SIC
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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Structure Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFV30N60PS IXYS Ixfv30n60ps -
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 ECAD 8631 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Plus-220SMD Ixfv30 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus-220SMD télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 30a (TC) 10V 240mohm @ 15a, 10v 5V @ 4mA 82 NC @ 10 V ± 30V 4000 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFT60N25Q IXYS IXFT60N25Q -
RFQ
 ECAD 1624 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 60a (TC) 10V 47MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTA24P085T IXYS Ixta24p085t 2.8200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta24 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 85 V 24a (TC) 10V 65MOHM @ 12A, 10V 4,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 15V 2090 PF @ 25 V - 83W (TC)
MWI25-12A7T IXYS MWI25-12A7T -
RFQ
 ECAD 4466 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E2 MWI25 225 W Standard E2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 6 Onduleur Triphasé NPT 1200 V 50 a 2,7 V @ 15V, 25A 2 mA Oui 1,65 nf @ 25 V
DSI30-16A IXYS DSI30-16A 2.7300
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 ECAD 980 0,00000000 Ixys - Tube Actif Par le trou À 220-2 DSI30-16 Standard À 220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté DSI3016A EAR99 8541.10.0080 50 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1600 V 1,29 V @ 30 A 40 µA à 1600 V -40 ° C ~ 175 ° C 30A 10pf @ 400v, 1MHz
IXTH200N085T IXYS IXTH200N085T -
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 ECAD 1499 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth200 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 85 V 200A (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 152 NC @ 10 V ± 20V 7600 PF @ 25 V - 480W (TC)
IXFX26N60Q IXYS IXFX26N60Q -
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 ECAD 4634 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Boîte Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx26 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 26A (TC) 10V 250 mohm @ 13a, 10v 4,5 V @ 4mA 200 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 360W (TC)
CLA15E1200NPZ-TRL IXYS CLA15E1200NPZ-TRL 2.6391
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 ECAD 5694 0,00000000 Ixys CLA15E1200NPZ Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab CLA15 À 263HV télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-CLA15E1200NPZ-TLTR EAR99 8541.30.0080 800 70 mA 1,2 kV 33 A 1,3 V 170a, 185a 20 mA 1,35 V 15 A Norme de rénovation
IXTA220N075T IXYS IXTA220N075T -
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 ECAD 7694 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta220 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 220A (TC) 10V 4,5 mohm @ 25a, 10v 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ± 20V 7700 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXTQ180N085T IXYS IXTQ180N085T -
RFQ
 ECAD 9735 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq180 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 85 V 180a (TC) 10V 5,5 mohm @ 25a, 10v 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ± 20V 7500 PF @ 25 V - 430W (TC)
IXFV18N60P IXYS Ixfv18n60p -
RFQ
 ECAD 4944 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3, Court de l'onglet Ixfv18 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus220 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 400mohm @ 500mA, 10v 5,5 V @ 2,5mA 50 NC @ 10 V ± 30V 2500 pf @ 25 V - 360W (TC)
DSSK20-0045B IXYS DSSK20-0045B -
RFQ
 ECAD 7048 0,00000000 Ixys - Tube Abandonné à sic Par le trou À 220-3 Dssk20 Schottky À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 10A 510 MV @ 10 A 5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
IXTP4N80P IXYS Ixtp4n80p 2.8600
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 ECAD 9547 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp4 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 3.6A (TC) 10V 3,4 ohm @ 500mA, 10V 5,5 V @ 100µA 14.2 NC @ 10 V ± 30V 750 pf @ 25 V - 100W (TC)
CS1710 IXYS CS1710 -
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 ECAD 5886 0,00000000 Ixys - Sac Abandonné à sic - - - CS171 - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Q8201732 EAR99 8541.30.0080 100 - Norme de rénovation
IXFT20N80Q IXYS IXFT20N80Q -
RFQ
 ECAD 7557 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 800 V 20A (TC) 10V 420 mohm @ 10a, 10v 4,5 V @ 4mA 200 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXFX140N30P IXYS Ixfx140n30p 22.3300
RFQ
 ECAD 6749 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx140 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 300 V 140a (TC) 10V 24MOHM @ 70A, 10V 5V @ 8mA 185 NC @ 10 V ± 20V 14800 pf @ 25 V - 1040W (TC)
MMIX1T132N50P3 IXYS MMIX1T132N50P3 52.7300
RFQ
 ECAD 3254 0,00000000 Ixys Polar ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 24 Powersmd, 22 pistes MMIX1T132 MOSFET (Oxyde Métallique) Polar3 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -MMIX1T132N50P3 EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 500 V 63a (TC) 10V 43MOHM @ 66A, 10V 5V @ 8mA 267 NC @ 10 V ± 30V 18600 PF @ 25 V - 520W (TC)
IXTP12N65X2 IXYS Ixtp12n65x2 2.7187
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 ECAD 9924 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 12A (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10v 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 180W (TC)
VHF28-12IO5 IXYS VHF28-12IO5 -
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 ECAD 3084 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Fo-fa VHF28 Bridge, monophasé - SCR / Diodes (Disposition 1) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 10 100 mA 1,2 kV 1 V 300A, 330A 65 Ma 28 A 2 SCR, 2 diodes
IXFR16N90Q IXYS IXFR16N90Q -
RFQ
 ECAD 2823 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Ixfr16 - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 30 -
IXFP12N50P IXYS Ixfp12n50p 4.1800
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 ECAD 7539 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFP12N50P EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 12A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 5,5 V @ 1MA 29 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 200W (TC)
IXTY18P10T-TRL IXYS Ixty18p10t-trl 2.0170
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 ECAD 2844 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty18 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTY18P10T-TLTR EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 100 V 18A (TC) 10V 120 MOHM @ 9A, 10V 4,5 V @ 250µA 39 NC @ 10 V ± 15V 2100 PF @ 25 V - 83W (TC)
IXTP05N100M IXYS IXTP05N100M 4.1400
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp05 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1000 V 700mA (TC) 10V 17OHM @ 375mA, 10V 4,5 V @ 25µa 7,8 NC @ 10 V ± 30V 260 pf @ 25 V - 25W (TC)
CS20-14IO1 IXYS CS20-14IO1 6.4000
RFQ
 ECAD 289 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou À 247-3 CS20 À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 30 100 mA 1,4 kV 30 A 1 V 200a, 215a 65 Ma 2.1 V 19 a 2 mA Norme de rénovation
VWO40-08IO7 IXYS VWO40-08IO7 -
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 ECAD 4404 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module VWO40 Contrôleur 3 Phases - Tous Les Scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 10 150 mA 800 V 29 A 1 V 400A, 450A 100 mA 18 a 6 SCR
MDC550-12IO1 IXYS Mdc550-12io1 -
RFQ
 ECAD 7573 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module Connexion de la Séririe - SCR / Diode - Rohs3 conforme 238-MDC550-12io1 EAR99 8541.30.0080 1 1 a 1,2 kV 1318 A 3 V 18000A, 19800A 300 mA 550 A 1 SCR, 1 Diode
IXFR14N100Q2 IXYS IXFR14N100Q2 -
RFQ
 ECAD 5215 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr14 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 9.5A (TC) 10V 1,1 ohm @ 7a, 10v 5V @ 4mA 83 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 25 V - 200W (TC)
VVZ12-16IO1 IXYS Vvz12-16io1 -
RFQ
 ECAD 3689 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Kamm Vvz12 Pont, 3 phases - SCR / Diodes télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 5 100 mA 1,6 kV 1 V 110a, 115a 65 Ma 20 a 3 SCR, 3 Diodes
MCC250-18IO1 IXYS MCC250-18IO1 -
RFQ
 ECAD 9518 0,00000000 Ixys - En gros Obsolète -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y2-dcb MCC250 Connexion de la Série - Tous Les Scr télécharger Non applicable EAR99 8541.30.0080 2 150 mA 1,8 kV 450 A 2 V 9000A, 9600A 150 mA 287 A 2 SCR
IXTM1630 IXYS Ixtm1630 -
RFQ
 ECAD 6495 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète - - - Ixtm16 - - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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