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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Type Scr	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXGP28N60A3	3.3100	RFQ	478	Ixys	Genx3 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixgp28	Standard		190 W			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXGP28N60A3	EAR99	8541.29.0095	50					480v, 24a, 10 ohms, 15v																								26 ns						Pt	600 V	75 A	170 A	1,4 V @ 15V, 24A	700 µJ (ON), 2,4MJ (OFF)	66 NC	18NS / 300NS
Ixfh44n50p	11.8500	RFQ	827	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH44		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			500 V	44a (TC)	10V	140mohm @ 22a, 10v	5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	± 30V	5440 PF @ 25 V	-	658W (TC)
Ixtk82n25p	10.6400	RFQ	6	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixtk82		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 264 (ixtk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			250 V	82A (TC)	10V	35MOHM @ 41A, 10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	± 20V	4800 pf @ 25 V	-	500W (TC)
IXGT25N160	-	RFQ	5412	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixgt25	Standard		300 W			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					-																														NPT	1600 V	75 A	200 A	4,7 V @ 20V, 100A	-	84 NC	-
MCO600-16IO1	175.9300	RFQ	5024	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Y1-Cu	MCO600				Célibataire			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2				300 mA													1,6 kV	928 A	2 V	15000A, 16000A	300 mA		600 A											1 SCR
IXTP230N075T2	6.3900	RFQ	48	Ixys	Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp230		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			75 V	230A (TC)	10V	4.2MOHM @ 50A, 10V	4V @ 250µA	178 NC @ 10 V	± 20V	10500 pf @ 25 V	-	480W (TC)
MDD310-14N1	121.4850	RFQ	2832	Ixys	-	Boîte	Actif		Soutenir de châssis	Y2-dcb	MDD310		Standard				Y2-dcb	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							Connexion de la Séririe 1 paire	1400 V	305a	1,2 V @ 600 A		40 mA @ 1400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
N5320FE420	-	RFQ	6797	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-	Soutenir de châssis	À 200f	N5320						W119	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-N5320FE420	EAR99	8541.30.0080	6																	4,2 kV			78000a @ 50hz			5320 A	Norme de rénovation
MDO1200-14N1	-	RFQ	9692	Ixys	-	Plateau	Obsolète		Soutenir de châssis	Y1-Cu	MDO1200		Standard				Y1-Cu	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																								1400 V						-	-
Ixtu12n06t	-	RFQ	3704	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Ixtu12		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 251aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75			Canal n			60 V	12A (TC)	10V	85MOHM @ 6A, 10V	4V @ 25µa	3,4 NC @ 10 V	± 20V	256 pf @ 25 V	-	33W (TC)
Cle20e1200pc-trl	2.3236	RFQ	7273	Ixys	Cle20e1200pc	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Cle20						À 263 (d2pak)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-CLE20E1200PC-TLTR	EAR99	8541.30.0080	800				50 mA													1,2 kV	35 A	1,5 V	160a, 175a	40 mA	1,54 V	20 a	Norme de rénovation
QJ6025NH4RP	6.3600	RFQ	500	Ixys	Qjxx25xhx	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	QJ6025						À 263 (d2pak)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-QJ6025NH4RPTR	EAR99	8541.30.0080	500	Célibataire			50 mA												Standard	600 V	25 A	1,3 V	208a, 250a	35 mA
IXFD80N20Q-8XQ	-	RFQ	8583	Ixys	HiperFet ™	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	-	Mourir	IXFD80N20Q		MOSFET (Oxyde Métallique)				Mourir	-		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1			Canal n			200 V	-	-	-	-		-		-	-
Ixfa80n25x3	9.9500	RFQ	9977	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixfa80		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263 (d2pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			250 V	80A (TC)	10V	16MOHM @ 40A, 10V	4,5 V @ 1,5 mA	83 NC @ 10 V	± 20V	5430 pf @ 25 V	-	390W (TC)
VKF55-14IO7	-	RFQ	8006	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Fo-ta	VKF55				Bridge, monophasé - tous les scr			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	10				200 mA													1,4 kV		1,5 V	550A, 600A	100 mA		53 A											4 SCR
IXFN27N80Q	-	RFQ	6167	Ixys	HiperFet ™, Q CLASSE	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn27		MOSFET (Oxyde Métallique)				SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10			Canal n			800 V	27a (TC)	10V	320 MOHM @ 500mA, 10V	4,5 V @ 4mA	170 NC @ 10 V	± 20V	7600 PF @ 25 V	-	520W (TC)
IXBH42N250	38.3700	RFQ	683	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixbh42	Standard		500 W			À 247ad	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXBH42N250	EAR99	8541.29.0095	30					1250V, 42A, 20OHM, 15V																								1,7 µs						-	2500 V	104 A	400 A	3V @ 15V, 42A	-	200 NC	72ns / 445ns
Mid 400-12E4T	-	RFQ	2161	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Y3-li	MILIEU			1700 W		Standard	Y3-li	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	Célibataire																																		NPT	1200 V	420 A		2,8 V @ 15V, 300A				3,3 mA	Oui	17 nf @ 25 V
Ixyx110n120a4	39.8300	RFQ	13	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixyx110	Standard		1360 W			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXYX110N120A4	EAR99	8541.29.0095	30					600V, 50A, 1,5 ohm, 15v																														Pt	1200 V	375 A	900 A	1,8 V @ 15V, 110A	2,5mj (on), 8,4mj (off)	305 NC	42ns / 550ns
Dfe250x600na	36.2770	RFQ	2841	Ixys	Dfe250x600na	Tube	Actif		Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	DFE250		Standard				SOT-227B	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-DFE250X600NA	EAR99	8541.10.0080	10		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							2 indépendant	600 V	125a	1,26 V @ 125 A	80 ns	3 ma @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Ixta05n100-trl	3.1142	RFQ	5744	Ixys	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta05		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 263 (d2pak)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXTA05N100-TLTR	EAR99	8541.29.0095	800			Canal n			1000 V	750mA (TC)	10V	17OHM @ 375mA, 10V	4,5 V @ 250µA	7,8 NC @ 10 V	± 30V	260 pf @ 25 V	-	40W (TC)
IXGH40N60A	-	RFQ	9312	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXGH40	Standard		250 W			À 247ad	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30					480v, 40a, 22hm, 15v																														-	600 V	75 A	150 A	3V @ 15V, 40A	3MJ (off)	200 NC	100ns / 600ns
Ixya50n65c3	5.9026	RFQ	3380	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixya50	Standard		600 W			À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	629999	EAR99	8541.29.0095	50					400V, 36A, 5hm, 15v																														Pt	650 V	130 A	250 A	2.1V @ 15V, 36A	1,3MJ (ON), 370µJ (OFF)	80 NC	22ns / 80ns
IXXK300N60B3	36.1300	RFQ	1421	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixxk300	Standard		2300 W			À 264 (ixxk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25					400V, 100A, 1OHM, 15V																														Pt	600 V	550 A	1140 A	1,6 V @ 15V, 100A	3 45mJ (on), 2 86mJ (off)	460 NC	50ns / 190ns
Ixda20n120as-tub	-	RFQ	8719	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixda20	Standard		200 W			À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50					600V, 20A, 82OHM, 15V																														NPT	1200 V	38 A	35 A	3V @ 15V, 20A	3,1mj (on), 2,4mj (off)	70 NC	100ns / 500ns
W5715ed600	-	RFQ	3808	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic		Soutenir de châssis	Do00ae	W5715		Standard				W112	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-W5715ed600	EAR99	8541.10.0080	12		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																								6000 V		1,4 V @ 4000 A	73 µs	120 mA @ 6000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5750A	-
CLA100E1200TZ-TUB	8.5300	RFQ	30	Ixys	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	CLA100						À 268aa (d3pak-hv)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	238-CLA100E1200TZ-tub	EAR99	8541.30.0080	30				100 mA													1,2 kV	160 A	1,5 V		40 mA		100 A	Norme de rénovation
MDD175-34N1	297.9800	RFQ	9873	Ixys	-	Boîte	Actif		Soutenir de châssis	Y1-Cu	MDD175		Standard				Y1-Cu	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																							Connexion de la Séririe 1 paire	3400 V	240a	1.07 V @ 200 A		1 ma @ 3400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
IXFT12N90Q	-	RFQ	8478	Ixys	HiperFet ™, Q CLASSE	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft12		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			900 V	12A (TC)	10V	900mohm @ 6a, 10v	5,5 V @ 4mA	90 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IXTH270N04T4	5.0653	RFQ	5744	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth270		MOSFET (Oxyde Métallique)				À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			40 V	270A (TC)	10V	2,4 mohm @ 50a, 10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	± 15V	9140 PF @ 25 V	-	375W (TC)