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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Structure Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Nombre de Scr, Diodes Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C
IXTZ550N055T2 IXYS Ixtz550n055t2 39.1800
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 ECAD 6931 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 6 mm, plombes plombes Ixtz550 MOSFET (Oxyde Métallique) DE475 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 55 V 550A (TC) 10V 1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 595 NC @ 10 V ± 20V 40000 pf @ 25 V - 600W (TC)
IXFR14N100Q2 IXYS IXFR14N100Q2 -
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 ECAD 5215 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr14 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 9.5A (TC) 10V 1,1 ohm @ 7a, 10v 5V @ 4mA 83 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 25 V - 200W (TC)
DSI30-08A IXYS DSI30-08A 2.7300
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 ECAD 5 0,00000000 Ixys - Tube Actif Par le trou À 220-2 Dsi30 Standard À 220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté DSI3008A EAR99 8541.10.0080 50 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 800 V 1,29 V @ 30 A 40 µA @ 800 V -40 ° C ~ 175 ° C 30A 10pf @ 400v, 1MHz
DHG20C600QB IXYS DHG20C600QB 3.4987
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 ECAD 3762 0,00000000 Ixys - Tube Actif Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Dhg20 Standard To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 10A 2,35 V @ 10 A 35 ns 15 µA à 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
IXTQ220N075T IXYS IXTQ220N075T -
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 ECAD 5177 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq220 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 75 V 220A (TC) 10V 4,5 mohm @ 25a, 10v 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ± 20V 7700 pf @ 25 V - 480W (TC)
CS20-14IO1 IXYS CS20-14IO1 6.4000
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 ECAD 289 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou À 247-3 CS20 À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 30 100 mA 1,4 kV 30 A 1 V 200a, 215a 65 Ma 2.1 V 19 a 2 mA Norme de rénovation
MCC220-16IO1 IXYS MCC220-16IO1 -
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 ECAD 3022 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y2-dcb MCC220 Connexion de la Série - Tous Les Scr télécharger 1 (illimité) MCC22016IO1 EAR99 8541.30.0080 2 150 mA 1,6 kV 400 A 2 V 8500A, 9000A 150 mA 250 A 2 SCR
IXFX62N25 IXYS Ixfx62n25 -
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 ECAD 1309 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx62 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 62A (TC) 10V 35MOHM @ 31A, 10V 4V @ 4mA 240 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 390W (TC)
IXTN200N10L2 IXYS Ixtn200n10l2 51.8300
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 ECAD 1 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixtn200 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 100 V 178a (TC) 10V 11MOHM @ 100A, 10V 4,5 V @ 3MA 540 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 25 V - 830W (TC)
IXTQ460P2 IXYS Ixtq460p2 6.7900
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 ECAD 134 0,00000000 Ixys Polarp2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq460 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 24a (TC) 10V 270MOHM @ 12A, 10V 4,5 V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 30V 2890 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXTC200N10T IXYS IXTC200N10T -
RFQ
 ECAD 5262 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ Ixtc200 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 101a (TC) 10V 6,3MOHM @ 50A, 10V 4,5 V @ 250µA 152 NC @ 10 V ± 30V 9400 pf @ 25 V - 160W (TC)
IXTR36P15P IXYS Ixtr36p15p 9.7750
RFQ
 ECAD 6293 0,00000000 Ixys Polarp ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixtr36 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 150 V 22A (TC) 10V 120mohm @ 18a, 10v 5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ± 20V 2950 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXTY08N100P IXYS Ixty08n100p 3.5200
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 ECAD 22 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty08 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 70 Canal n 1000 V 800mA (TC) 10V 20OHM @ 500mA, 10V 4V @ 50µA 11.3 NC @ 10 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 42W (TC)
DPF60XA400NA IXYS Dpf60xa400na -
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 ECAD 8510 0,00000000 Ixys - Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Dpf60xa400 Standard SOT-227B - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 60A -
IXFA34N65X2-TRL IXYS Ixfa34n65x2-trl -
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 ECAD 2779 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x2 Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa34 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Atteindre non affecté 238-IXFA34N65X2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 650 V 34A (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10v 5V @ 2,5mA 56 NC @ 10 V ± 30V 3230 pf @ 25 V - 540W (TC)
MCD501-18IO2 IXYS MCD501-18IO2 -
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 ECAD 7208 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MCD501 Connexion de la Séririe - SCR / Diode télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 4 1,8 kV 14500A @ 50hz 1 SCR, 1 Diode
IXTH2N150L IXYS IXTH2N150L 14.5800
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 ECAD 286 0,00000000 Ixys Linéaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1500 V 2A (TC) 20V 15OHM @ 1A, 20V 8,5 V @ 250µA 72 NC @ 20 V ± 30V 1470 PF @ 25 V - 290W (TC)
DSEI2X61-04C IXYS Dsei2x61-04c 29.9300
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 ECAD 2351 0,00000000 Ixys Fred Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Dsei2x61 Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 400 V 60A 1,8 V @ 60 A 50 ns 200 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFB44N100P IXYS IXFB44N100P 32.9800
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 ECAD 2532 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfb44 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus264 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 1000 V 44a (TC) 10V 220 mohm @ 22a, 10v 6,5 V @ 1MA 305 NC @ 10 V ± 30V 19000 pf @ 25 V - 1250W (TC)
IXTH4N150 IXYS Ixth4n150 8.5733
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 ECAD 6483 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth4 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1500 V 4A (TC) 10V 6OHM @ 2A, 10V 5V @ 250µA 44,5 NC @ 10 V ± 30V 1576 pf @ 25 V - 280W (TC)
DSA300I45NA IXYS DSA300I45NA -
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 ECAD 8946 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc DSA300 Schottky SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 45 V 840 MV @ 300 A 3 Ma @ 45 V 300A 16500pf @ 5v, 1MHz
IXFV26N50P IXYS Ixfv26n50p -
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 ECAD 7295 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3, Court de l'onglet Ixfv26 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus220 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 26A (TC) 10V 230MOHM @ 13A, 10V 5,5 V @ 4mA 60 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXTQ130N15T IXYS IXTQ130N15T -
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 ECAD 3103 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq130 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 130a (TC) 10V 12MOHM @ 65A, 10V 4,5 V @ 1MA 113 NC @ 10 V ± 30V 9800 pf @ 25 V - 750W (TC)
DSEP2X31-06B IXYS Dsep2x31-06b 28.8230
RFQ
 ECAD 8499 0,00000000 Ixys Hiperfred ™ Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Dsep2x31 Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 10 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 600 V 30A 2 49 V @ 30 A 30 ns 250 µA à 600 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXGH72N60C3 IXYS IXGH72N60C3 -
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 ECAD 6799 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH72 Standard 540 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480V, 50A, 2OHM, 15V Pt 600 V 75 A 360 A 2,5 V @ 15V, 50A 1 03MJ (ON), 480µJ (OFF) 174 NC 27NS / 77NS
VWO36-12IO7 IXYS VWO36-12IO7 -
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 ECAD 1924 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module VWO36 Contrôleur 3 Phases - Tous Les Scr télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 10 100 mA 1,2 kV 28 A 1 V 320A, 350A 65 Ma 18 a 6 SCR
IXFH230N10T IXYS IXFH230N10T 9.8400
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH230 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 100 V 230A (TC) 10V 4,7MOHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 1MA 250 NC @ 10 V ± 20V 15300 pf @ 25 V - 650W (TC)
N2543ZD240 IXYS N2543ZD240 -
RFQ
 ECAD 1503 0,00000000 Ixys - Boîte Abandonné à sic - Soutenir de châssis À 200f N2543 W46 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-N2543ZD240 EAR99 8541.30.0080 6 2,4 kV 32000A @ 50hz 2543 A Norme de rénovation
MCC162-18IO1B IXYS MCC162-18IO1B 84.0733
RFQ
 ECAD 8176 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y4-M6 MCC162 Connexion de la Série - Tous Les Scr - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCC162-18IO1B EAR99 8541.30.0080 6 200 mA 1,8 kV 300 A 2,5 V 6000A, 6480A 150 mA 181 A 2 SCR
IXTQ72N30T IXYS Ixtq72n30t -
RFQ
 ECAD 1783 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif - Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq72 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 300 V 72A (TC) - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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