séririe - SCR / Diode télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 2 150 mA 800 V 400 A 2 V 8500A, 9000A 150 mA 250 A 1 SCR, 1 Diode
IXGP2N100 IXYS Ixgp2n100 -
RFQ
 ECAD 7652 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixgp2 Standard 25 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 800v, ​​2a, 150 ohms, 15v - 1000 V 4 A 8 A 2,7 V @ 15V, 2A 560 µJ (off) 7.8 NC 15NS / 300NS
DGS9-025AS IXYS DGS9-025AS -
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 ECAD 2016 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 DGS9 Schottky À 252aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 75 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 250 V 1,5 V @ 5 A 1,3 Ma @ 250 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A -
VII100-06P1 IXYS Vii100-06p1 -
RFQ
 ECAD 2954 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 Vii 294 W Standard Eco-Pac2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Demi-pont NPT 600 V 93 A 2,8 V @ 15V, 100A 1,4 mA Oui 4.2 NF @ 25 V
DGSK40-025CS IXYS DGSK40-025CS -
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 ECAD 5698 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab DGSK40 Schottky À 263aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 250 V 31A 1,5 V @ 10 A 26 ns 400 µA à 250 V -55 ° C ~ 175 ° C
VWO60-14IO7 IXYS VWO60-14IO7 -
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 ECAD 6981 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module Vwo60 Contrôleur 3 Phases - Tous Les Scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 10 200 mA 1,4 kV 43 A 1,5 V 550A, 600A 100 mA 27 A 6 SCR
DAA200X1800NA IXYS Daa200x1800na 35.2680
RFQ
 ECAD 1014 0,00000000 Ixys Daa200x1800na Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc DAA200 Avalanche SOT-227B télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-DAA200X1800NA EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 1800 V 100A 1,24 V @ 100 A 200 µA à 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C
CLA40E1200NPZ-TRL IXYS CLA40E1200NPZ-TRL 3.9668
RFQ
 ECAD 7846 0,00000000 Ixys CLA40E1200NPZ Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab CLA40 À 263HV télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-CLA40E1200NPZ-TLTR EAR99 8541.30.0080 800 70 mA 1,2 kV 63 A 1,7 V 520A, 560A 35 mA 1,3 V 40 A Norme de rénovation
GMM3X180-004X2-SMDSAM IXYS GMM3X180-004X2-SMDSAM -
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 ECAD 9521 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 24 mm, Aile de Mouette Gmm3x180 MOSFET (Oxyde Métallique) - 24 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 6 Canaux N (phases Pont 3) 40V 180a - 4,5 V @ 1MA 110nc @ 10v - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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